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海力士：DRAM恐供給過(guò)剩

　　DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語(yǔ)，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。　　全球DRAM龍頭三星上周才公開(kāi)表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語(yǔ)，看法與三星大為迥異。　　外電報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時(shí)透露，由于各大芯片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM會(huì)供給過(guò)剩;不過(guò)，他認(rèn)為儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)需求仍會(huì)不錯(cuò)。
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美光、南亞科攜手42納米　加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局

　　美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問(wèn)世，同時(shí)也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比，美光陣營(yíng)的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計(jì)在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時(shí)間點(diǎn)相仿。　　2010 年DRAM市場(chǎng)50
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PC電源分析

有人把CPU比作電腦的“心臟”，實(shí)際上，如果我們真正形象地去比較，CPU對(duì)于電腦來(lái)說(shuō)更像是大腦的作用，而真正為電腦提供動(dòng)力的心臟應(yīng)該是為電腦提供充足電力的電源。那么讓我們來(lái)關(guān)注一下這個(gè)被我們忽視的角落。
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海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過(guò)剩

　　2月9日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。　　全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開(kāi)表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動(dòng)南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見(jiàn)、威剛等臺(tái)灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計(jì)劃。　　外電報(bào)道，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲在接受媒體採(cǎi)訪時(shí)透露，由于各大晶片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM芯片會(huì)供給過(guò)剩
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕

　　據(jù)報(bào)道，韓國(guó)檢方近日逮捕了兩名美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。　　美國(guó)證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說(shuō)其中一人是前應(yīng)用材料韓國(guó)(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國(guó)子工廠的高管。　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國(guó)檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶(hù)，三星的利益顯然受到了傷害
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DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3

　　報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過(guò)工藝升級(jí)的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
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美國(guó)09年專(zhuān)利前25名出爐三星電子緊隨IBM

　　湯森路透知識(shí)產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級(jí)專(zhuān)利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對(duì)過(guò)去一年在美國(guó)獲得專(zhuān)利最多的前25家公司進(jìn)行排名。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級(jí)公司中，無(wú)一家中國(guó)大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國(guó)IBM公司以4843項(xiàng)專(zhuān)利位列第一，韓國(guó)三星電子和美國(guó)微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專(zhuān)利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國(guó)臺(tái)灣、芬蘭和德國(guó)各一家公司。　　2009年美國(guó)專(zhuān)利權(quán)人 TOP25 　　亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專(zhuān)利權(quán)名單的56%，而日
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三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片

　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證。注意這里說(shuō)的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類(lèi)的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。　　三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱(chēng)為綠色內(nèi)存(Gree
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三星的“致命傷”——過(guò)渡依賴(lài)芯片產(chǎn)品

　　導(dǎo)讀：《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日撰文稱(chēng)，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷(xiāo)售業(yè)績(jī)?cè)诤艽蟪潭壬弦蕾?lài)于芯片產(chǎn)品，而芯片的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)容易根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會(huì)面臨更大的危機(jī)。　　以下為全文：　　三星電子在韓國(guó)企業(yè)史上第一個(gè)實(shí)現(xiàn)“銷(xiāo)售額100萬(wàn)億韓元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)10萬(wàn)億韓元”的業(yè)績(jī)，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》29日?qǐng)?bào)道稱(chēng)：“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
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40納米成DRAM廠流行口號(hào)

　　近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢(qián)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒(méi)看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說(shuō)說(shuō)成分居多。
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SIA：09年12月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額

　　美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Industry Association，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SIA”)周一公布報(bào)告稱(chēng)，去年12月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售較11月下滑1.2%，但比2008年同期增長(zhǎng)29%，主要由于PC、手機(jī)及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的銷(xiāo)售健康增長(zhǎng)。　　報(bào)告顯示，去年12月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為224億美元，比11月的227億美元下滑1.2%，比2008年同期的174億美元增長(zhǎng)29%;在整個(gè)2009年，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為2263億美元，比2008年下滑9%，但高于SIA此前
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LSI 針對(duì)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列

　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級(jí)交換機(jī)、路由器、RAID 存儲(chǔ)器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)SoC 的開(kāi)發(fā)。　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對(duì)計(jì)算密集型應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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DRAM迎來(lái)希望之光年底將“春光燦爛”

　　在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。　　DDR3來(lái)臨　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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爾必達(dá)預(yù)計(jì)2010年DRAM將出現(xiàn)供應(yīng)短缺

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本芯片生產(chǎn)商爾必達(dá)記憶體(Elpida)公司今日表示，預(yù)計(jì)2010年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。　　爾必達(dá)社長(zhǎng)本幸雄在新聞發(fā)布會(huì)上接受采訪時(shí)表示，DRAM的價(jià)格可能將在截至2011年3月的會(huì)計(jì)年度企穩(wěn)。
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DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3