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memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)
- 魯?冰?（《電子產(chǎn)品世界》記者） 不久前，MEMS蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對中國本土MEMS制造工廠和實驗室的建議等。 1 MEMS比CMOS的復(fù)雜之處 MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS是帶活動部件的三維器件，CMOS是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是MEMS獨有的，例如失效機(jī)理。舉個例子，由于CMOS器件沒有活動部件，因此不需要釋放工藝。正因為如此，當(dāng)活動部件“粘”在表面上
- 關(guān)鍵字： 202006 MEMS CMOS memsstar
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