- 按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。
ICInsight的McClean認為，今年第三季度的全球產能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認為2007年的產能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產能利用率又回復到78%。
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Inotera 70納米 溝槽式 DRAM
- 半導體市場回溫，ASML市場智庫總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對設備下單需求增溫，他引用研究機構預測，2010年半導體微顯影設備可望成長30%至少達到40億歐元。尤其晶圓代工領域，經過18個月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴充產能，他個人亦樂見臺積電積極擴充產能，滿足客戶投單需求的做法。
Küsters表示，2008 年是變動相當劇烈的一年，回顧2007年時研究機構還對2008年奧運所帶來的商機相當樂觀，孰料DRAM價格快速崩落約65%，緊
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ASML DRAM 晶圓代工
- 在金融海嘯、全球經濟不景氣期間，由劉內閣所推出的半導體業(yè)整并計劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國參議員，聲言這是不公平競爭，將要求美國政府貿易干預。如果此事成真，則政府投資的經費將如泥牛入海，全無投資報酬可言。消息傳出后，不但爾必達在日本股價大跌，我們的半導體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。
對于美光公司的指控，“經濟部”官員雖然提出答辯，但內容顯然不夠完整。工業(yè)局
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TMC DRAM
- TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓，引發(fā)外界認為TIMC投資爾必達 (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達的計畫之間沒有關連性，不明白外界為何會如此聯(lián)想，同時TIMC營運的概況并不會受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示，TIMC投資爾必達將有助深化雙方合作，對于政府推動DRAM技術扎根的策略，相當有助益，即使未來TIMC投資爾必達，并無違反 WTO公平競爭的原則。
由宣明智領軍的TIMC雖然已
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TIMC DRAM 存儲器
- 歷史發(fā)展
自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術的前進，而且對各國半導體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。
眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當時DRAM技術要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規(guī)模生產技術，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產學”舉國一致的努力下，
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Intel DRAM VLSI LSI 200910
- 據(jù)國外媒體今日報道，在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。
美國貿易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會通過世界貿易組織以及單獨會晤擁有半導體產業(yè)的國家，要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。
基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
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美光 DRAM 閃存芯片
- 動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設計一種具有溫度自適應特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結構，提出一種具有溫度自適應特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實驗結果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
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DRAM 溫度 時鐘電路
- 美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內部將研發(fā)72納米的技術來制作 1GB，采用日本內存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前正在看臺灣創(chuàng)新內存公司(TIMC)合作行動內存(Mobile DRAM) ，以充足資本額。
美林證券預期，茂德今年第4季的營業(yè)利益率為負141%，關鍵是技術缺乏競爭力，而且晶圓的產能利用率低于 40%，給予“表現(xiàn)低于大盤”評等，目標價降低19%，從 1.05
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爾必達 65納米 DRAM
- 隨著DRAM價格自谷底翻揚，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉虧為盈好消息，具臺系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機會接棒，估計營收只要站上40億元大關，便可跨越損益平衡點、順利轉虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產能亦開始有現(xiàn)金流入，臺系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。
相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產，臺系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺、
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Hynix 50納米 DRAM
- 據(jù)國外媒體今日報道，在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。
美國貿易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會通過世界貿易組織以及單獨會晤擁有半導體產業(yè)的國家，要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達荷州是美光科技的總部所在地。
基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
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閃存芯片 DRAM
- 由于DRAM產業(yè)過度擴產，加上金融風暴的襲擊，2008年全球DRAM產業(yè)面臨最大規(guī)模的衰退，全球廠商無一幸免，德國業(yè)者Qimonda更因此宣告破產。鑒于半導體產業(yè)對于電子產業(yè)發(fā)展的關鍵及關聯(lián)性，以及產業(yè)崩盤可能衍生的問題，近來引發(fā)不同立場的討論，救與不救，正反意見相互沖擊
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DRAM 電子產業(yè)
- 南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時表示，該公司將斥資5,000萬美元買下南韓內存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國奧勒岡州猶吉尼市已停止運作的DRAM廠。根據(jù)報導，Uni-chem計劃利用該座廠房生產太陽能電池，以便開拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應皮革給現(xiàn)代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。
根據(jù)報導，Uni-chem甫于2009年8月收購太陽能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
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Hynix DRAM 晶圓
- 英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對其組織架構大刀闊斧地進行了重組。
坊間著實對此熱議了一陣。從這些文章的標題看，有就事論事說主要產品部門整合到英特爾架構事業(yè)部的，也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時間專注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說是因為中國讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準備》。
西方現(xiàn)代管理制度強調的是因事用人，而因人設事最為忌諱。事實上，英特爾自創(chuàng)始以來，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
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英特爾 CPU 存儲器 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉變，將影響存儲器產業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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Samsung DRAM NAND
- 臺灣創(chuàng)新內存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經濟部”，與新任“經濟部”長施顏祥見面，爭取TMC營運資金。據(jù)了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺幣，下同)，由于金額遠低于官方與業(yè)界原預期，一般認為TMC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營運。
DRAM現(xiàn)貨價直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉盈之際，TMC仍然積極運作。施顏祥先前擔任經濟部常務次長時，便負責協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動密切。這是施顏祥就任“
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TMC DRAM
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