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三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
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LED市場持續(xù)火熱 臺資加速布局大陸設廠
- 隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。 如果細分近期有意向至大陸設廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴大產(chǎn)能需要，在大陸投資設廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。 三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。 存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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供給有限、需求強勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
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三星美光反對擴大DRAM產(chǎn)能
- 近期內(nèi)存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應該一味擴大產(chǎn)能惡性競爭而重新導致DRAM內(nèi)存暴跌。 韓國三星半導體業(yè)務總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應該盲目擴大產(chǎn)能，而應當把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。
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英飛凌對爾必達提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查
- 據(jù)外電報道，美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產(chǎn)品。 被調(diào)查的企業(yè)名單 USITC表示，將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條，對下列廠商展開調(diào)查，包括日商爾必
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芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價格并未跟進調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場需求強勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn) DRAM廠：高手過招戲碼
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。 權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導體市場及
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DRAM好 3年LED電視滲透率升
- 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，會場聚焦DRAM、手機和LED產(chǎn)業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂觀看法，包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，今天會議部份正式展開，并邀請到意法半導體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國大陸山寨手機市場。他指出，中國手機市場有8成是山寨手機，所以聯(lián)發(fā)科市場廣大。 今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
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IC Insight大幅提高2010年全球半導體增長預測達27%
- 市場調(diào)研公司IC Insight調(diào)整2010年全球半導體銷售額的預測, 估計增長27%,達2530億美元。 并同時預測2011年半導體銷售額再增長15%,達2900億美元。 按IC Insight的最新說法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達到近期單年的最高增長值。 按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時預測2009年全球半導體下降9%,及2010年增長15%的預測, 此次又作了新的調(diào)整。 推動今年半導體增長的主要動力來自全球DRAM產(chǎn)業(yè), 由于其
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力晶將今年資本支出目標定為新臺幣110億元
- 力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標定為新臺幣110億元。 譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級到40納米技術(shù)。 今年1月初，力晶半導體曾表示，將于2010年下半年開始對40納米制程進行測試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒有融資計劃。他稱，力晶半導體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
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