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用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
NMOS和PMOS詳解
- 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
- 關(guān)鍵字： MOSFET NMOS PMOS
工業(yè)傳感器選型：PNP和NPN兩種類型應(yīng)該如何選？
- 大多數(shù)工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指傳感器內(nèi)使用的部件類型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來在檢測到物體時切換傳感器的輸出。問：PNP和NPN傳感器的3線接線大多數(shù)工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指傳感器內(nèi)使用的部件類型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來在檢測到物體時切換傳感器的輸出。有兩種特定類型的三線傳感器可用可供使用，即PNP型和NPN型，它們之間的差異來自于內(nèi)部電路設(shè)計及其所采用的晶體管類型。在選型時，需要考量
- 關(guān)鍵字： Digi-Key 傳感器 PNP NPN
2個NPN三極管組成的恒流電路，如何工作？
- 根據(jù)T2三極管Vbe鉗位，知道了T1發(fā)射極電壓，得出Ie的電流，Ic等于Ie，Ic有了，集電極電壓有了，可以算出Vce是合理的，即假設(shè)成立，T1工作在發(fā)放大區(qū)。兩個NPN三極管組成的恒流電路是如何工作的？今天簡單分析下，并且仿真看一下帶載能力如何。2個NPN組成恒流T1和T2為兩個NPN三極管。R1=1K，用來模擬負載，AM1為電流表，R4=100R，為恒流設(shè)置電阻。首先要判斷兩個三極管工作在何種狀態(tài)？假設(shè)T1工作在放大區(qū)，那么就滿足等式Ic=βIb，Ie=Ic+Ib，一般β是幾十到幾百，忽略Ib，Ie約
- 關(guān)鍵字： NPN 三極管
英特爾：通過R16標準兌現(xiàn)5G承諾
- 7月初，3GPP正式發(fā)布了5G R16 標準，通常也被理解為5G的第二階段，這是5G發(fā)展歷程中最令人激動的里程碑之一。R16標準使5G技術(shù)中一些最具創(chuàng)新性和變革性的性能得以實現(xiàn)。在實施這些新性能的漫長旅程中，我們才剛剛開始，它們也將極大地釋放新一代無線技術(shù)的潛力。再怎么強調(diào)R16標準的重要性都不過分。R15標準主要聚焦于增強移動寬帶，而R16標準則帶來了一系列新的功能，遠遠超出了簡單的性能提升，還支持新的商業(yè)模式、應(yīng)用以及垂直市場。特別值得一提的是，從制造到醫(yī)療行業(yè)的企業(yè)和工業(yè)組織將得以使用各種功能，將自
- 關(guān)鍵字： URLLC NPN TSN
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