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          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門必懂知識

          • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門必懂知識-如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫入一次呢?將參數(shù)存儲到固定的地址,則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中,那么只有一個參數(shù)修改時,也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎?
          • 關(guān)鍵字: ram  flash  源代碼  

          全球NOR Flash市場供不應(yīng)求 兆易創(chuàng)新/華邦電動作不斷

          • 隨著各大供應(yīng)商對NOR Flash的不斷加大投入,未來其市場將會逐漸趨于飽和,利潤也會越來越小,至于整體趨勢還有待觀察。
          • 關(guān)鍵字: NOR  兆易創(chuàng)新  

          第二季PC DRAM合約價漲逾一成,全球DRAM營收季增16.9%

          •   集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成,行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量,價格僅小幅上漲5%內(nèi)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場面,受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進,大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見,全球DRAM市場第二
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NOR  

          硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

          • 曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌,同年美光稱霸,臺灣廠商崛起,NOR FLASH漲價,行業(yè)迎來一波反彈。
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  NOR   

          硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

          •   供給端:原材料價格調(diào)漲,大廠退出   原材料漲價   今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價情況,其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程,20nm以下先進工藝占比不斷提高,加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND,投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長,大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴產(chǎn),帶來新的硅片需求增量。供給方面,硅片廠集中在日韓臺,前六大廠商市占98%,在硅片
          • 關(guān)鍵字: NOR  晶圓  

          1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

          • 自1970年,美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來,已經(jīng)過去47年,美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進來,卻在輸光光之后黯然離場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風喚雨,賺得盆滿缽滿。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

          NOR Flash行業(yè)趨勢解讀:供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

          •   這個時間點我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度,一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布,而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等),同時我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預(yù)期,詳細測算供需缺口,以求對未來趨勢定性、定量研究;   汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花   1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn)   從各方面驗證,2016年是NOR
          • 關(guān)鍵字: 存儲  NOR   

          Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

          • UFS普及并不缺乏機會,F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解,成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
          • 關(guān)鍵字: Flash  UFS  

          被傳產(chǎn)線遭受重大化學污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

          •   如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德,為博眼球胡謅瞎報,誤導(dǎo)群眾,損人又害己,更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。   歪曲報道如下:   武漢新芯廠內(nèi)傳出化學污染事件,雖然沒有造成人員傷亡,但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染,影響產(chǎn)能在9000片左右,市場預(yù)料,將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。   由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場,使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口,現(xiàn)在武漢新芯受到化學污染,有望再度推升NOR Flash報價,市場最
          • 關(guān)鍵字: 武漢新芯  NOR   

          基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

          • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設(shè)計。
          • 關(guān)鍵字: UART  ZigBee  ACLK  Flash  

          基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

          • 以AT45DB041B為例,將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結(jié)合起來,實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作,完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換,并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: Flash  串行存儲  FPGA  

          基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

          • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)采集  Flash  FPGA  

          FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)電路分析

          • FPGA的管腳主要包括:用戶I/O(User I/O)、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途,所以在設(shè)計FPGA電路之前,需要認真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
          • 關(guān)鍵字: Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)  

          FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)的概念

          • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少,只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括:FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括:SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
          • 關(guān)鍵字: FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

          SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

          • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作;翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系,同時支持TFFS的各種功能,如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等;MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等);socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡,主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
          • 關(guān)鍵字: 文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET  
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          nano nor flash介紹

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