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n型半導(dǎo)體
n型半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入n型半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
我國(guó)已成功地實(shí)現(xiàn)了太陽(yáng)能冶煉高純硅
- 據(jù)2009年《中國(guó)物理快報(bào)》刊登的《Silicon Purification by a New Type of Solar Furnace》一文報(bào)導(dǎo):由陳應(yīng)天教授等人所發(fā)明太陽(yáng)能煉硅的新技術(shù),已宣告成功。 太陽(yáng)能級(jí)高純硅,SoG Silicon(注:硅純度至少要達(dá)到6個(gè)9,或雜質(zhì)含量不得高于百萬(wàn)分之一,PPM量級(jí)),是當(dāng)前光伏產(chǎn)業(yè)最廣泛應(yīng)用的原材料。通常由西門(mén)子法生產(chǎn),但耗能過(guò)多,污染嚴(yán)重。有不少學(xué)者建議用直接純化的冶金法取代西門(mén)子法,實(shí)際上仍嚴(yán)重耗能,僅達(dá)5個(gè)9的純度。有文獻(xiàn)倡議用太陽(yáng)能冶煉高
- 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能 光伏 西門(mén)子法 n型半導(dǎo)體
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n型半導(dǎo)體介紹
N型半導(dǎo)體
也稱(chēng)為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供,空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。
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