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PCM串行數(shù)據(jù)流同步時鐘提取設(shè)計
- 摘要：為了產(chǎn)生語音調(diào)度系統(tǒng)中數(shù)據(jù)接收端異步接收PCM30／32路一次群串行數(shù)提流所需同步時鐘的目的，采用以分頻計數(shù)器為基礎(chǔ)模塊，輔以相位校正和誤校正處理模塊從已知速率PCM數(shù)據(jù)流中提取同步時鐘信號的方法，利用可
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化學氣相沉積鍺銻碲化物相變存儲器的商業(yè)化取得重大進展
- ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布，雙方在采用化學氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進展。兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進步，該化學氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)按比例縮小，而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術(shù)。由于具有獨特的性能，相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產(chǎn)品，且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品;PCM還能擠占相當大部分先進技術(shù)節(jié)點的DRAM的市場。 此項研究在高長寬比的
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PCM存儲器優(yōu)化智能電表成本和性能
- 新一代智能電表對成本和性能提出了更高的要求。而PCM(相變存儲器)作為新一代存儲器，對智能電表存儲架構(gòu)進行統(tǒng)一整合，優(yōu)化了電表成本和性能。2010年5月7日，美光(Micron)宣布并購恒憶。合并后，兩大存儲器芯片廠商將為客戶提供業(yè)內(nèi)最完整、最具創(chuàng)新性的產(chǎn)品組合，其中包括PCM產(chǎn)品。 PCM綜合性能高 PCM是利用特殊材料在加熱和冷卻過程中，通過晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化所表現(xiàn)出來的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)。 據(jù)美光亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來先生介紹，PCM的概念其實早在上世紀60年代就
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三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機閃存卡
- 三星計劃于今年晚些時候推出相變內(nèi)存卡(PCM)，旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。 相變內(nèi)存由相變材料制成，通過加熱材料形式來存儲數(shù)據(jù)。與閃存存儲相比，相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時更加省電，預計可延長電池續(xù)航時間20%。 在速度方面，相變內(nèi)存的優(yōu)勢更加明顯，其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內(nèi)存模塊預計于今年晚些時候下線，最初的容量為512MB。三星預計，對于多種電子產(chǎn)品，相變內(nèi)存最終取代當前的閃存技術(shù)。 值得一提的是，相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時所需溫度在150至600攝氏度之間，
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恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫入速度有
- 關(guān)鍵字： NUMONYX PCM 相變存儲器
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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