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Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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全球NOR Flash市場供不應(yīng)求 兆易創(chuàng)新/華邦電動作不斷
- 隨著各大供應(yīng)商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
- 關(guān)鍵字： NOR 兆易創(chuàng)新
第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%
- 集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌
- 供給端：原材料價格調(diào)漲，大廠退出 原材料漲價 今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高，加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長，大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn)，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
- 關(guān)鍵字： NOR 晶圓
NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
- 這個時間點我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預(yù)期，詳細(xì)測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 從各方面驗證，2016年是NOR
- 關(guān)鍵字： 存儲 NOR
被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)
- 如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報，誤導(dǎo)群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。 歪曲報道如下： 武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場預(yù)料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。 由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染，有望再度推升NOR Flash報價，市場最
- 關(guān)鍵字： 武漢新芯 NOR
基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA
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