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          全球前15大半導(dǎo)體廠商排名:7家年增20%以上,中國大陸無一上榜

          •   8月20日,研究機構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單,三星位居第一位,英特爾位居第二位。不過遺憾的是,中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。  根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位,相較于去年同期,這幾家公司都有比較明顯的增長,特別是三星、SK海力士以及鎂光,分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里,英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼,相較于去年同期,英偉
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項知多少?

          • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了D
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計  FlaSh  DSP  

          IC Insights預(yù)測:全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切

          •   在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中,IC Insights預(yù)測,2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達到0.95,高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián),以及到2022年的最新預(yù)測?! ∪鐖D所示,在2010-2017年的時間段內(nèi),全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88,這是一個強勁的數(shù)字,因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

          •   NAND閃存價格2018年以來一直在降低,大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了,中高端機中64GB是起步,128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù),因為智能手機出貨量增長放緩,而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加,預(yù)計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%,不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及,未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?! 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報告,認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季,但是N
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

          • 如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
          • 關(guān)鍵字: 源代碼  RAM  FlaSh  

          詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式

          • 如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
          • 關(guān)鍵字: 工控  FlaSh  嵌入式  

          對STM32的flash進行操作的一些要點

          • 說到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLAS
          • 關(guān)鍵字: STM32  flash  

          中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

          •   今年下半年,隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段,中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖,但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?! 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張,以及中國監(jiān)管機構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構(gòu)的反壟斷調(diào)查,中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?! ∧壳埃袊鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?! 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能:SSD要繼續(xù)降價

          •   據(jù)韓國媒體報道稱,三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資,總計高達150億美元,這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到,三星如此投資,只是為了提高NAND產(chǎn)量,所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事。  全球NAND閃存市場份額中,三星排名第一,占有率達到37%,其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展,而此番投資NAND領(lǐng)域以擴大產(chǎn)能,也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。  有報道稱,東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能,今年底到明年
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

          •   近日,據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測,2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上,從2017年的220億美元增至2018年的310億美元,屬于近8年來的最大增幅。   其中,3D NAND的市場需求,成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系,可以使得每顆芯片的儲存容量增加,從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔,利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧,目前已成為NAND閃存廠商的
          • 關(guān)鍵字: NAND  CAPEX  

          美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

          •   美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)宣布,中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司,針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件,該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟,實為報復(fù)此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?! ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  DRAM  NAND   

          2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達1158億美元,無線通訊市場大幅下滑

          •   在2018年第一季度,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑,然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入,其中,來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁?! ‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加,在2018年第一季度,儲存類別增長率為1.7%,達到397億美元。事實上,對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而,也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降,IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
          • 關(guān)鍵字: 無線通訊  NAND  

          紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

          • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上,紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間,紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

          96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

          •   為實現(xiàn)更高儲存密度,NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加,單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代,展望2019年,三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性,控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案?! ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示,3D NAND Flash技術(shù)不斷推進,目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進一步提升儲存密度,NAND Flash供貨商正
          • 關(guān)鍵字: NAND,芯片  

          存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場?

          • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構(gòu)調(diào)查,最終結(jié)果究竟如何,人們拭目以待。
          • 關(guān)鍵字: 存儲  NAND  
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