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Spansion 發(fā)布 MirrorBit HD-SIM 解決方案開發(fā)計(jì)劃
- Spansion發(fā)布了其MirrorBit® HD-SIM™系列的產(chǎn)品開發(fā)計(jì)劃，該系列是Spansion下一代基于閃存的SIM卡解決方案。Spansion® HD-SIM解決方案能夠提供更高的靈活性、性能和存儲容量，幫助移動網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商、內(nèi)容和應(yīng)用提供商為其客戶提供全新的差異化服務(wù)。Spansion MirrorBit HD-SIM解決方案不僅能支持分發(fā)、存儲和訪問SIM卡上存儲的數(shù)字內(nèi)容，還能提供先進(jìn)的安全性能和加密功能，加強(qiáng)數(shù)字保護(hù)。 安全的MirrorBit HD
- 關(guān)鍵字： HD-SIM SIM卡 Spansion 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 閃存
亞太 SIM 卡市場傾向于高容量卡
- 亞太 SIM（用戶識別模塊）卡市場繼續(xù)受益于不斷發(fā)展的智能卡電信應(yīng)用。數(shù)年來，這些應(yīng)用已經(jīng)從存儲功能簡單的付費(fèi)電話卡發(fā)展成為更先進(jìn)的基于微處理器的 SIM 卡，而這已經(jīng)對 SIM 卡市場的持續(xù)增長做出了貢獻(xiàn)。 Frost & Sullivan (http://www.smartcards.frost.com ) 的新分析《SIM Card Market in Selected APAC Countries》（部分亞太國家中的 SIM 卡市場）顯示，預(yù)計(jì)2010年該市場規(guī)模將從2005年
- 關(guān)鍵字： SIM 高容量卡 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
常憶科技推出新的0.25µm嵌入式OTP
- 常憶科技推出新的0.25µm嵌入式OTP，可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯製程相容 該微處理器解決方案之低功率表現(xiàn)與業(yè)界最佳的耐久性，均已通過聯(lián)電驗(yàn)證 專業(yè)電子零組件代理商益登科技(TSE:3048)所代理的擁有非揮發(fā)性記憶體產(chǎn)品及專利領(lǐng)導(dǎo)地位的常憶科技(Chingis Technology Corp.)，於2007年一月正式宣佈0.25µm 一次性寫入式記憶體 (OTP) 通過全球半導(dǎo)體晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)電之認(rèn)證。此項(xiàng)認(rèn)證為常憶科技pFusion非揮發(fā)
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K-MICRO獲授權(quán)使用CEVA的串行連接SCSI (SAS) 物理層技術(shù)
- K-MICRO獲授權(quán)使用CEVA的串行連接SCSI (SAS) 物理層技術(shù) 用于企業(yè)存儲應(yīng)用中 3.0Gbps SAS解決方案讓K-micro客戶將串行連接SCSI功能 集成在其SoC設(shè)計(jì)中 K-micro公司與專業(yè)向半導(dǎo)體行業(yè)提供數(shù)字信號處理器 (DSP) 內(nèi)核、多媒體及存儲平臺知識產(chǎn)權(quán)的全球領(lǐng)先廠商 CEVA公司宣布，K-micro已獲授權(quán)使用CEVA的3.0Gbps串行連接SCSI (SAS) 物理層 (PHY
- 關(guān)鍵字： (SAS) CEVA K-MICRO 串行連接SCSI 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 授權(quán) 物理層技術(shù)
Spansion推出MirrorBit® HD-SIM™ 解決方案
- 閃存解決方案系列能夠?qū)崿F(xiàn)SIM卡中移動內(nèi)容的安全發(fā)布、高容量存儲及個(gè)人資料安全性 Spansion（NASDAQ：SPSN）推出其第一款安全的 MirrorBit® HD-SIM™ 解決方案。目前，Spansion正積極地與領(lǐng)先的智能卡制造商進(jìn)行試驗(yàn)性項(xiàng)目的選擇，項(xiàng)目合作將于12月底前正式啟動。 第一款安全的 HD-SIM 解決方案是一款雙芯片解決方案，它結(jié)合了90nm MirrorBit OR
- 關(guān)鍵字： HD-SIM™ MirrorBit® Spansion 解決方案 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
飛兆半導(dǎo)體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護(hù)
- 飛兆半導(dǎo)體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強(qiáng)化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu)，但卻提供增強(qiáng)的靜電放電 (ESD) 保護(hù)功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導(dǎo)體將FIN24AC的8kV ESD保護(hù)性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項(xiàng)改進(jìn)
- 關(guān)鍵字： µ SerDes™ 15kV ESD 保護(hù) 單片機(jī) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng)
為低功耗應(yīng)用選擇正確的 µC 外圍器件
- 在現(xiàn)實(shí)世界中，Power（權(quán)力）就意味著金錢－越大越好；而對于 µC 外圍器件來說則正好相反。隨著消費(fèi)市場的不斷發(fā)展，終端應(yīng)用產(chǎn)品的體積不斷縮小，Power（功率）越小越好。便攜性和低功耗成為最優(yōu)先考慮的事情，并促成處理器內(nèi)核電壓降至1.8 v 的行業(yè)動向，也就不足為奇了。盡管與 3.3 v 和 5 v 型號相比，這些低功耗器件消耗的能量確實(shí)要低得多，但是低功耗處理器并非都一樣。設(shè)計(jì)出色的低功耗應(yīng)用需要同時(shí)考慮終端應(yīng)用的需求和各種可用的 µC 特性。設(shè)計(jì)人員可能會提出以下問題：是否
- 關(guān)鍵字： & C micro
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無線終端提供解決方案
- 日前，無線通信應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先專用射頻集成電路(RFIC)供應(yīng)商RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號: RFMD）宣布，該公司正在批量發(fā)運(yùn)用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無線終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字： RF Micro Devices Inc. RF IF
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