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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
DRAM下季合約價(jià)喊漲
- DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠制程推進(jìn)受阻，主流DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng)近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏家。 DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，本季DRAM現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)價(jià)差已達(dá)20%，預(yù)估第3季合約價(jià)看漲5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鳴槍，通知旗下通路商及委托制造廠(OEM)廠，7月起漲幅10%，揭開DRAM另一波漲勢(shì)。 集邦預(yù)期，下半年DRAM因各大芯片廠并無考慮增產(chǎn)，加上制程推進(jìn)和良率提升進(jìn)度緩慢，將
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達(dá)到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制，來
- 關(guān)鍵字： FIFO SRAM DRAM CPLD
受惠三大因素上半年半導(dǎo)體業(yè)淡季不淡
- 根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)觀察，2014上半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)受惠于中國(guó)大陸與新興市場(chǎng)智慧手機(jī)需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素，拉動(dòng)了智慧手機(jī)晶片、驅(qū)動(dòng)IC及電視SoC晶片之營(yíng)收持續(xù)高漲，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少見的淡季不淡現(xiàn)象。 展望2014下半年，雖為傳統(tǒng)旺季，但中國(guó)大陸6月份縮減了3G智慧型手機(jī)補(bǔ)助，為市場(chǎng)投下變數(shù)，中國(guó)4G/LTE手機(jī)的銷售情形，將成為左右臺(tái)廠營(yíng)收的重要關(guān)鍵。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估，2014下半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)營(yíng)收預(yù)估達(dá)80.7億美元，較去年同
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
海力士超車美光 躍居全球最大PC DRAM廠
- 南韓第二大記憶體廠SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光，成為全球PC用動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)第一大廠。 市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新奪回全球排名首位，而原居領(lǐng)先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星電子拿下26.3%的市占率，位居第三。 在伺服器用DRAM的市占率排名上，遙遙領(lǐng)先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。 美光在行動(dòng)裝置市場(chǎng)以29.8%的市占率上板回
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
基于CPLD的DRAM控制器設(shè)計(jì)方法
- 80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向?qū)⑻幚砥鞯?BIU(總線接口)單元產(chǎn)生存儲(chǔ)器讀請(qǐng)求。對(duì)微處理器的存儲(chǔ)器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時(shí)，被編程的存儲(chǔ)器范圍片選有效。 存儲(chǔ)器是嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
- 關(guān)鍵字： CPLD DRAM VHDL
美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”
- 美光半導(dǎo)體技術(shù)有限公司移動(dòng) DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲JEDEC(即“固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)”)最高榮譽(yù)“卓越獎(jiǎng)”。 該殊榮是對(duì)其擔(dān)任LPDDR3 和 LPDDR4 任務(wù)組主席期間所展現(xiàn)出的杰出領(lǐng)導(dǎo)力的高度認(rèn)可。 “卓越獎(jiǎng)”是由JEDEC頒發(fā)最具聲望的獎(jiǎng)項(xiàng)，該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在對(duì)長(zhǎng)期服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的個(gè)人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位獲此殊榮的人士。 JEDEC 總裁John
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM LPDDR3
大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器 DRAM供貨吃緊
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。 以需求端來觀察，由于PCOEM庫(kù)存水位普遍不高，采購(gòu)策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)醞釀第三季合約價(jià)格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價(jià)格來觀察，目前4GB報(bào)價(jià)約在36美元間，5月合約均價(jià)在30.5美元，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、高級(jí)圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?！ iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
- 關(guān)鍵字： EVG DRAM 3D
趨勢(shì)大師：DRAM高成長(zhǎng) 帶旺半導(dǎo)體業(yè)
- 2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)結(jié)果出爐，與我們先前預(yù)估吻合，2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)較2012年成長(zhǎng)4.9%，扭轉(zhuǎn)2012年衰退2.4%頹勢(shì)。半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)，是由DRAM及NANDFlash帶動(dòng)，DRAM及NAND年成長(zhǎng)率分別高達(dá)32.5%及24.2%。 統(tǒng)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3181億美元，較2012年的3031億美元成長(zhǎng)4.9%。 2013年全球前25大半導(dǎo)體公司合計(jì)營(yíng)業(yè)額2253億美元，占整體半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額71%，較2012年的69%上升2個(gè)百分點(diǎn)。2013年全球最
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體業(yè)訂單強(qiáng)勁 3月年增10.1％居首
- 經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處表示，電子產(chǎn)品因手持行動(dòng)裝置需求續(xù)增及規(guī)格之提升，帶動(dòng)晶圓高階制程、晶片、DRAM等半導(dǎo)體業(yè)訂單強(qiáng)勁增加，3月年增率10.1%，增幅居各主要貨品別之首;資訊及通信產(chǎn)品亦因手持行動(dòng)裝置組裝代工持穩(wěn)、電腦代工廠調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及電腦需求回溫，致年增8.6%，為支撐訂單持續(xù)成長(zhǎng)之前二大貨品。精密儀器因電視及電腦面板需求漸增，致減幅已顯縮小。而傳統(tǒng)接單貨品因全球景氣逐漸回升及業(yè)者積極拓銷，年增率均呈正成長(zhǎng)。 展望未來，受惠于手持行動(dòng)裝置需求持續(xù)增加，及規(guī)格不斷升級(jí)，可望帶動(dòng)電子產(chǎn)品接單持續(xù)成
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
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