1 引言 隨著芯片集成程度的飛速提高，一個電子系統(tǒng)或分系統(tǒng)可以完全集成在一個芯片上，IC產(chǎn)業(yè)中形成了以片上系統(tǒng)SOC(System-on-Chip)技術為主的設計方式。同時IC設計能力和EDA工具卻相對落后于半導體工藝技術的發(fā)
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復用 技術 設計 IP AT90S1200 AVR
概覽 現(xiàn)代射頻儀器具有遠遠超過其前代產(chǎn)品的令人印象深刻的測量能力和精度。然而，如果不能提供高品質(zhì)的信號，這些儀器就不能充分發(fā)揮其潛能。完備的測量方法和注意事項可以保證您能夠充分獲取在射頻儀器上投資的
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射頻 技術 測量 測試儀器 如何 提高
電池(瓶)工作原理鉛酸蓄電池作為穩(wěn)定電源和主要的直流電源，工作原理為“雙硫酸鹽化理論”，電池的電極反應和電池反應如下：
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技術 簡介 修復 及其 工作 原理 電池
OFDM是一種多載波的數(shù)字傳輸體制，以其特有的優(yōu)勢被廣泛地應用到數(shù)字音頻廣播，數(shù)字電視廣播和無線寬帶等領域，并將進入到更多的領域中。對OFDM系統(tǒng)的仿真可以用軟件完成，但是對于硬件平臺的搭建往往需要大量的開銷
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發(fā)射 接收 系統(tǒng) OFDM 設計 NI 技術 基于
WinCE的嵌入式系統(tǒng)注冊表技術分析,摘要：本文首先講述了 Windows CE注冊表的重要性，它對整個嵌入式系統(tǒng)的正常運行起著關鍵性作用。然后又介紹了兩種注冊表存儲方式，并著重講述了基于 HIVE的注冊表。詳細闡述了基于 HIVE的注冊表的保存數(shù)據(jù)方式及實現(xiàn) HIVE注冊表的方法。最后給出了系統(tǒng)成功修改注冊表的實現(xiàn)方法。本文的研究對其它操作系統(tǒng)的注冊表修改也具有著借鑒意義。
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技術 分析 注冊表 系統(tǒng) 嵌入式 WinCE
一、概述太陽能的利用雖然有很多方法，但是像超大功率的太陽能發(fā)電站、家庭屋頂發(fā)電等都不適合中國的國情，唯一最簡單而最容易實現(xiàn)的是太陽能路燈。我國的路燈總數(shù)超過1億盞，只要其中的6000萬盞改成太陽能路燈，其每
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設計 應用 路燈 LED 技術 太陽能 驅(qū)動
基于多相技術的大型濾波器的實現(xiàn)方案,在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，到處都可以看到數(shù)字信號處理（ DSP ）的應用，從MP3播放器、數(shù)碼相機到手機。DSP設計人員的工具箱的支柱之一是有限脈沖響應（ FIR ）濾波器。FIR濾波器越長（有大量的抽頭），濾波器的響應越好。然
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實現(xiàn) 方案 濾波器 大型 多相 技術 基于
3D立體成像技術其實并不是一個新鮮事物。如果從時間上看,3D立體成像技術早在上個世紀中葉就已經(jīng)出現(xiàn)，比起現(xiàn)在主流的的液晶、等離子這些平板顯示技術，歷史更加悠久。 那么現(xiàn)在的3D電視，到底使用了哪些方式來實
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介紹 技術 成像 立體 3D
光電鼠標的原理
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應用 可行性 分析 領域 汽車 鼠標 技術 光電
條碼技術最早產(chǎn)生在風聲鶴唳的二十年代，誕生于Westinghouse的實驗室里。那時候?qū)﹄娮蛹夹g應用方面的每一個設想都使人感到非常新奇。他的想法是在信封上做條碼標記，條碼中的信息是收信人的地址，就象今天的郵政編碼
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應用 介紹 原理 技術 條碼
AS3676 是高度集成的CMOS功率和照明管理單元,適嗯移動手機或其它以一節(jié)鋰離子電池或3節(jié)NiMH 電池供電的設備.它集成了一個用于白背景光LED的升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,一個大功率電荷泵,一個ADC,13個電流沉,LED功能測試,一個兩
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技術 方案設計 管理 照明 AS3676 LED 基于
1 引言
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設計 應用 3G 技術 MIMO
一、前言 太陽能發(fā)電系統(tǒng)的價格一直居高不下！主要原因是因為太陽能的密度低！太陽照射到地面上的平均光強為1千瓦/平米；單晶硅的轉(zhuǎn)化率可以達到23%，多晶可以達到16%，薄膜只能可以達到8%。轉(zhuǎn)換效率最高的砷化鎵
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及其 解決 方法 難點 技術 發(fā)電 系統(tǒng) 光光
TPS61185是高度集成大尺寸LCD背光解決方案.器件包括內(nèi)置的高效率升壓穩(wěn)壓器和2.0A/40V功率MOSFET.8個電流沉穩(wěn)壓器具有高精度的電流穩(wěn)流和匹配(1%),支持多達80個LED,每串串聯(lián)多達10個LED.輸入電壓4.5V -21V, 開關頻率
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背光 技術 設計 LCD 尺寸 TPS61185 高度 集成 基于
Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
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DHBT 技術 集成電路 晶體管 異質(zhì) 雙極 GaAsSb
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