pnp 功率晶體管 文章 進(jìn)入pnp 功率晶體管技術(shù)社區(qū)
我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（2）
- 1、PNP管做旁路晶體管時(shí)，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩(wěn)定，同時(shí)允許的功率耗散較小，應(yīng)小心在重載條件下使用。 2、因?yàn)榫w管的基極電流較大，導(dǎo)致當(dāng)晶體管做耗散管時(shí)，芯片的接地電流常常較大(幾個(gè)mA甚至數(shù)十個(gè)mA)，在電池供電的應(yīng)用中，這可能會(huì)大大縮短電池的壽命! 3、因?yàn)榫€性穩(wěn)壓器是通過消耗功率來獲得輸出電壓的穩(wěn)定，功率的消耗將主要轉(zhuǎn)化為熱量，因此，當(dāng)線性穩(wěn)壓器芯片太燙的時(shí)候，一定要考慮是否在其上消耗了過多的能量。 4、A/D轉(zhuǎn)換器的類型和特點(diǎn)：
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npn和pnp的區(qū)別
- 導(dǎo)讀：據(jù)我所知，大多數(shù)人在應(yīng)用PNP與NPN的時(shí)候，都以為這兩個(gè)是相同的類型。其實(shí)，PNP與NPN的區(qū)別是有很多的，但是區(qū)別到底有哪些呢?接下來就隨小編一起學(xué)習(xí)一下吧~~~ 1.npn和pnp的區(qū)別--簡介 晶體三極管是由形成二個(gè)PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導(dǎo)體中間夾著1塊p型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為npn型三極管。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為P
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出面向高頻應(yīng)用的450 V增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出450 V并通常處于斷開狀態(tài)的增強(qiáng)型功率晶體管(EPC2027)，可用于需要高頻開關(guān)的應(yīng)用，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率及功率密度。受惠于采用高壓并具備更快速開關(guān)特性的器件的應(yīng)用包括超高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、醫(yī)療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發(fā)光二極管照明等應(yīng)用。 EPC2027器件具備450 V額定電壓、400 m?最高導(dǎo)通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。器件使用含焊條的鈍化晶片，從而可以實(shí)現(xiàn)高效散熱及易于組裝。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出60 V增強(qiáng)型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結(jié)果是增加效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2101最理想的應(yīng)用領(lǐng)域是高頻直流-直流轉(zhuǎn)換。 在EPC2101半橋式元件內(nèi)，每一個(gè)器件的額定電壓是60 V。 上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
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意法半導(dǎo)體(ST)的600W - 250V RF晶體管采用最新高壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)體積更小、性能更可靠的E級(jí)工業(yè)電源
- 意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝，可用于大輸出功率的E級(jí)工業(yè)電源。 STAC250V2-500E的負(fù)載失匹率 (load-mismatch) 為20:1，處于市場最高水平，最大安全功率高達(dá)600W。與采用傳統(tǒng)陶瓷封裝的解決方案相比，0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司全力支持工程師參加谷歌與美國電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設(shè)計(jì)出超小型功率逆變器以勝出該挑戰(zhàn)賽。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創(chuàng)建更小體積的功率逆變器并贏取100萬美元獎(jiǎng)金。由于氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關(guān)速度及小尺寸等優(yōu)勢，因此它是功率逆變器的理想晶體管。 「Little
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Microsemi提供S波段 RF功率晶體管
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用，ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場大約100英里范圍的飛機(jī)。 在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500
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IC Insight：2010功率晶體管市場達(dá)到新高
- 按IC Insight報(bào)道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長31%,達(dá)到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達(dá)到創(chuàng)記錄的增長32%后,此次的31%的增長也是相當(dāng)亮麗。 IC Insight預(yù)測, 功率晶體管市場在2014年將達(dá)到145億美元, 而2009年為84億美元, 表示年均增長率CAGR達(dá)12%,并預(yù)計(jì)未來5年內(nèi)出貨量的CAGR達(dá)到14%, 從2009年的371億個(gè)增加到713億個(gè)。 在電池操作的移動(dòng)電子產(chǎn)品增長以及全球更強(qiáng)調(diào)電子
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。 從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場。同時(shí)，憑借筆記本電腦
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英飛凌推出全新射頻功率晶體管
- 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動(dòng)電視廣播和其他移動(dòng)寬帶服務(wù)，其中包括LTE（長期演進(jìn)）和下一代無線網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個(gè)55 W驅(qū)動(dòng)器及兩個(gè)輸出級(jí)晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。 基于英飛凌先進(jìn)的LDMOS （橫向
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恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。 恩智浦R
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pnp 功率晶體管介紹
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