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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet

          貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

          • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后,貿澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產品,包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝,與傳統(tǒng)晶圓工藝相比,該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
          • 關鍵字: MOSFET  

          英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應用的快速開關

          • 近日,英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產品,該模塊采用有源鉗位三電平(ANPC)拓撲結構,并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)(ESS)這樣的快速開關應用,還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效,并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)(cos φ)范
          • 關鍵字: MOSFET  

          Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證

          • 空間應用電源需要在抗輻射技術環(huán)境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件,包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
          • 關鍵字: MOSFET  LET  IC  MCU  

          安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

          • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor),近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊,進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產品系列。隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施,以提供一個快速充電站網絡,使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
          • 關鍵字: MOSFET  

          三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產品

          • 英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式:RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中,采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關控制相比,能讓產品應用更安靜平穩(wěn)地運轉,同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱,采用英飛凌多款電源解決方案:EiceDRIVER、CoolSET Gen 5,以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
          • 關鍵字: 三星  MOSFET  英飛凌  

          東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦(“光伏耦合器”)---“TLP3910”,適用于驅動高壓功率MOSFET的柵極,這類MOSFET用于實現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器(SSR)[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器,它適用于對大電流執(zhí)行開/關控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學器件但不具有用于執(zhí)行開關功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時,通過將光伏耦合器與MOSFET結合使用,便
          • 關鍵字: MOSFET  SSR  

          Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產品市場經理Neil M
          • 關鍵字: Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

          電子工程師必備!40個模擬電路小常識

          • 隨著半導體技術和工藝的飛速發(fā)展,電子設備得到了廣泛應用,而作為一名電力工程師,模擬電路是一門很基礎的課,對于學生來說,獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學習電子技術打下基礎。1. 電接口設計中,反射衰減通常在高頻情況下變差,這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關,這種情況下,盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管,由于特殊的內部結構特點,適用反向擊穿的工作狀態(tài),只要限制電流的大小,這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
          • 關鍵字: 模電  三極管  MOSFET  

          晶體管分類有哪些?收藏這一張圖就夠了!

          • 本文來自公眾號:8號線攻城獅,主要介紹了晶體管分類,并以NPN BJT為例,分析了晶體管的參數(shù)和特性。
          • 關鍵字: 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

          IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

          • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管),但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制,或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值,達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片,NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異,用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當,可確保模塊正確降額,并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點,采用模擬電路仿真的方法說明功率模
          • 關鍵字: IGBT  MOSFET  

          集中供電電源的設計與實現(xiàn)*

          • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應具備不間斷供電的特性,能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路,以STM8S003F3P作為電源的控制單片機,使用繼電器控制電路實現(xiàn)主備電無縫切換,使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理,最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明:設計的集中供電電源輸出性能指標較高,且能夠實現(xiàn)不間斷供電及電池充電功能,滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
          • 關鍵字: 集中供電電源  半橋拓撲  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

          通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術降低電源中的EMI

          • 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高,降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統(tǒng)設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術中普遍使用的電路之一,在大多數(shù)應用中,該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的,因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產生大量 EMI,進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)
          • 關鍵字: MOSFET  

          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
          • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

          安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng)新,助力工業(yè)自動化升級

          • 工業(yè)自動化簡單說來指從人力制造轉向機器人制造,涉及信息物理系統(tǒng)(CPS)、物聯(lián)網(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術,可實現(xiàn)經濟增長和利潤最大化,提高生產效率,并避免人力在執(zhí)行某些任務時的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動化提供全面的高能效創(chuàng)新的半導體方案。其中,機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無刷直流電機(BLDC)控制器實現(xiàn)BLDC電機控制,如高
          • 關鍵字: MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  

          功率半導體-馬達變頻器內的關鍵組件

          • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動工業(yè)應用中的馬達,而全球工業(yè)產業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
          • 關鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  
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          mosfet 介紹

            金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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