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三星SSD固件更新出包 TLC V-NAND惹爭(zhēng)議
- 三星電子(Samsung Electronics)最新固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品850 PRO更新至最新固件時(shí)，在部分系統(tǒng)中會(huì)出現(xiàn)無法辨識(shí)的問題。 韓國MT NEWS引用IT專業(yè)網(wǎng)站Anandtech論壇內(nèi)容，指出三星SSD使用者在更新850 PRO固件后發(fā)生問題，提醒其他使用者不要進(jìn)行更新。根據(jù)使用者上傳的內(nèi)容，更新三星提供的最新固件后，發(fā)生在部分系統(tǒng)中無法辨識(shí)裝置的問題，且無法取消固件更新，恢復(fù)原本的狀態(tài)。 報(bào)導(dǎo)稱，本次發(fā)布的更新固件主要是為了提升系統(tǒng)兼容性，并提高工作站(Workstat
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IBM專家：快閃應(yīng)用從Tier0開始跨到Tier1層級(jí)
- IBM儲(chǔ)存專家認(rèn)為，企業(yè)快閃應(yīng)用深度再進(jìn)一步，將要從Tier0階段的小型資料應(yīng)用開始轉(zhuǎn)移至Tier1應(yīng)用型態(tài)，SSD應(yīng)用開始和虛擬化功能整合，也能介接既有的儲(chǔ)存產(chǎn)品，將會(huì)帶動(dòng)更多企業(yè)采用全快閃儲(chǔ)存陣列，已采用者甚至將全面采用。 10年前IBM賣掉整個(gè)PC部門，去年又將X86伺服器業(yè)務(wù)拋售，反觀其儲(chǔ)存產(chǎn)品走向卻是不惜砸重金投入，在許多儲(chǔ)存業(yè)者紛紛推出混和式儲(chǔ)存設(shè)備時(shí)，IBM率先押寶了快閃記憶體市場(chǎng)，近日IBM大中華區(qū)系統(tǒng)暨科技事業(yè)處快閃記憶體儲(chǔ)存解決方案技術(shù)總監(jiān)徐原來臺(tái)，揭露了IBM的快閃記憶體市
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營運(yùn)
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash SK海力士
明年NB商務(wù)機(jī)種將大舉采用SSD 消費(fèi)性機(jī)種多數(shù)仍采用HDD
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格持續(xù)下滑，筆記型電腦(NB)品牌廠2015年將擴(kuò)大采用SSD搭配傳統(tǒng)硬碟(HDD)，NB供應(yīng)鏈業(yè)者指出，2015年第1季128GB SSD將降至與目前1TB HDD相同價(jià)位，屆時(shí)采用SSD與HDD混合硬碟機(jī)種比重將由目前約10%增至20%。 NB ODM廠指出，SSD報(bào)價(jià)持續(xù)下探，預(yù)估2015年第1季128GB SSD報(bào)價(jià)將降至60美元，等于是目前1TB HDD報(bào)價(jià)，帶動(dòng)NB品牌廠擴(kuò)大采用SSD，然仍會(huì)搭配HDD，且主要鎖定商務(wù)機(jī)種，預(yù)計(jì)2015年第2季上市的新機(jī)就會(huì)看到此
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鎖定巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD
- 三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時(shí)代的來臨，將以資料儲(chǔ)存半導(dǎo)體事業(yè)一決勝負(fù)，目標(biāo)擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎(chǔ)的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。 據(jù)韓國Inews 24報(bào)導(dǎo)，總括負(fù)責(zé)三星半導(dǎo)體事業(yè)部的DS部門將擴(kuò)編人力，在集團(tuán)底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費(fèi)者的喜好程度等，強(qiáng)化事業(yè)力量。 DDR4 DRAM相較于DDR3，待機(jī)電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
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無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？
- NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存
研調(diào)：明年NAND Flash產(chǎn)業(yè)續(xù)向上，產(chǎn)值估增12%
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诮K端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半都集中在第三季和第四季，相較之下，上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年會(huì)出現(xiàn)供過于求
- 關(guān)鍵字： TrendForce SSD eMMC
分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诮K端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
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LG或效法微軟擴(kuò)大平板電腦事業(yè)
- 據(jù)傳樂金電子(LGElectronics)負(fù)責(zé)個(gè)人電腦(PC)事業(yè)的家庭娛樂(HE)事業(yè)本部，可能將效法微軟(Microsoft)戰(zhàn)略，推出平板電腦外接鍵盤的機(jī)種，采用10英寸屏幕、Windows8.1作業(yè)系統(tǒng)。在筆記型電腦(NB)市場(chǎng)嘗到甜頭的樂金電子，試圖藉此產(chǎn)品反攻平板高端利基市場(chǎng)。 根據(jù)韓媒D-Daily報(bào)導(dǎo)，樂金電子擴(kuò)大搭載Windows作業(yè)系統(tǒng)(OS)的平板電腦事業(yè)，將在採用安謀(ARM)芯片與Android平臺(tái)的GPad系列之外，另辟Tab-Book可變形電腦(Convertibl
- 關(guān)鍵字： LG Windows SSD
SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問題
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來臨。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。 南韓Woor
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC
2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD
SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)價(jià)格，2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑，SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大，有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo)，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價(jià)格226美元相比，跌幅更達(dá)45.1%，意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash
智社會(huì),人為本-東芝推出全新企業(yè)理念
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，東芝參加了于2014年11月16日至21日在深圳會(huì)展中心舉辦的第十六屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))電子展。并于11月17日在深圳馬哥孛羅酒店舉辦新聞發(fā)布會(huì)，推出其全新的企業(yè)理念—“Human Smart Community by lifenology-the technology life requires(智社會(huì) 人為本 以科技應(yīng)人類之求)”，及其最新的技術(shù)和產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 儲(chǔ)存器 SSD
快閃存儲(chǔ)器陣列將引領(lǐng)儲(chǔ)存系統(tǒng)風(fēng)潮
- 如果你對(duì)伺服器乃至于資料中心的認(rèn)識(shí)有限的話，那么在儲(chǔ)存系統(tǒng)方面的發(fā)展，大多應(yīng)該是停留在傳統(tǒng)硬碟(HDD)與固態(tài)硬態(tài)(SSD)的混搭的印象為主，前者專職冷資料的儲(chǔ)存，后者則負(fù)責(zé)較常使用的熱資料的分析與處理，所以在分工上可以較有效率。 ? IBM 全球快閃記憶體策略及業(yè)務(wù)開發(fā)部門經(jīng)理Erik Eybeg 但長久以來一直耕耘伺服器領(lǐng)域的IBM卻也在近期提出新的架構(gòu)，希望能為既有的儲(chǔ)存技術(shù)架構(gòu)帶來另一種面向的思考。IBM的作法是跳脫出傳統(tǒng)硬碟與固態(tài)硬碟的設(shè)計(jì)，直接改采全快閃
- 關(guān)鍵字： IBM SSD
SK海力士強(qiáng)化SSD市場(chǎng) 明年量產(chǎn)3D NAND
- SK海力士(SK Hynix)為加強(qiáng)攻略次世代儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)，將自2015年量產(chǎn)3D NAND Flash。據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士已完成3D NAND研發(fā)作業(yè)，將于2015年正式展開銷售。 SK海力士將現(xiàn)有的部分NAND Flash產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為3D NAND產(chǎn)線投入量產(chǎn)，3D NAND將在南韓清州工廠生產(chǎn)。3D NAND不同于半導(dǎo)體Cell平面展開的傳統(tǒng)NAND Flash，而是將Cell垂直堆棧，提升信息處理速度和效能。因半導(dǎo)體微細(xì)化已達(dá)物理性上限，要如何堆棧并提升產(chǎn)品性
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