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高亮度LED初具產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) 仍需政策助力

　從上世紀高亮度LED(發(fā)紅、橙、黃光的四元系產(chǎn)品和發(fā)藍、綠、紫光的GaN基產(chǎn)品)問世以來，經(jīng)過十幾年的努力，高亮度LED已經(jīng)進入功能性照明領(lǐng)域，并將逐步進入普通照明領(lǐng)域，目前已形成較完善的產(chǎn)業(yè)鏈，備受世界各國及國際大公司的重視。我國也緊跟世界前沿技術(shù)，加快研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，已經(jīng)具備了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。　中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會秘書長彭萬華 &nb
關(guān)鍵字： LED 器件封裝半導(dǎo)體照明 MOCVD

面板與半導(dǎo)體大廠跨進LED產(chǎn)業(yè)

　　LED產(chǎn)業(yè)2008年將大幅新增90~100臺MOCVD機臺，引發(fā)業(yè)界擔憂產(chǎn)能過剩疑慮，加上奇美電子、友達、臺積電等陸續(xù)跨入LED產(chǎn)業(yè)，將加速產(chǎn)業(yè)競爭，不過LED晶粒龍頭廠晶電董事長李秉杰認為，盡管不少大廠跨界加入LED生產(chǎn)，但初期產(chǎn)量有限，未必具有競爭優(yōu)勢，預(yù)估發(fā)揮實質(zhì)影響的時間點將落在2010年，而決定LED競爭戰(zhàn)場的關(guān)鍵就是電視背光源市場是否順利起飛。　　現(xiàn)有LED業(yè)者即將面對半導(dǎo)體,面板等大廠環(huán)繞，李秉杰表示，目前LED廠商的良率多半提升至8成，即使新進者挾帶雄厚資源，在生產(chǎn)成本上未必能獲得
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我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)半導(dǎo)體照明關(guān)鍵設(shè)備問世

　　近日，由青島杰生電氣有限公司承擔的國家"863"半導(dǎo)體照明工程重點項目"氮化鎵-MOCVD深紫外LED 材料生長設(shè)備"制造取得重大突破，研制成功我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、能夠同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備。　　據(jù)悉，該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功
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中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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紅光LED：創(chuàng)造新的經(jīng)濟增長點

　　未來很“光明” 　　“我們應(yīng)該算是非常幸運的，選擇了一個具有無限‘光明’前景的職業(yè)?！鄙綎|華光光電子有限公司管芯部主任夏偉博士說，“光電子技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一，是繼微電子技術(shù)之后迅猛發(fā)展的又一高新技術(shù)，具有強大的生命力和潛力?！? 　　近年來，全球性的能源短缺和環(huán)境污染問題日益突出，全世界各個國家都迫切希望應(yīng)用節(jié)能環(huán)保的新技術(shù)。半導(dǎo)體照明作為新型高效固態(tài)光源將成為人類照明史上繼白熾燈，熒光燈之后的又一次飛躍，引發(fā)第三次照明革命。業(yè)內(nèi)普遍認為，如同晶體管替代電子管一樣，半導(dǎo)體燈替代傳統(tǒng)的白熾
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mocvd介紹

MOCVD 　　MOCVD是金屬有機化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù).它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體 [ 查看詳細 ]

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