- 2012年半導體產業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預計2013年全球半導體產業(yè)營業(yè)收入增長6.4%，達到3223.0億美元。在經歷了極其艱難的2012年之后，預計今年半導體產業(yè)將溫和增長，智能終端、電視與計算等關鍵消費電子產品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。
智能終端
2012年半導體產業(yè)營業(yè)收入的下降，緣于消費者在電子產品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導體產業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產品的采購量低迷。令
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DRAM NAND
- 全球半導體領域在的宏觀經濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經濟成長逐漸獲得改善之際，領域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內半導體領域的消極看法。
考慮到在全球經濟不明朗，對電子產品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內業(yè)者的業(yè)績表現。無論如何，在預計下半年經濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內半導體業(yè)者或將隨著趨勢上演反
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半導體設備 NAND
- 閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。
不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅動
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鎂光 NAND
- 根據信息與數據分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數據報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內持續(xù)增長。
具體可參見下表。
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“閃 存具備高密度內存，大容量傳輸的性能。在2012年，蘋果iPhone是NAND的
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閃存 NAND
- 據IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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蘋果 閃存 NAND
- NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言
NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數碼相機、手機、個人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
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控制 設計 讀寫 設備 Flash 內存 NAND
- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０ 引 言
現階段嵌入式產品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機上在各類電子產品中被越來越多的應用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產品中的應用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機中，與ＰＣ機上通用Ｗｉｎｄｏ
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模擬 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產;大分工廠今年元旦假期期間的停工天數則將自去年的6天減半至3天。
東芝姬路半導體工廠主要生產馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。
東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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Toshiba FlashMemory NAND
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市調機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，雖然系統(tǒng)產品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產線短暫跳電，但相關NAND Flash的營運沒有受到影響，現貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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SK NAND Flash 手機
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。
遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數據。
不過還是有個變通方法
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三星 閃存 TLC NAND
- 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
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賽普拉斯 NAND SRAM
- 在nand flash上實現JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應用最廣的一個日志結構文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機制，不需要馬上對擦寫越界的塊進行擦寫，而只需要將其設置一個標志，標明為臟塊，當可用的塊數不足時，垃圾回收機制才開始回收這些節(jié)點。同時，由
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文件文件 系統(tǒng) JFFS2 實現 flash nand
- 下代移動設備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
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三星 NAND
nand 介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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