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英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術可使系統(tǒng)設計的導通損耗降低一半。　　對于應用二極管整流的48V開關電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
關鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS

TI 推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
關鍵字： TI MOSFET

晶圓廠產能不足　MOSFET供貨警報響

　　臺晶圓代工廠產能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻。　　臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內部產能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
關鍵字：晶圓代工電源管理 MOSFET

TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
關鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內
關鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET

Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
關鍵字： Vishay MOSFET SiM400

英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。　　通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。　　作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
關鍵字：英飛凌 MOSFET IGBT

MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用

　下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路?！≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電
關鍵字： MOSFET 應用原理電路驅動

IGBT核心技術及人才缺失工藝技術缺乏

　　新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
關鍵字：器件 IGBT 封裝測試 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
關鍵字： MOSFET 噪聲測試方法研究

安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC

　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關應用。　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。　　安森美半導體汽車
關鍵字：安森美 MOSFET 驅動IC

利用低端柵極驅動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)

利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據額定電流和功能來選擇適當?shù)尿寗悠鳎寗悠髦車枰男┭a償元件，以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。
關鍵字： Fairchild 轉換器 MOSFET 開關電源柵極驅動器 200912

D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用

O 引言
隨著微電子技術的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態(tài)，從而提高整機效
關鍵字：應用功放射頻發(fā)射機 MOSFT MOSFET 開關特性射頻功放調幅發(fā)射機

能效需求催生功率器件應用熱潮

　　市場需求逐步恢復　　● 能效需求催生功率器件應用熱潮　　● 擴內需政策為企業(yè)提供增長空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內容，許多企業(yè)開始關注功率產品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產品
關鍵字：功率器件 MOSFET

針對應用選擇正確的MOSFET驅動器

現(xiàn)有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
關鍵字： MOSFET 選擇正確驅動器

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