pnp 功率晶體管文章進(jìn)入pnp 功率晶體管技術(shù)社區(qū)

npn和pnp的區(qū)別

　　導(dǎo)讀：據(jù)我所知，大多數(shù)人在應(yīng)用PNP與NPN的時(shí)候，都以為這兩個(gè)是相同的類型。其實(shí)，PNP與NPN的區(qū)別是有很多的，但是區(qū)別到底有哪些呢?接下來(lái)就隨小編一起學(xué)習(xí)一下吧~~~ 1.npn和pnp的區(qū)別--簡(jiǎn)介　　晶體三極管是由形成二個(gè)PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導(dǎo)體中間夾著1塊p型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為npn型三極管。我國(guó)生產(chǎn)的鍺三極管多為P
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出面向高頻應(yīng)用的450 V增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出450 V并通常處于斷開(kāi)狀態(tài)的增強(qiáng)型功率晶體管(EPC2027)，可用于需要高頻開(kāi)關(guān)的應(yīng)用，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率及功率密度。受惠于采用高壓并具備更快速開(kāi)關(guān)特性的器件的應(yīng)用包括超高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、醫(yī)療診斷儀器、太陽(yáng)能功率逆變器及發(fā)光二極管照明等應(yīng)用。　　EPC2027器件具備450 V額定電壓、400 m?最高導(dǎo)通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。器件使用含焊條的鈍化晶片，從而可以實(shí)現(xiàn)高效散熱及易于組裝。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出60 V增強(qiáng)型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過(guò)集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結(jié)果是增加效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2101最理想的應(yīng)用領(lǐng)域是高頻直流-直流轉(zhuǎn)換。　　在EPC2101半橋式元件內(nèi)，每一個(gè)器件的額定電壓是60 V。上面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
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意法半導(dǎo)體(ST)的600W - 250V RF晶體管采用最新高壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)體積更小、性能更可靠的E級(jí)工業(yè)電源

　　意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場(chǎng)領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝，可用于大輸出功率的E級(jí)工業(yè)電源。　　STAC250V2-500E的負(fù)載失匹率 (load-mismatch) 為20:1，處于市場(chǎng)最高水平，最大安全功率高達(dá)600W。與采用傳統(tǒng)陶瓷封裝的解決方案相比，0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司全力支持工程師參加谷歌與美國(guó)電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開(kāi)賽通過(guò)采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設(shè)計(jì)出超小型功率逆變器以勝出該挑戰(zhàn)賽。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開(kāi)賽的工程師創(chuàng)建更小體積的功率逆變器并贏取100萬(wàn)美元獎(jiǎng)金。由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開(kāi)關(guān)速度及小尺寸等優(yōu)勢(shì)，因此它是功率逆變器的理想晶體管。　　「Little
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Microsemi提供S波段 RF功率晶體管

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用，ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)。　　在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無(wú)與倫比的500
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高頻硅PNP晶體管3CG120高溫失效機(jī)理研究

摘要：為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對(duì)3CG120在不同溫度段的失效機(jī)理進(jìn)行了研究。通過(guò)對(duì)硅PNP型晶體管3CG120進(jìn)行170～340℃溫度范圍內(nèi)序進(jìn)應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)在170～240℃，240～2
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如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計(jì)中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動(dòng)車技術(shù)的演進(jìn)，逆變器驅(qū)動(dòng)技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入汽車領(lǐng)域，從空調(diào)機(jī)和加熱系統(tǒng)等低功率應(yīng)用，一直到驅(qū)動(dòng)和再生制動(dòng)系統(tǒng)等高功率應(yīng)用，所有這些系統(tǒng)的共通點(diǎn)是需要通過(guò)保護(hù)逆變器設(shè)計(jì)中的功率開(kāi)關(guān)晶體管來(lái)
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開(kāi)關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿現(xiàn)象及防護(hù)措施

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問(wèn)世，開(kāi)關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對(duì)電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍...
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IC Insight：2010功率晶體管市場(chǎng)達(dá)到新高

　　按IC Insight報(bào)道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長(zhǎng)31%,達(dá)到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達(dá)到創(chuàng)記錄的增長(zhǎng)32%后,此次的31%的增長(zhǎng)也是相當(dāng)亮麗。　　IC Insight預(yù)測(cè), 功率晶體管市場(chǎng)在2014年將達(dá)到145億美元, 而2009年為84億美元, 表示年均增長(zhǎng)率CAGR達(dá)12%,并預(yù)計(jì)未來(lái)5年內(nèi)出貨量的CAGR達(dá)到14%, 從2009年的371億個(gè)增加到713億個(gè)。　　在電池操作的移動(dòng)電子產(chǎn)品增長(zhǎng)以及全球更強(qiáng)調(diào)電子
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DSP與ISA總線PnP卡的接口技術(shù)研究

DSP與ISA總線PnP卡的接口技術(shù)研究,為解決多個(gè)總線設(shè)備共享系統(tǒng)總線時(shí)所帶來(lái)的系統(tǒng)底層資源的分配和再分配問(wèn)題,Microsoft公司在1993年以后相繼公布了即插即用PnP(Plug-and-Play)規(guī)范,包括的總線類型有ISA、EISA、PCMCIA、PCI、VESA及SCSI等。PnP技術(shù)提
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)

　　在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。　　從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
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英飛凌推出全新射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國(guó)將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動(dòng)電視廣播和其他移動(dòng)寬帶服務(wù)，其中包括LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)）和下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個(gè)55 W驅(qū)動(dòng)器及兩個(gè)輸出級(jí)晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。　　基于英飛凌先進(jìn)的LDMOS （橫向
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恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長(zhǎng)了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國(guó)喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。　　恩智浦R
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大電流 NPN 和 PNP LDO實(shí)現(xiàn)直接并聯(lián)和高功率密度

　　低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)長(zhǎng)期以來(lái)被認(rèn)為是低性能的廉價(jià)器件，尤其是在與相對(duì)復(fù)雜的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器相比時(shí)更是這樣，不過(guò)，性能提高已經(jīng)給簡(jiǎn)單和不顯眼的LDO 注入了新的活力。電源設(shè)計(jì)師正在從LDO性能的以下改進(jìn)中獲益。　　
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