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          大容量NANDFlash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

          • 1 引言

            隨著手機(jī)市場競爭的日趨激烈,多媒體手機(jī)逐漸成為市場的寵兒。因?yàn)橛写罅康亩嗝襟w數(shù)據(jù),因此大容量存儲是多媒體手機(jī)所要解決的首要問題。

            NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR的特點(diǎn)是
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  手機(jī)  多媒體  NANDFlash  大容量  

          NANDFlash買賣雙方協(xié)商 閃存芯片合約價(jià)下跌達(dá)30%

          •   歷經(jīng)過去2個(gè)月的不斷地交涉協(xié)商后,7月底時(shí)多數(shù)的NANDFlash買賣雙方業(yè)者,終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價(jià)格大致達(dá)成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季,再加上2Q季底效應(yīng)的影響,下游客戶多優(yōu)先忙于去化手頭的過剩庫存,故他們在此期間回補(bǔ)庫存的意愿也都不太高。
          • 關(guān)鍵字: NANDFlash  閃存芯片  

          基于PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

          •   隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大,閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性 ...
          • 關(guān)鍵字: PNX1501  NandFlash  在線燒錄  

          基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計(jì)

          • 基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動設(shè)計(jì),摘要:本文首先給出了NandFlash的硬件特點(diǎn),分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性,基于東南大學(xué)國家ASIC中心自主設(shè)計(jì)的嵌入式微處理器芯片SEP4020,給出了Linux下NandFlash驅(qū)動的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  設(shè)計(jì)  NandFlash  Linux  SEP4O20  基于  

          NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動開發(fā)

          • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
            隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性,復(fù)雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求,需要閃存設(shè)備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  開發(fā)  設(shè)計(jì)  接口  NorFLASH  NandFLASH  

          SSD有望成為新半導(dǎo)體需求市場

          •   隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續(xù)下滑,作為下一代存儲設(shè)備的SSD(SolidStateDrive,固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場需求。在2010年以后,SSD將會成為世界NANDFlash存儲市場中的主要品種,而各大存儲技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開始正式展開激烈的市場競爭。   市場規(guī)模將達(dá)100億美元   SSD是利用現(xiàn)有的DRAM和NANDFlash等存儲技術(shù)和控制器來制作的下一代存儲設(shè)備。與競爭產(chǎn)品HDD(硬盤驅(qū)動器)相比,SSD具有安全性高、功耗低、數(shù)據(jù)傳送速度快、無機(jī)械噪
          • 關(guān)鍵字: NANDFlash SSD  

          SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場

          •   為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐,2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件行業(yè)將出現(xiàn)新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù),挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的重任。   挑戰(zhàn)微細(xì)化納米技術(shù)   最近發(fā)表的ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)深入分析了今后15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向。   回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡,我們發(fā)現(xiàn),人們除了把目光聚集到High-k門極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外,還格外關(guān)注存儲器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
          • 關(guān)鍵字: NANDFlash  

          基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 文章詳細(xì)說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法,并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動的試驗(yàn)結(jié)果。
          • 關(guān)鍵字: Bootloader  Nandflash    

          基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

          • 隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大,閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 在線  系統(tǒng)  NandFlash  PNX1501  DSP  芯片  基于  
          共39條 3/3 « 1 2 3

          nandflash介紹

          NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在: 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁,頁 [ 查看詳細(xì) ]

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