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歐盟批準(zhǔn)英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)
- 英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準(zhǔn)。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 這筆交易將有助于合并后的公司實現(xiàn)規(guī)模化運(yùn)營，解決閃存產(chǎn)品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。 根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)
- 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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Spansion在2006年手機(jī)閃存市場中占據(jù)領(lǐng)先地位
- iSuppli稱，手機(jī)市場銷量的強(qiáng)勁上揚(yáng)推動NOR閃存供應(yīng)商Spansion在2006年全球無線手機(jī)閃存市場中據(jù)于領(lǐng)先地位，并提升了其在全球閃存市場的排名。 2006年Spansion面向手機(jī)市場的NOR型閃存銷量增加到18億美元，較2005年的14億美元提高了35%。增長幅度是全球手機(jī)閃存市場增幅（2006年達(dá)到61億美元，較2005年的52億上升了16.4%）的兩倍以上。 2006年，Spansion的市場份額增加到29.9%，較2005年的25.8%有所上升。從而使Spansion在全球閃存市場排名
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義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品
- 因應(yīng)市場的需求，義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達(dá)40MIPS的八位單片機(jī)，在高速控制的應(yīng)用領(lǐng)域可以讓您使用時得心應(yīng)手，同時，可以廣泛的應(yīng)用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(biāo)(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動檢測(Motion detect)、USB audio、無線傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 義隆電子
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Spansion成立安全及高級技術(shù)事業(yè)部
- 北京，2007年8月2日-全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布任命行業(yè)經(jīng)驗豐富的Carla Golla為新成立的安全及高級技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁。Golla女士直接匯報給CEO辦公室，她負(fù)責(zé)推動Spansion安全存儲解決方案的制定和部署，包括公司的MirrorBit® HD-SIM™產(chǎn)品系列。此外，她還負(fù)責(zé)制定公司的高級技術(shù)戰(zhàn)略，利用與臺積電的合作，拓展MirrorBit在40nm及更先進(jìn)制程下的發(fā)展。 Spansion總
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預(yù)先驗證
- 北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi)，中國將成為推動新型手機(jī)發(fā)
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導(dǎo)方法*
- 摘要： 本文以實際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導(dǎo)的實現(xiàn)方法以及大程序的二次引導(dǎo)方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導(dǎo) 引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運(yùn)行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線編程等特點(diǎn)已成為DSP
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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營臺廠壓力倍增
- 相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案
- 全球領(lǐng)先的藍(lán)牙連接及無線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進(jìn)的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機(jī)。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍(lán)牙無線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。 藍(lán)牙耳機(jī)市場競爭日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
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如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中
- 如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲器空間指向程序存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲器空間指向數(shù)據(jù)存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
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ST推出新的汽車級32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個新的符合汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V到3
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