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意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能，還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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全新英飛凌功率MOSFET系列使電動(dòng)工具更緊湊耐用

　　DIY工具，比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅(jiān)固。英飛凌科技股份公司擴(kuò)展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列，推出同時(shí)滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機(jī)驅(qū)動(dòng)，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅(jiān)固耐用，幫助延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。　　經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動(dòng)工具的能效。這次邏輯電
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e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費(fèi)電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

　　e絡(luò)盟日前宣布新增多款來自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費(fèi)電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計(jì)算及汽車電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。　　e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡(luò)盟擁有來自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列，可充分滿足廣大用戶對(duì)最新技術(shù)的需求，幫助他們進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過e絡(luò)盟升級(jí)版網(wǎng)站，更加快捷地查看
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Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時(shí)，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。　　Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說：“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
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專利設(shè)計(jì)發(fā)功　ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。　　羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長(zhǎng)伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。　　羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)支援部課長(zhǎng)蘇建榮表示，相對(duì)于Si-IGBT，SiC
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高頻開關(guān)電源原理

　　導(dǎo)讀：本文主要介紹的是高頻開關(guān)電源的原理，感興趣的盆友們快來學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢(shì)的哦~~~ 1.高頻開關(guān)電源原理--簡(jiǎn)介　　高頻開關(guān)電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關(guān)變換器以及開關(guān)型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。 2.高頻開關(guān)電源原
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET 高頻開關(guān)電源原理

一款專為SiC Mosfet設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長(zhǎng)新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢(shì)。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計(jì)，SiC Mosfet現(xiàn)有市場(chǎng)容量為9000萬美元，估計(jì)在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(zhǎng)39%。由此可預(yù)見，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對(duì)比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢(shì)：　　i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。　　降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計(jì)靈活性，
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大具有寬間距、以小尺寸實(shí)現(xiàn)大電流承載能力的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）系列

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出3個(gè)采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進(jìn)一步擴(kuò)大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實(shí)現(xiàn)大電流承載能力。　　與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器及D
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鋰離子電池組監(jiān)控系統(tǒng)研究與實(shí)現(xiàn) — 鋰電池組管理系統(tǒng)測(cè)試及結(jié)論

　　本系統(tǒng)的電路板已經(jīng)設(shè)計(jì)成功并投入實(shí)際測(cè)試，系統(tǒng)電路板如圖7.1所示。　　　　對(duì)鋰電池組管理系統(tǒng)的測(cè)試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測(cè)、過充和過放電保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、溫度保護(hù)功能等內(nèi)容。　　7.1電壓采集功能測(cè)試　　測(cè)試電壓采集功能時(shí)，首先按圖7.2所示方法連接系統(tǒng)。　　　　將鋰電池組、保護(hù)器和上位機(jī)連接好后，用4位半高精度萬用表對(duì)所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產(chǎn)生)進(jìn)行測(cè)量，并觀察上位機(jī)應(yīng)用程序顯示的數(shù)據(jù)，進(jìn)行比較和記錄。
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基于DSP的雙電動(dòng)機(jī)同步控制平臺(tái)設(shè)計(jì)

　　引言　　長(zhǎng)期以來，電動(dòng)機(jī)作為機(jī)械能和電能的轉(zhuǎn)換裝置，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。無刷直流電動(dòng)機(jī)綜合了直流電動(dòng)機(jī)和交流電動(dòng)機(jī)的優(yōu)點(diǎn)，既具有交流電動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行可靠、維護(hù)方便的特點(diǎn)，又具有直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)行效率高、調(diào)速性能好的優(yōu)點(diǎn)。正是這些優(yōu)點(diǎn)使得無刷直流電動(dòng)機(jī)在當(dāng)今國(guó)民經(jīng)濟(jì)的很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。無刷直流電動(dòng)機(jī)采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測(cè)到的位置信號(hào)，通過DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，實(shí)現(xiàn)無刷直流電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)轉(zhuǎn)。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)產(chǎn)品性能的
關(guān)鍵字： DSP MOSFET

高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

　　1 MIL-STD-1275D 的要求　　MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動(dòng)干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對(duì) 3 種獨(dú)立的“工作模式”制定了對(duì)上述每一種情況的要求：?jiǎn)?dòng)模式、正常運(yùn)行模式和僅發(fā)動(dòng)機(jī)模式。　　在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細(xì)節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動(dòng)模式”描述的是引擎啟動(dòng)時(shí)發(fā)生的情況;“正常運(yùn)行模式”描述的
關(guān)鍵字：凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波

COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺(tái)提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

　　目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導(dǎo)技術(shù)，用來為電動(dòng)汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢(shì)會(huì)繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)?，F(xiàn)在，總負(fù)載已經(jīng)輕松達(dá)到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復(fù)雜的安全特性，如電子駐車制動(dòng)器(EPB)，防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結(jié)構(gòu)……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴(yán)格的整體要求主要在于促進(jìn)降低油耗，混合和電動(dòng)汽車迅速增長(zhǎng)
關(guān)鍵字： COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片

BCM硬件設(shè)計(jì)的平臺(tái)化和半導(dǎo)體化(下)

　　接上篇　　4 設(shè)計(jì)趨勢(shì) 　　目前BCM設(shè)計(jì)技術(shù)日新月異，主要的趨勢(shì)是平臺(tái)化靈活性更高，集成度更高和分布式設(shè)計(jì)者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設(shè)計(jì)中將會(huì)得到更多的體現(xiàn)。　　4.1 集成度和靈活性　　隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設(shè)計(jì)的趨勢(shì)是平臺(tái)化和高集成度化兩個(gè)趨勢(shì)。平臺(tái)化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。主要通過器件的兼容性來實(shí)現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個(gè)
關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負(fù)載 MOSFET SPI