nand 文章 進入nand 技術(shù)社區(qū)
SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析
- 在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過
大陸存儲器需求進展超預期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣
- 日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。 東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。 平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
中國半導體市場暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預估
- 根據(jù)彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調(diào) 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 根據(jù)報導，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調(diào)了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。
- 關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復解讀。 那么，在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠商 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
nand 介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
nand 相關(guān)帖子
nand 資料下載
nand 專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473