- 驗證結果表明2月需求環(huán)比增長10%，而價格近持平
調查發(fā)現(xiàn)中國藍寶石需求連續(xù)第三個月攀升、升至300萬TIE，其中手機藍寶石需求環(huán)比增長70%至約130萬TIE，LED藍寶石需求環(huán)比持平于170萬TIE(經春節(jié)因素調整后)。瑞銀證券的驗證結果表明，藍寶石均價環(huán)比上漲5%(TIE計)至16美元/TIE，此前在1月環(huán)比上漲了18%。
中國MOCVD設備出貨量仍遲滯;預計2014年2季度將顯著回暖
估算2014年3月至中國的MOCVD設備出貨量季度環(huán)比持平于23臺。但是，三安光
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藍寶石 MOCVD
- 我國政府09年開始補貼LED照明產業(yè)，造成行業(yè)出現(xiàn)井噴式發(fā)展。但由于當時欠缺制造相關晶片的技術，要從外國引進有機金屬化學氣相沉積設備(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, 即MOCVD)，造就兩大國際巨頭美國Veeco及德國Aix-tron壟斷內地MOCVD設備九成以上的市場份額。
有LED業(yè)界直言：補貼很大部分被美國人和德國人拿走了，并指情況不利行業(yè)整體發(fā)展。事實上，MOCVD設備占LED外延芯片成本四至五成，對LED上游產業(yè)來說負擔可謂不輕。國內同
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LED MOCVD
- 德國MOCVD設備供應商Aixtron SE 25日公布2013年第4季財報：營收年減34%至5,110萬歐元;本業(yè)營益(EBIT)自-1,930萬歐元提升至-1,260萬歐元;每股虧損0.13歐元;設備接單金額年增5%至3,710萬歐元。
Aixtron 2013年營收年減20%至1.829億歐元;EBIT自-1.323億歐元提升至-9,570萬歐元;設備接單金額年增1%至1.332億歐元。
Aixtron指出，臺灣、南韓LED晶片生產商的產能利用率雖呈現(xiàn)大幅上揚，但去年全年生產
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MOCVD LED
- 大陸官方補貼LED設備的政策，造成2011年全球年增千臺MOCVD設備，成為產業(yè)崩盤的源頭，直到現(xiàn)在都還處于產能消化階段，不過新一輪補貼政策捎來好消息，億光董事長葉寅夫表示，新一輪補貼政策舍上游業(yè)者轉向終端消費者，這是產業(yè)公平競爭的開始。
事實上從去年開始大陸的補貼政策已經轉向，只是舊有的補貼額度也在消化之中，形成雙軌的情況，葉寅夫指出，大陸在LED、太陽能的補貼政策中付出慘痛代價，新一輪補貼政策舍棄上游工廠，轉向終端消費者，商業(yè)用戶補貼30%，一般用戶則補貼50%，工廠少了補貼的保護傘，是產業(yè)
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LED MOCVD
- 2014年被視為LED產業(yè)轉型年，LED供需有機會在2014年底至2015年間出現(xiàn)黃金交叉，在MOCVD(化學氣相沉積設備)市占率高達60%的Veeco預測，LED燈泡價格將在2015年下探6美元，是引爆住宅照明的價格甜蜜點，且在照明市場起飛之下，將可望消化數(shù)千臺MOCVD產能。
MOCVD設備廠Veeco全球行銷資深總監(jiān)JefferyPina對2014年的LED產業(yè)審慎樂觀，他指出，從2011年開始大陸啟動背光源的LED補貼政策，導致產能供過于求，但以今年來看，大陸補貼高峰已過，估計201
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MOCVD LED
- MOCVD作為外延芯片制造的關鍵核心設備，不僅僅用于LED，對包括PV、電動汽車、通訊(包括無線通訊和光纖通訊)、光伏等高科技領域，MOCVD都是必不可少的核心設備。
而在LED產業(yè)，MOCVD設備成本近乎占據(jù)了整個芯片成本的近40%-50%左右。近幾年以來，國內LED領域MOCVD設備進口額超過了15億美元，折合人民幣近百億元。而這其中，維易科和愛思強則瘋狂占據(jù)了近乎全部的市場份額。
國內LED產業(yè)投資尤其是上游外延芯片領域的瘋狂擴展起始于2009年。當年4月，科技部在全國21個
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MOCVD LED
- “供過于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下，正孕育著新一輪的市場變革。
國內企業(yè)希望能夠用1~2年的時間，讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%，發(fā)光亮度達到200lm以上。
國產LED芯片滲透率提高
國內芯片廠商在市場上憑借較高的性價比一步步提升了封裝廠對國產芯片的接受度。
從2009年起，受國內各地方政府政策強勁支持以及巨大的顯示、背光和照明市場的推動，中國LED
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LED芯片 MOCVD
- 29日下午，中央政治局委員、上海市委書記韓正視察中微半導體設備(上海)有限公司，市委常委、浦東新區(qū)區(qū)委書記沈曉明，市委常委、市委秘書長尹弘，副市長周波，市委副秘書長、研究室主任張道根，市委副秘書長王為人，市政府副秘書長徐逸波等領導陪同視察。
在聽取了公司董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯有關產品研發(fā)設計、產品生產銷售以及未來發(fā)展前景等情況介紹，并實地參觀了設備生產及產品研發(fā)潔凈室后，韓正同志指出，半導體智能裝備及技術是國家產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略的重點領域，支持高端智能制造業(yè)發(fā)展，也是上海轉型發(fā)展的重要舉措，中微公司
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中微半導體 MOCVD
- 作為全省最大的LED產業(yè)基地，去年郴州市的LED產業(yè)產值為16億元，而在今年上半年這個數(shù)字就達到了10億元，同比增長30%。10月9日，市委副書記、市長瞿海來到郴州高新技術產業(yè)園區(qū)，專題調研郴州市LED產業(yè)發(fā)展情況。瞿海指出，LED產業(yè)是郴州市產業(yè)轉型發(fā)展的標桿，要抓住機遇，加快發(fā)展，努力打造全國一流的LED產業(yè)基地和千億產業(yè)集群。
瞿海先后來到華磊光電、飛利浦照明、長奇新能源、華卓光電等企業(yè)，詳細了解郴州市LED產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的問題以及未來LED產業(yè)發(fā)展的方向。
目前，華磊光電擁有3
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LED MOCVD
- LED產業(yè)外延芯片制造行業(yè)的同行，對愛思強(AIXTRON)和維易科(VEECO)兩家MOCVD設備制造商是“愛恨交織”。
愛思強和維易科生產的設備，在外延芯片制造過程中不可或缺。也因此，這兩家分別來自德國、美國的供應商長期把持了MOCVD產業(yè)90%以上的份額。
另外，由于國內地方政府2009年起實行MOCVD設備采購的高額補貼，令補貼政策的真正受益者不僅是國內LED企業(yè)，更推動了愛思強和維易科收益的大漲。
近2年來，中國企業(yè)也不斷在MOCVD設備制造領域中求
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MOCVD LED
- LED產業(yè)外延芯片制造行業(yè)的同行，對愛思強(AIXTRON)和維易科(VEECO)兩家MOCVD設備制造商是“愛恨交織”。
愛思強和維易科生產的設備，在外延芯片制造過程中不可或缺。也因此，這兩家分別來自德國、美國的供應商長期把持了MOCVD產業(yè)90%以上的份額。
另外，由于國內地方政府2009年起實行MOCVD設備采購的高額補貼，令補貼政策的真正受益者不僅是國內LED企業(yè)，更推動了愛思強和維易科收益的大漲。
近2年來，中國企業(yè)也不斷在MOCVD設備制造領域中求
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LED芯片 MOCVD
- LED產業(yè)何時能擺脫供過于求態(tài)勢備受市場關注，中國LED芯片廠2014年新增MOCVD機臺數(shù)量的成長力道可能將再起，再度為LED產業(yè)供需帶來壓力，包括中國LED芯片大廠三安與垂直整合廠德豪潤達皆有擴產的計劃，而國星光電也預計將投入人民幣逾6億元加碼LED芯片二期項目。
外資高盛證券預估，2014年中國的MOCVD市場相對具成長潛力，受到一般照明需求的增溫，加上仍有一些當?shù)卣蠱OCVD機臺補助款，同時已有中國廠商在考量增加產能下進行增資，高盛證券進而上修2014年中國MOCVD新增臺數(shù)預測，預
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MOCVD LED
- 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 據(jù)悉，晶電尚未敲定2014年資本支出，不過為因應往年旺季產能滿載情況，明年新增的MOCVD機臺，將至少是10～15臺起跳，且至少是4寸以上的機臺，目前月產能為120萬片～150萬片，產能規(guī)模將持續(xù)攀高，MOCVD機臺總數(shù)將突破300臺。
晶電今年資本支出約30億(新臺幣，下同)，新增機臺以大陸為主，估新增10臺MOCVD，以2寸晶圓換算，晶電月產能規(guī)模已達120萬片～150萬片，產值囊括臺灣47%占比，晶電明年在臺灣會持續(xù)增購新機臺。
晶電每逢周三召開業(yè)務會議，根據(jù)客戶的狀況，晶電認為第4
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晶電 MOCVD
- 這一季臺灣LED芯片廠稼動率緩步回升，大陸的MOCVD稼動率也迎頭追上，根據(jù)LEDinside預估，大陸LED廠三安、德豪潤達的稼動率已經達歷史高點，分別落在87%、59%，不過由于設備過度投資，預估在2015年之前，大陸LED芯片市場將持續(xù)供過于求。
三安、德豪潤達是大陸第一大與第二大LED廠，兩家公司相繼跨海來臺尋求策略合作對象，不過LEDinside認為，中國大陸外延芯片設備投入嚴重過剩，以及地方政府的政策支持，預估2015年之前大陸LED芯片都將呈現(xiàn)供過于求狀態(tài)，除了三安光電、德豪潤達之
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LED MOCVD
mocvd 介紹
MOCVD
MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體 [
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