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給電子系統(tǒng)降溫 選對(duì)這幾種基礎(chǔ)組件很重要！
- 電子系統(tǒng)的密度越來越大，溫度也越來越高，這意味著許多系統(tǒng)將需要采用某種方法來管理熱量。雖然并不是每項(xiàng)設(shè)計(jì)都需要開發(fā)熱管理解決方案，但要避免關(guān)鍵部件因溫度升高而損壞，設(shè)計(jì)人員對(duì)熱量產(chǎn)生、移動(dòng)和消除的基本理解是至關(guān)重要的。最后，熱管理需要在早期設(shè)計(jì)階段就加以考慮，而不是在最終設(shè)計(jì)中作為一個(gè)創(chuàng)可貼式的解決方案。熱管理基礎(chǔ)知識(shí)由于市場(chǎng)對(duì)電子系統(tǒng)的要求越來越高，理論上規(guī)定了用于部件冷卻的三種熱量傳遞方式：傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射。在傳導(dǎo)方式下，通過兩個(gè)物體之間的物理接觸轉(zhuǎn)移熱能，其中較冷的物體自然地從較熱的物體中吸取能量，
- 關(guān)鍵字： 熱管理 珀?duì)柼骷?/a> TIM
Vishay推出厚膜功率電阻器，可選配NTC熱敏電阻和PC-TIM
- 器件通過AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達(dá)120 W 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達(dá)12
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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏—導(dǎo)熱性能更出色的TIM
- 功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣，它們才能確保實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導(dǎo)熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率半導(dǎo)體 TIM
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