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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nvsram

          賽普拉斯推出帶四個串行外設接口的1Mb nvSRAM,針對需要掉電時進行高可靠性數據保存的大數據吞吐量應用

          •   賽普拉斯半導體公司今天宣布推出一款具有四個串行外設接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下,超越尺寸更大的并行接口器件的數據吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業(yè)自動化、計算和網絡應用在掉電時,無需電池即可保存大吞吐量的數據。   四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz,其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvS
          • 關鍵字: 賽普拉斯  nvSRAM  

          賽普拉斯擴充業(yè)界領先的非易失性RAM產品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列

          •   賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM),包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產品線,以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網絡設備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機等關鍵任務應用的需求。   16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM,存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘(RTC),
          • 關鍵字: 賽普拉斯  ONFI  nvSRAM  

          LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器

          • 賽普拉斯半導體公司日前宣布,LSI在其用于高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器(HBA)中,選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器,提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下,而且廣受媒體好評。
          • 關鍵字: 賽普拉斯  存儲器  LSI  nvSRAM  

          賽普拉斯推出世界快速寫入非易失性存儲器產品系列

          • 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼:CY)日前宣布,該公司在其產品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)產品,提供了市場上最豐富的快速寫入非易失性存儲器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性存儲器,為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器提供了有效補充。
          • 關鍵字: 賽普拉斯  存儲器  nvSRAM  

          Cypress推出1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器

          •   賽普拉斯半導體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)系列,以及新的擁有集成實時時鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。   賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器技術,能達到更大的密度并改善存取時間和性能。nvSRAM對于要求絕對數據非易失安全性的應用來說是理想的選擇,如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動化(如PLC,
          • 關鍵字: Cypress  nvSRAM  嵌入式非易失性存儲器  

          賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

          •   日前,賽普拉斯半導體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM),進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產品系列。該新型產品的存取時間短至 20 納秒,支持無限次的讀寫與調用循環(huán),而且數據能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫入數據和絕對非易失性數據安全的應用提供了最佳解決方案,因此成為了服務器、RAID 應用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數據通信等領域的理想選擇。   CY14B102 2 Mbi
          • 關鍵字: 賽普拉斯  nvSRAM  EEPROM  存儲器  

          新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用

          • 摘要: 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲器領域,市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器,并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢, NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
          • 關鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  
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          nvsram介紹

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