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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

          2012年Flash首超DRAM DRAM前途將靠移動DRAM

          • 緣于智能手機、平板電腦等移動電子設備的繼續(xù)紅火走俏,除2010年以外,Flash和DRAM市場規(guī)模日趨接近,再加近2年PC風光不再,致使DRAM需求疲軟,降價聲急。
          • 關鍵字: DRAM  Flash  

          半導體領域"前淡后旺"

          •   全球半導體領域在的宏觀經濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年,近期在美國經濟成長逐漸獲得改善之際,領域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長,但依然不足以抵銷市場分析員對國內半導體領域的消極看法。   考慮到在全球經濟不明朗,對電子產品需求量帶來打擊下,市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內業(yè)者的業(yè)績表現。無論如何,在預計下半年經濟大環(huán)境獲得改善的情況下,國內半導體業(yè)者或將隨著趨勢上演反
          • 關鍵字: 半導體設備  NAND  

          鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

          •   閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。   TLC閃存每單元存儲3bit數據,它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。   不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場,例如SD和USB閃存驅動
          • 關鍵字: 鎂光  NAND  

          分析:iPhone助推2012年閃存產業(yè)發(fā)展

          •   根據信息與數據分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數據報告,雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛,但由于超級本銷售仍然低迷,使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年,閃存(NAND)產業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過,經過去年的低迷期,今年收益將有所增長,達到224億美元,并在接下來的幾年內持續(xù)增長。   具體可參見下表。    ?   “閃 存具備高密度內存,大容量傳輸的性能。在2012年,蘋果iPhone是NAND的
          • 關鍵字: 閃存  NAND  

          基于分塊管理和狀態(tài)轉換的嵌入式Flash管理

          • 1 引言嵌入式系統中通常都需要存放一些非易失性數據, 并且數據量的大小和數據類型根據不同的系統需求差異很大。因此選取合適的存儲器是完成數據存儲系統的第一步, 更重要的是使存儲系統長期穩(wěn)定、高效的工作, 這就必
          • 關鍵字: 管理  嵌入式  Flash  轉換  狀態(tài)  分塊  基于  

          2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

          • 據IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告,2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現騰飛,2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
          • 關鍵字: 蘋果  閃存  NAND  

          NAND Flash內存設備的讀寫控制設計

          • NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言

              NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性,在數碼相機、手機、個人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
          • 關鍵字: 控制  設計  讀寫  設備  Flash  內存  NAND  

          車窗控制系統的LIN2.1協議應用

          • 引言LIN協會于1999年發(fā)布了第一版LIN協議,至今已有十幾年了,在這十幾年中,LIN總線不斷發(fā)展,已經在以車身控制為...
          • 關鍵字: LIN2.1協議  定時器  Flash  

          基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

          • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,0 引 言
            現階段嵌入式產品作為U 盤掛載到PC機上在各類電子產品中被越來越多的應用,Linux操作系統在電子產品中的應用也越來越廣泛,但是Linux中模擬U盤掛載到PC機中,與PC機上通用Windo
          • 關鍵字: 模擬  分析  FLASH  NAND  ARM11  Linux  基于  

          嵌入式系統中Flash存儲管理策略

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: Flash  存儲管理策略  嵌入式系統  

          半導體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工

          •   日本媒體報導,全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布,因半導體需求回溫,故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示,于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產;大分工廠今年元旦假期期間的停工天數則將自去年的6天減半至3天。   東芝姬路半導體工廠主要生產馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產影像感測器及系統整合晶片(SystemLSI)。   東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
          • 關鍵字: Toshiba  FlashMemory  NAND  

          12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%

          • ?   市調機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查,雖然系統產品年底銷售旺季備貨高峰期已過,然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下,12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%,預估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。   集邦表示,SK海力士在12月11日遇到產線短暫跳電,但相關NAND Flash的營運沒有受到影響,現貨價格雖因此有微幅上漲,但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察,智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
          • 關鍵字: SK  NAND Flash  手機  

          提高MSP430G系列單片機的Flash擦寫壽命的方法

          • 摘要:在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒 ...
          • 關鍵字: MSP430G系列  單片機  Flash  擦寫壽命  

          提高MSP430G系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: MSP430G  單片機  Flash  EEPROM  德州儀器  

          提高 MSP430G 系列單片機的 Flash 擦寫壽命的方法

          • 在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據,MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數據,但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實際應用中,這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本
          • 關鍵字: 擦寫  壽命  方法  Flash  單片機  MSP430G  系列  提高  
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          nand-flash介紹

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