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          1972年1月1日，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        LSI  PMOS                          
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		      			      			      	PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管
　　全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 
　　別名 ： positive MOS 
　　金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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