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          基于ST第五代高精度定位芯片的車載定位P-BOX方案

          • 目前,汽車導(dǎo)航定位主要采用衛(wèi)慣組合導(dǎo)航系統(tǒng),即全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(GNSS)和慣性導(dǎo)航系統(tǒng)(INS)。全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)用于實(shí)現(xiàn)絕對(duì)定位,而慣性導(dǎo)航系統(tǒng)用于實(shí)現(xiàn)相對(duì)定位,兩者相結(jié)合才可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可靠的高精度定位。ST最新的高精度定位解決方案P-BOX是ST汽車級(jí)芯片組全面解決方案,可以支持多頻段GNSS信號(hào)接收、Rawdata原始觀測(cè)值輸出、IMU慣性導(dǎo)航等。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1. 功能安全兼容:第一個(gè)功能安全的ASIL-B P-box應(yīng)用設(shè)計(jì)與ST整體解決方案(STA910
          • 關(guān)鍵字: ST  高精度定位  車載定位  P-BOX  

          德承搶先發(fā)表12代Alder Lake-P平臺(tái)高效能平板電腦,引領(lǐng)效能新標(biāo)準(zhǔn)

          • 強(qiáng)固型嵌入式電腦品牌 – cincoze德承推出Display Computing – CRYSTAL產(chǎn)品線高性能平板電腦系列(P2202+CV/CS/CO Series),其亮點(diǎn)在于搭載了Intel Alder Lake-P (U-Series)處理器,提供目前市面少有的優(yōu)異運(yùn)算效能外,透過德承獨(dú)家的CDS技術(shù),可以根據(jù)不同的需求,應(yīng)用于廣泛的工業(yè)場(chǎng)景,戶外高溫陽光直射環(huán)境或是需要于設(shè)備機(jī)臺(tái)整合等,勢(shì)將成為人機(jī)界面應(yīng)用的理想選擇。外型輕薄,效能強(qiáng)勁P2202系列包含了標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型P2202以及具有PCIe擴(kuò)
          • 關(guān)鍵字: 德承  Alder Lake-P  平板電腦  

          ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì),對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
          • 關(guān)鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

          深挖 GaN 潛力,中國(guó)企業(yè)別掉隊(duì)

          • 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV,是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度,氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率,以及更優(yōu)的抗輻照能力,這些特性對(duì)于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備,下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對(duì)于器件性能至關(guān)重要,襯底也占據(jù)了大部分成本,因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主,4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用,6 英寸
          • 關(guān)鍵字: GaN-on-Si  氮化鎵  

          如何組合使用低通濾波器和ADC驅(qū)動(dòng)器獲取20V p-p信號(hào)

          • 問題:為何要組合使用低通濾波器(LPF)和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)驅(qū)動(dòng)器??答案:為了減小模擬信號(hào)鏈的尺寸,降低其成本,并提供ADC抗混疊保護(hù)(ADC采樣頻率周圍頻段中的ADC輸入信號(hào)不受數(shù)字濾波器保護(hù),必須由模擬低通濾波器(LPF)進(jìn)行衰減)。20 V p-p LPF驅(qū)動(dòng)器一般用于工業(yè)、科技和醫(yī)療(ISM)設(shè)備中,該設(shè)備必須使用具有更低滿量程輸入的高速ADC對(duì)傳統(tǒng)的20 V p-p信號(hào)范圍進(jìn)行數(shù)字化處理。?簡(jiǎn)介通過驅(qū)動(dòng)ADC實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的混合信號(hào)性能,這是一大設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。圖1所示為標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)器
          • 關(guān)鍵字: 低通濾波器  ADC  p-p信號(hào)  

          基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P 的Standby Power方案

          • Power Integrations,近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC,此系列適用于非隔離離線式電源供應(yīng)器,且應(yīng)屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器),可大幅提高效能與節(jié)省空間,相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢(shì)。所有裝置中內(nèi)建的半導(dǎo)體,除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外,更是推出了高達(dá)耐壓900V的MOSFET,使得設(shè)計(jì)與應(yīng)用方面更為彈性,其控制器也包含了振蕩器、于輕負(fù)載時(shí)實(shí)現(xiàn)最高效率的開/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(dòng)(Jitter)、current limit(可調(diào)整)、磁滯
          • 關(guān)鍵字: PI  LinkSwitch-TN2  LNK3294G/P  

          持續(xù)健康增長(zhǎng),DR&P未來五年仍將保持13.7%的年復(fù)合增長(zhǎng)率

          • 北京 2022年11月3日——IDC于近日發(fā)布《中國(guó)數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)系統(tǒng)市場(chǎng)季度跟蹤報(bào)告,2022上半年》。報(bào)告顯示,2022上半年,數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)市場(chǎng)較去年同期實(shí)現(xiàn)了9.8%的增長(zhǎng),市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2.7億美元。IDC預(yù)測(cè),未來五年,中國(guó)數(shù)據(jù)復(fù)制與保護(hù)市場(chǎng)將以13.7%的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng),在2026年達(dá)到12. 6億美元。網(wǎng)絡(luò)安全等級(jí)保護(hù)2.0的推出和異構(gòu)環(huán)境帶來的數(shù)據(jù)保護(hù)問題,使得企業(yè)客戶更加重視數(shù)據(jù)復(fù)制和保護(hù)。在數(shù)字化浪潮下,數(shù)據(jù)在推動(dòng)信息滲透、跨界融合領(lǐng)域展現(xiàn)著極為重要的地位,成為企業(yè)數(shù)字產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: DR&P  IDC  

          UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

          • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
          • 關(guān)鍵字: Mentor P  Qorvo  SiC FET  

          貿(mào)澤電子與Fortebit簽署全球分銷協(xié)議

          • 專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子  ( Mouser Electronics )  近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協(xié)議。該公司設(shè)計(jì)并制造高質(zhì)量、高性價(jià)比的解決方案,用于嵌入式語音識(shí)別、語音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項(xiàng)協(xié)議后,貿(mào)澤分銷的 Fortebit產(chǎn)品線 包含EasyVR 3 Plus語音識(shí)別器件和Polaris汽車物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
          • 關(guān)鍵字: SD  SV  SI  

          智?遠(yuǎn) | IA架構(gòu)何以引領(lǐng)視頻會(huì)議邁向智能時(shí)代

          • 知IN,英特爾的自媒體微信賬號(hào)。分享英特爾新聞、產(chǎn)品技術(shù)和內(nèi)幕故事;交流行業(yè)熱點(diǎn)話題;體味科技與人文的溫度
          • 關(guān)鍵字: SI  IA  

          Bourns推出聚合物溫度保護(hù)器(P-TCO)系列產(chǎn)品,充分保護(hù)USB-C電纜線且避免受熱失控影響

          •   2019年3月19日 - 美國(guó)柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,今天推出了新系列的聚合物溫度保護(hù)器(P-TCO),其特色在于保護(hù)USB-C電纜線避免受破壞性和潛在危險(xiǎn)的熱失控事件影響。Bourns新型P-TCO系列提供適用于USB 3.2、3.1、3.0和2.0以及其他類型數(shù)據(jù)/充電電纜線的USB C-C、C-B和C-A連接器配置優(yōu)化的過溫保護(hù)解決方案?! ourns? P-TCO-U與P-TCO-N系列  USB Type-C連接器能夠提供高達(dá)100W的功率,具有24個(gè)引
          • 關(guān)鍵字: Bourns  P-TCO  

          a-Si/GZO/LTPS三種技術(shù)對(duì)比

          • 隨著顯示產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,人們對(duì)于顯示成像技術(shù)的要求不斷提高,這也促使著技術(shù)的不斷發(fā)展,TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
          • 關(guān)鍵字: a-Si  GZO  LTPS  

          2017年TDDI出貨量估成長(zhǎng)191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海

          •   DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動(dòng)整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場(chǎng)發(fā)展,由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品,以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動(dòng)機(jī)提升等因素帶動(dòng),2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長(zhǎng)191%,其中,臺(tái)系業(yè)者市占率將達(dá)近4成,從過去由新思(Synaptics)一家獨(dú)大局面中突圍。   TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController),2017年上半受大中華區(qū)智能型手
          • 關(guān)鍵字: a-Si  TDDI  

          一種新型的寬帶方向圖可重構(gòu)天線

          • 本文介紹了一款新穎的PRA(Pattern Reconfigurable Antenna)。天線輻射單元主要由三部分組成:包括矩形驅(qū)動(dòng)貼片,兩個(gè)對(duì)稱的開了CRS(Cross Ring Slot)的半圓形寄生單元以及地平面。兩組p-i-n二極管分別放置在十字形環(huán)縫隙上,通過這兩組p-i-n二極管電開關(guān)將它們連接起來,從而可以實(shí)現(xiàn)輻射方向圖可調(diào)。仿真結(jié)果表明,天線在4.29GHz~4.87GHz頻率范圍內(nèi)S11<-10dB,阻抗帶寬大于500MHz,具備良好的寬帶特性。并且具有三種輻射方向圖,可以通過p-i-
          • 關(guān)鍵字: CRS  方向圖可調(diào)  寬帶  p-i-n二極管  201701  

          P-NET現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)特點(diǎn)、運(yùn)行模式及應(yīng)用

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