nandflash 文章 進(jìn)入nandflash技術(shù)社區(qū)
SSD有望成為新半導(dǎo)體需求市場
- 隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續(xù)下滑,作為下一代存儲設(shè)備的SSD(SolidStateDrive,固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場需求。在2010年以后,SSD將會成為世界NANDFlash存儲市場中的主要品種,而各大存儲技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開始正式展開激烈的市場競爭。 市場規(guī)模將達(dá)100億美元 SSD是利用現(xiàn)有的DRAM和NANDFlash等存儲技術(shù)和控制器來制作的下一代存儲設(shè)備。與競爭產(chǎn)品HDD(硬盤驅(qū)動器)相比,SSD具有安全性高、功耗低、數(shù)據(jù)傳送速度快、無機(jī)械噪
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SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場
- 為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐,2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件行業(yè)將出現(xiàn)新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù),挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的重任。 挑戰(zhàn)微細(xì)化納米技術(shù) 最近發(fā)表的ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)深入分析了今后15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向。 回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡,我們發(fā)現(xiàn),人們除了把目光聚集到High-k門極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外,還格外關(guān)注存儲器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
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基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 文章詳細(xì)說明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法,并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動的試驗(yàn)結(jié)果。
- 關(guān)鍵字: Bootloader Nandflash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁,頁 [ 查看詳細(xì) ]
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