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為什么存儲器是產業(yè)的風向標
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產以及應用市場面寬,使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。 在全球硅片尺寸轉移中,存儲器也是走在前列,如
- 關鍵字: 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
重塑產業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機構,如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經驗值),如半導體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設備材
- 關鍵字: IC NAND DRAM
威剛陳立白:今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)
- 存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單,董事長陳立白表示,2010年的DRAM產業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài),只要價格維持平穩(wěn),預計對于模塊產業(yè)絕對是好事,往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會見到淡季不淡,也不見五窮六絕;而NAND Flash產業(yè)價格則預計會起起伏伏,整體而言,DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產業(yè)。 威剛2009年進行高層人士調整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經理一職,與原有的總經理
- 關鍵字: 威剛 存儲器 NAND
韓結束3年反壟斷調查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產業(yè)的反壟斷調查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機記憶芯片產業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進行調查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關鍵字: 海力士 NAND DRAM
韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導,韓國公平貿易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù),將結束為期將近3年的調查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業(yè)是否存在操控價格的不法行為,并調查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。 存儲器產業(yè)近年來遭數(shù)個國家調查是否存在柯斷,近期
- 關鍵字: Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
nand 介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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