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          iSuppli:DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)

          •   iSuppli警告稱,DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類芯片價(jià)格上漲。   iSuppli指出,當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類供應(yīng)問題:無法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備,部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。   DRAM芯片供應(yīng)緊張對全球計(jì)算機(jī)市場而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷量急劇增長——第二季度同比增長22.4%,DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。   去年,許多DRAM芯片廠商沒有資金采購生產(chǎn)設(shè)備,今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
          • 關(guān)鍵字: 計(jì)算機(jī)  DRAM  

          iSuppli警告:DRAM下半年供不應(yīng)求

          •   市場研究業(yè)者iSuppli警告,由于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限,DRAM市場下半年可能供不應(yīng)求。   分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期,今年DRAM芯片出貨量可望成長49%,其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測,今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右,由于增加的需求都集中在下半年,屆時(shí)供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負(fù)荷。   iSuppli指出,有兩個(gè)問題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量,甚至恐會造成供不應(yīng)求。首先,由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
          • 關(guān)鍵字: ASML  DRAM  

          第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,今年第二季營收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD),較首季的93億美元(9.29 Billion USD),成長約15%。在 NAND Flash 部分,品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元,較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。   三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠   從市場面觀察,由于第二季 DRAM 合
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          iSuppli:下半年DRAM芯片短缺 價(jià)格將上漲

          •   市場研究公司iSuppli周一表示,下半年,用于個(gè)人電腦的主存儲芯片的短缺,將導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲。DRAM芯片廠商目前面臨兩個(gè)供應(yīng)問題:無力獲得所 需的生產(chǎn)設(shè)備和難以引入高新技術(shù)。DRAM芯片短缺將為全球電腦市場帶來危機(jī)。市場研究機(jī)構(gòu)IDC最新數(shù)據(jù)顯示,二季度個(gè)人電腦出貨量同比增長 22.4%,而與此同時(shí),DRAM芯片廠商仍然在試圖從去年的經(jīng)濟(jì)低迷中復(fù)蘇。   去年眾多DRAM廠商沒有足夠的資金來購買新設(shè)備,今年他們從設(shè)備廠商手中訂購了大量產(chǎn)品。 DRAM市場成功的關(guān)鍵在于盡可能快的生產(chǎn)出盡可能多、盡
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          華邦:NOR Flash市場3Q漲價(jià)不易

          •   存儲器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%,稅后獲利較上季成長率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示,華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷,第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營收比重降至2%,未來華邦是全方面存儲器供應(yīng)商,第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產(chǎn)品線,其次是Mobile RAM,惟原本預(yù)計(jì)第4季才會供需平衡的NOR Flash市場,提前在第3季發(fā)生,因此預(yù)期第3季NOR Flash價(jià)格上漲不易,但華邦會推出新產(chǎn)品和持續(xù)耕耘一線大客戶,第3季整體成長動能仍是持續(xù)。   華邦第2季合并營收新臺幣85.31億元,較上季成長22%,
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn) 供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

          •   近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年,下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持,但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢,除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢變量太多,各廠力拼制程微縮,拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出,也是因素之一;目前各界認(rèn)為,2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn),因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn),每顆芯片成本降到1美元,未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會有暴利,只有合理的利潤空間。   2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期,當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn),DRAM市場陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求,供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程,狀況也
          • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  

          DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn) 供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

          •   近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年,下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持,但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢,除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢變量太多,各廠力拼制程微縮,拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出,也是因素之一;目前各界認(rèn)為,2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn),因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn),每顆芯片成本降到1美元,未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會有暴利,只有合理的利潤空間。   2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期,當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn),DRAM市場陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求,供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程,狀況也
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          DDR2季度出貨大幅縮水 三星芯片份額第一

          •   市場調(diào)研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內(nèi)存市場統(tǒng)計(jì)報(bào)告。受到期貨價(jià)格穩(wěn)定和出貨量小幅增長的利好影響,該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比下降了3%,但是2GB DDR3內(nèi)存的期貨價(jià)格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價(jià)格進(jìn)一步下滑的影響,DDR2內(nèi)存該季度的出貨量大幅度降低。   二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長10%,但所用晶圓出貨量增長率只有3.8%。集邦科技分析稱,芯片供應(yīng)商都將重點(diǎn)放在了制程工藝的升級,而非產(chǎn)能提升上面。   三
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

          •   Digitimes Research分析師柴煥欣分析,2008年下半受金融海嘯沖擊,除三星電子(Samsung Electronics)外,全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損,為保有手中資金,各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略,此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競賽劃下句點(diǎn)。   正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限,并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn),全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張,使得長年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。   于此同時(shí),全球DRAM市場的
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          EUV要加大投資強(qiáng)度

          •   未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時(shí)刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間,它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體制造  DRAM  NAND  

          先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

          •   Digitimes Research分析師柴煥欣分析,2008年下半受金融海嘯沖擊,除三星電子(Samsung Electronics)外,全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損,為保有手中資金,各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略,此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競賽劃下句點(diǎn)。   正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限,并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn),全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張,使得長年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。   于此同時(shí),全球DRAM市場的
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          力晶半導(dǎo)體:DRAM芯片價(jià)格8月回漲

          •   內(nèi)存價(jià)格最近是一路下滑,特別是已經(jīng)失去主流地位的DDR2。不過力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁近日就表示,DRAM芯片價(jià)格將在8月份反彈,價(jià)格回漲,十一月份和十二月份可能會受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。   黃崇仁稱,DRAM芯片近期的價(jià)格下滑是由于市場需求過低導(dǎo)致,并不是芯片供應(yīng)商之間的價(jià)格戰(zhàn)引起,而且他還認(rèn)為,PC OEM廠商為了降低生產(chǎn)成本,降低了一些產(chǎn)品的存儲容量,從而影響了市場需求。   他還對未來2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度,不過認(rèn)為芯片容量的上升對產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的促進(jìn)有限。   此外黃崇仁還表
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  內(nèi)存價(jià)格  

          誰是下一個(gè)奇夢達(dá)?

          •   近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出,手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元),該數(shù)字是此前支出計(jì)劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一,達(dá)到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計(jì)這些支出中將有相當(dāng)一部分進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。   2007年以來,DRAM市場開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期,直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢達(dá)轟然倒塌,令業(yè)界震驚扼腕。市場低迷的根本原因是產(chǎn)能過剩、供過于求。2006年市場獲得
          • 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá)  DRAM  

          Immersion機(jī)臺缺貨 臺DRAM廠改采購舊機(jī)種應(yīng)急

          •   全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后,浸潤式曝光機(jī)臺(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨,尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上,交期幾乎拉到快12個(gè)月,使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時(shí);存儲器業(yè)者透露,爾必達(dá)(Elpida)陣營開始轉(zhuǎn)向采購舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營則認(rèn)為,舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限,不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程,都必須開始用Immersion Scanner,此機(jī)
          • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  50奈米  

          ASML整合微影方案獲意法采用

          •   受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程,對浸潤式顯影機(jī)臺需求大增,讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程,制程復(fù)雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。   ASML指出,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來越高昂,生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長,良率更難提升,制程容許度(p
          • 關(guān)鍵字: ASML  DRAM  晶圓代工  
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