nand 文章 進入nand 技術社區(qū)
存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經結束 ？
- 據(jù)IDC預測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
引領存儲新架構 構建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來
- 近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構，構建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
- 關鍵字： QLC NAND 內存
中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產
- 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
- 關鍵字： 3D NAND
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產及日韓貿易戰(zhàn)導致存儲器價格將反轉契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術競爭更是暗潮洶涌。
- 關鍵字： 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經連續(xù)三個季度快速下滑，下游
- 關鍵字： 日韓貿易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關鍵字： ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
NAND價格走跌，2019年PCIe SSD市場發(fā)展?jié)摿薮?/a>
- Admin 固態(tài)硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降，預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達到同等水平?！ ?jù)報道，固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率，以包含在PC中?！ 「鶕?jù)該報告，最引人注目的是，512 GB固態(tài)硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配，預計到2019年剩余時間內固態(tài)硬盤的價格將從512 GB降
- 關鍵字： NAND SSD
東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市
- 根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！ ?jù)介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產?！ ?jù)報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
- 關鍵字： 東芝 西數(shù) NAND
nand 介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
nand 相關帖子
nand 資料下載
nand 專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473