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pcm-c3500 文章 進(jìn)入pcm-c3500技術(shù)社區(qū)
智能電表設(shè)計(jì)中如何應(yīng)用相變存儲(chǔ)器PCM
- 5月初,美光斥資12億美元收購(gòu)恒憶,完成收購(gòu)后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對(duì)于這么大的收購(gòu)舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因?yàn)槿堑目焖籴绕?,不想一家?dú)大的局面在存
- 關(guān)鍵字: PCM 智能電表 相變存儲(chǔ)器
PCM串行數(shù)據(jù)流同步時(shí)鐘提取設(shè)計(jì)
- 摘要:為了產(chǎn)生語(yǔ)音調(diào)度系統(tǒng)中數(shù)據(jù)接收端異步接收PCM30/32路一次群串行數(shù)提流所需同步時(shí)鐘的目的,采用以分頻計(jì)數(shù)器為基礎(chǔ)模塊,輔以相位校正和誤校正處理模塊從已知速率PCM數(shù)據(jù)流中提取同步時(shí)鐘信號(hào)的方法,利用可
- 關(guān)鍵字: PCM 串行 數(shù)據(jù)流 時(shí)鐘
化學(xué)氣相沉積鍺銻碲化物相變存儲(chǔ)器的商業(yè)化取得重大進(jìn)展
- ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布,雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開(kāi)發(fā)的項(xiàng)目獲得重大進(jìn)步,該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)按比例縮小,而且是一種具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)器技術(shù)。由于具有獨(dú)特的性能,相變存儲(chǔ)器(PCM)是存儲(chǔ)器體系中的新生代產(chǎn)品,且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品;PCM還能擠占相當(dāng)大部分先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的DRAM的市場(chǎng)。 此項(xiàng)研究在高長(zhǎng)寬比的
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PCM存儲(chǔ)器優(yōu)化智能電表成本和性能
- 新一代智能電表對(duì)成本和性能提出了更高的要求。而PCM(相變存儲(chǔ)器)作為新一代存儲(chǔ)器,對(duì)智能電表存儲(chǔ)架構(gòu)進(jìn)行統(tǒng)一整合,優(yōu)化了電表成本和性能。2010年5月7日,美光(Micron)宣布并購(gòu)恒憶。合并后,兩大存儲(chǔ)器芯片廠商將為客戶(hù)提供業(yè)內(nèi)最完整、最具創(chuàng)新性的產(chǎn)品組合,其中包括PCM產(chǎn)品。 PCM綜合性能高 PCM是利用特殊材料在加熱和冷卻過(guò)程中,通過(guò)晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化所表現(xiàn)出來(lái)的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 據(jù)美光亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來(lái)先生介紹,PCM的概念其實(shí)早在上世紀(jì)60年代就
- 關(guān)鍵字: PCM 存儲(chǔ)器 智能電表 芯片
三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機(jī)閃存卡
- 三星計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出相變內(nèi)存卡(PCM),旨在取代當(dāng)前手機(jī)等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。 相變內(nèi)存由相變材料制成,通過(guò)加熱材料形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與閃存存儲(chǔ)相比,相變內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)更加省電,預(yù)計(jì)可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間20%。 在速度方面,相變內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)更加明顯,其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示,相變內(nèi)存模塊預(yù)計(jì)于今年晚些時(shí)候下線,最初的容量為512MB。三星預(yù)計(jì),對(duì)于多種電子產(chǎn)品,相變內(nèi)存最終取代當(dāng)前的閃存技術(shù)。 值得一提的是,相變內(nèi)存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)所需溫度在150至600攝氏度之間,
- 關(guān)鍵字: 三星 PCM
恒憶推出新系列相變存儲(chǔ)器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者,今天宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù),具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性,適用于固線和無(wú)線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身,一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。今天,新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM,其寫(xiě)入速度有
- 關(guān)鍵字: NUMONYX PCM 相變存儲(chǔ)器
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng),恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求,擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí),進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì),與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲(chǔ)器解
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND NOR閃存 PCM
pcm-c3500介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)pcm-c3500的理解,并與今后在此搜索pcm-c3500的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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