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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

          •   就在啟動32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個月后,三星確認目前已經(jīng)啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  20納米  

          NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)

          •   全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下,9月下旬合約價續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線,若價格再跌,恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損,接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求,帶動NAND Flash價格止跌。   模塊廠表示,近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深,通路商補貨意愿不高,但在NAND Flas
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          日元走強 東芝稱仍有望實現(xiàn)芯片業(yè)務(wù)獲利

          •   日本最大的芯片制造商——東芝周一表示,盡管日圓走強,但該公司有望實現(xiàn)其在截至明年3月的會計年度,芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤達到12億美元的預(yù)估,因新的電子設(shè)備熱銷,提高了芯片需求。   東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示,因低質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)過多,最近NAND芯片現(xiàn)貨價格下降,但這對東芝的影響極小。   NAND閃存芯片需求一直強勁,因受到智能手機和蘋果的iPad等移動設(shè)備暢銷所助。   “整體需求強勁成長情況一直符合我們對2010會計年度的預(yù)期,而且我們預(yù)計中國國慶節(jié),黑色星期五
          • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  NAND  

          基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

          • 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

            FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

          2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

          •   由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高,下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修,然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下,下半年手機成長幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣,帶動了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。   蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣,預(yù)估2010年手機出貨量將較2009年成長13%,達到13億支的規(guī)模,而智能手機市場扮演重要
          • 關(guān)鍵字: 智能手機  NAND  

          2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%

          •   集邦科技表示,由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高,下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修,然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下,下半年手機成長幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱 賣,帶動了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。   蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱 賣,集邦科技預(yù)估,2010年手機出貨量將較2009年成長13%,達到13億支的
          • 關(guān)鍵字: NAND  智能手機  

          蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價格持續(xù)下滑

          •   臺灣媒體報道,來自存儲芯片制造商的消息稱,盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆,但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。   蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單,但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲,這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋果產(chǎn)品的熱銷往往會導(dǎo)致NAND閃存市場的供不應(yīng)求。   然而現(xiàn)實是,目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱,學(xué)生返校季和即將到來的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。   更有悲觀的
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, 目前,針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。  
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  YAFFS  應(yīng)用  嵌入式  文件  NAND  閃存  基于  

          Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億

          •   Gartner現(xiàn)在預(yù)計今年全球半導(dǎo)體營收將達到3000億美元,比去年增長31.5%。它之前預(yù)計今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導(dǎo)體營收的增長,而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。   Gartner表示,盡管個人電腦銷售速度減慢,但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%,幾乎達到420億美元,但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

          分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

          •   據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  Flash  

          NAND Flash跌價深 上游大廠開始對模塊廠讓步

          •   NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后,原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠,在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下,態(tài)度已開始松動,部分模塊廠開始回補一些庫存,不過,全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰,對于價格仍是相當(dāng)強硬,顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。   近期NAND Flash價格修正頗深,除了歐洲和美國市場需求不佳,尤其是返校需求完全是虛晃一招外,大陸
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  Flash  

          爾必達已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

          •   爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示,該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片,擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu),該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。   這家日本芯片制造商表示,該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片,該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示,這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場
          • 關(guān)鍵字: 爾必達  NAND  

          分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

          •   據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM   Flash  

          臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

          •   根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。   
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  Flash  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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