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          Spansion發(fā)布NOR閃存解決方案

          • Spansion發(fā)布了其為新興市場設計的NOR VS系列閃存解決方案。該系列旨在使手機OEM廠商能夠提供簡化的、高性能的入門級手機,滿足中國、印度、俄羅斯等手機用戶數(shù)量迅速增長地區(qū)的需求。 典型的針對新興市場的入門級手機包括從基本的、僅有語音功能的機型到帶有低相素攝像頭及2D游戲的彩屏手機。Spansion® NOR VS系列的容量從16Mb到64Mb,裸片尺寸的減小高達30%,從而使手機OEM廠商能夠開發(fā)出比早期產(chǎn)品更具成本效率、性能更高的解決方案。 NOR&nbs
          • 關(guān)鍵字: 消費電子  Spansion  NOR閃存  消費電子  

          ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

          •   ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?;诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術(shù),65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存,為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑,同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。   為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求,新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz,編程速度達到1.0-MB/s,支持深關(guān)斷睡眠模式,采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
          • 關(guān)鍵字: 65nm  NOR閃存  ST  單片機  多電平單元  裸片最小的1-Gbit和512-Mbit  嵌入式系統(tǒng)  
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          nor閃存介紹

          flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行,所以大多數(shù)情況下,在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。 由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是 [ 查看詳細 ]

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