- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
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pHEMT 放大器 有效偏置 偏置電路
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
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pHEMT 功率放大器 有源偏置
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
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ADI pHEMT 功率放大器
- 低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關聯增益、PHEMT技術設計的ATF35176晶體管，設計了一種應用于5．5～6．5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級級聯放大結構形式，并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計，最終得到LNA在該頻段內增益大于32．8 dB，噪聲小于1．5 dB，輸入輸出駐波比小于2，達到設計指標。
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低噪聲放大器 ADS PHEMT 負反饋網絡 匹配電路
- 在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關鍵?？刂葡到y內噪聲還有其他技術，包括過濾和低 ...
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GaAs PHEMT MMIC LNA
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應用。
HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應用AH-1與AM-1增益單元。
HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
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放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設計者可以實現頻率覆蓋22到46GHz的連續輸出。這一器件在時鐘發生器，點對點無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設備應用中，還具有優越的基波和諧波抑制。
HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉換損耗倍頻器和一個輸出緩沖放大器組成。當用+5 dBm輸入信號驅動時，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
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Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
phemt介紹
假晶形高電子遷移率晶體管；贗高電子遷移率晶體管；假同晶高電子遷移率晶體管
PHEMTpseudomorphic high-electron-mobility transistor
一種利用在砷化鎵上生長的特殊外延層制造的射頻砷化鎵 (GaAs)功率晶體管，可以使其在用于蜂窩電話和射頻調制解調器上時實現低電壓、高效率。
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