nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車窗防夾系統(tǒng)

　　汽車上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車窗或車門設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險(xiǎn)。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。　　由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達(dá)?；谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測(cè)算法已通過健壯性和容錯(cuò)性的驗(yàn)證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)描述。　　現(xiàn)代
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NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域借以擴(kuò)大市占率

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出，2008年起，除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī)，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售收入預(yù)期，不過對(duì)于整個(gè)市場(chǎng)形勢(shì)仍持樂觀態(tài)度。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評(píng)估數(shù)據(jù))增長(zhǎng)7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測(cè)的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。　　iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國(guó)經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響力自然會(huì)波及全球
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東芝推出首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存

　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級(jí)別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計(jì)算機(jī)。計(jì)劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國(guó)拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
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對(duì)MC68HC908內(nèi)Flash在線編程的一種方法

本文以MC68HC908QY4為例，詳細(xì)分析如何利用監(jiān)控ROM程序?qū)崿F(xiàn)對(duì)單片機(jī)片內(nèi)Flash的在線編程和應(yīng)用。
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基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
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DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。　　在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況。“這主要由于按容量計(jì)
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各類器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。　　ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
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內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律

　　很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營(yíng)銷活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)42億美元

　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長(zhǎng)37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤價(jià)格將下降筆記本很有優(yōu)勢(shì)

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價(jià)格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價(jià)格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
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三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺(tái)灣廠商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng)，許多分析人士認(rèn)為未來閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國(guó)際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴。　　一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu)，
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲(chǔ)，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
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供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。　　NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
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