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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
華邦：NOR Flash市場缺口達20%
- 華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場供不應(yīng)求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調(diào)漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。 華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優(yōu)勢在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預(yù)計這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
- 關(guān)鍵字： 華邦 NOR Flash
基于M25P32 SPI Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn)
- 本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現(xiàn)方法，可以從更基礎(chǔ)的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實現(xiàn)帶來新的方法。
- 關(guān)鍵字： M25P32 Flash TFFS SPI
10個理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)
- 至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當大的增長。 但是作為一個編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。 1. IC熱，然后冷 Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達2900億美元， 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。 芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM NAND
存儲器市場高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。 同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。 三星在本月初時，它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達96億美元， 也即表示
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 半導(dǎo)體制造
Flash文件系統(tǒng)剖析
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 文件系統(tǒng) Flash JFFS2 平均讀寫
金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售
- 6月3日消息，據(jù)臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應(yīng)該會好。 孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實際預(yù)期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認為，目前全球的
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 智能手機
存儲器市場高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。 同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。 三星在本月初時，它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達96億美元， 也即表示
- 關(guān)鍵字： Hynix 存儲器 DRAM NAND
南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線
- 才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。 全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星 根據(jù)DIGITIMES
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
三星的行動讓業(yè)界生畏
- 三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預(yù)期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。 南亞科董事
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND 50納米
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