mosfet-90n10 文章 進入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當認識到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
- 關(guān)鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 安森美半導(dǎo)體汽車
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 驅(qū)動IC
利用低端柵極驅(qū)動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)
- 利用低端柵極驅(qū)動器IC可以簡化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當?shù)尿?qū)動器，驅(qū)動器周圍需要哪些補償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計時要注意的方面。
- 關(guān)鍵字： Fairchild 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 開關(guān)電源 柵極驅(qū)動器 200912
D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用
- O 引言
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關(guān)特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機效 - 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 功放 射頻 發(fā)射機 MOSFT MOSFET 開關(guān)特性 射頻功放 調(diào)幅發(fā)射機
能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮
- 市場需求逐步恢復(fù) ● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮 ● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間 陳坤和 從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 功率器件 MOSFET
Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關(guān)位置的嚴格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
功率半導(dǎo)體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉(zhuǎn)換器
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗
mosfet-90n10介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-90n10!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-90n10的理解，并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-90n10的理解，并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
mosfet-90n10相關(guān)帖子
mosfet-90n10資料下載
mosfet-90n10專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473