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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
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Spansion公司榮獲同洲電子“年度供應(yīng)商”殊榮

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布公司榮獲由機(jī)頂盒市場(chǎng)龍頭企業(yè)同洲電子（Coship）授予的“2010年度供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。2007年，Spansion公司獲得同洲電子最佳合作伙伴獎(jiǎng)；2009年及2010年，Spansion公司成為獲得“年度供應(yīng)商”稱號(hào)的獨(dú)家閃存供應(yīng)商。這項(xiàng)殊榮授予Spansion公司體現(xiàn)了公司秉承為顧客提供創(chuàng)新產(chǎn)品和全球領(lǐng)先服務(wù)的宗旨。
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場(chǎng)是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長(zhǎng)陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

　　我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系
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嵌入NOR閃存穩(wěn)步增長(zhǎng)

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，包括蘋果iPad等流行平板設(shè)備在內(nèi)的多種應(yīng)用，正在增加使用嵌入NOR閃存，該市場(chǎng)2011年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%，達(dá)到39.6億個(gè)?！　?/li>
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基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，提高了整
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NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

ICP是一種在實(shí)際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實(shí)現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級(jí)。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱F2812)是美國(guó)德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
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NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片，設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

摘要：先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)，接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下，信號(hào)的對(duì)齊問題進(jìn)行了說明，并提出了一種解決方
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海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

　　韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長(zhǎng)線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場(chǎng)買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問題。　　
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DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲(chǔ)器

在嵌入式系統(tǒng)中，為了實(shí)現(xiàn)程序的脫機(jī)自動(dòng)運(yùn)行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲(chǔ)器中。要實(shí)現(xiàn)一個(gè)嵌入式系統(tǒng)...
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TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究

TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP，集成了多種外設(shè)。對(duì)TMS320F2812開發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]