<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> pol(point

          一季度全球?qū)拵в脩?hù)增加1600萬(wàn)

          • 據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu) Point Topic為寬帶論壇發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2012年第一季度,??全球?qū)拵в脩?hù)數(shù)量增長(zhǎng)1610萬(wàn),總線(xiàn)路超過(guò)6億。這一數(shù)字較上一季度環(huán)比上升2.7%,較去年同比增長(zhǎng)11.5%。這一統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明用戶(hù)增長(zhǎng)速度在加快——在過(guò)去18個(gè)月中,新增用戶(hù)總數(shù)超過(guò)1億。 按地區(qū)劃分,中國(guó)(4.4%)、俄羅斯(3.9%)和巴西(3.6%)一季度的增長(zhǎng)最為強(qiáng)勁,其中中國(guó)仍然是世界上最大的寬帶市場(chǎng),寬帶用戶(hù)總數(shù)高達(dá)1.379億。就寬帶接入技術(shù)而言,光纖接入增長(zhǎng)勢(shì)頭最猛,一季度上升
          • 關(guān)鍵字: Point Topic  有線(xiàn)寬帶  

          新型集成電路簡(jiǎn)化嵌入式POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

          • 新型集成電路簡(jiǎn)化嵌入式POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),LTC3770 工作細(xì)節(jié)在一般工作情況下,高端的 MOSFET 按照由單次計(jì)時(shí)器決定的固定時(shí)間間隔接通。當(dāng)高端的 MOSFET斷開(kāi)時(shí),低端的 MOSFET 接通,直到電流比較器 ICMP 跳變?yōu)橹?,然后再重新啟?dòng)單次計(jì)時(shí)器并啟動(dòng)下一個(gè)周期
          • 關(guān)鍵字: DC/DC  轉(zhuǎn)換器  設(shè)計(jì)  POL  嵌入式  集成電路  簡(jiǎn)化  新型  

          POL電源設(shè)計(jì)的優(yōu)化原則

          • 1 引言  當(dāng)我們?yōu)門(mén)I的DaVinci數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP)進(jìn)行POL電源解決方案設(shè)計(jì)時(shí),對(duì)基本電源技術(shù)的充分了解 ...
          • 關(guān)鍵字: POL  電源  優(yōu)化原則  

          負(fù)載點(diǎn)(POL)電源設(shè)計(jì)技術(shù)和參考設(shè)計(jì)

          • 處理器技術(shù)的發(fā)展  由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(P ...
          • 關(guān)鍵字: 負(fù)載點(diǎn)  POL  電源設(shè)計(jì)  

          POL 電源設(shè)計(jì)技術(shù)和參考設(shè)計(jì)

          • 處理器技術(shù)的發(fā)展
            由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸,內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來(lái)越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。5年或10年以前使用的
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  參考  技術(shù)  POL  電源  

          升特的超小型500mA雙POL穩(wěn)壓器是LDO的更高效率替代品

          •   在模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的供應(yīng)商升特公司(Semtech)今天宣布了其buck控制器平臺(tái)上的最新器件。新型SC197是一只500mA、雙輸出的負(fù)載點(diǎn)(POL)穩(wěn)壓器,它在一個(gè)超小超薄的2 x 3 x 0.6mm封裝中包含了兩個(gè)PWM調(diào)制DC-DC穩(wěn)壓器,整個(gè)設(shè)計(jì)解決方案的占位面積只有80mm2。SC197的小型體積與面積都能幫助設(shè)計(jì)者比使用兩只單通道開(kāi)關(guān)管的方案大大節(jié)省電路板空間,電源效率可高達(dá)94%,因而是LDO的更高效率替代品。SC197最適合用于便攜設(shè)備中的電源管理應(yīng)用,以及多電壓軌的低壓
          • 關(guān)鍵字: Semtech  穩(wěn)壓器  POL  

          單相PoL變換器的數(shù)字控制

          • 數(shù)字電源控制有時(shí)稱(chēng)為傳統(tǒng)模擬控制電源的管理和監(jiān)控,其定義與數(shù)字域中開(kāi)關(guān)電源的反饋回路和PWM產(chǎn)生緊密相關(guān)。這也包括電源的監(jiān)控和管理?! ?shù)字電源控制的好處是靈活性、易于板開(kāi)發(fā)。數(shù)字電源控制允許設(shè)計(jì)人員在最
          • 關(guān)鍵字: 控制  數(shù)字  變換器  PoL  單相  

          利用DC-DC非隔離式負(fù)載點(diǎn)(POL)電源模塊來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

          •   采用FPGA、DSP或微處理器設(shè)計(jì)是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分,也最花費(fèi)時(shí)間。系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)將主要精力集中于系統(tǒng)設(shè)計(jì)而受益匪淺,他們還需要解決諸如產(chǎn)品上市時(shí)間、實(shí)現(xiàn)小型化尺寸的問(wèn)題。使用最新一代DC-DC非隔離式
          • 關(guān)鍵字: 模塊  簡(jiǎn)化  設(shè)計(jì)  電源  POL  DC-DC  隔離  負(fù)載  利用  

          Intersil的新款電源模塊攻克5個(gè)最困難的電源難題

          •   全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Intersil公司今天宣布,推出緊湊、可擴(kuò)展的電源模塊ISL8200M。這個(gè)靈活的新模塊為設(shè)計(jì)者提供了易用的通用電源解決方案,可滿(mǎn)足各種各樣負(fù)載點(diǎn)(POL)電源的要求。   ISL8200M是10A、高度集成的POL穩(wěn)壓器,采用表面安裝的QFN封裝,內(nèi)部包含一個(gè)PWM控制器、功率MOSFET、功率電感器和相關(guān)的分立器件,是計(jì)算、通信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施,以及工業(yè)市場(chǎng)中各種應(yīng)用的理想之選。   現(xiàn)在,電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者已面臨著相當(dāng)多的挑戰(zhàn),而且應(yīng)用對(duì)性能的需求還在不
          • 關(guān)鍵字: Intersil  電源模塊  POL  

          一種POL終端匹配電源的熱模擬研究

          • 摘要:介紹了一種廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)器、CPU等高速信號(hào)端口的POL終端匹配電源的工作原理。根據(jù)電源各元器件的功耗,建立該電源的熱模型,并利用ICEPAK軟件對(duì)其進(jìn)行熱模擬仿真。通過(guò)仿真結(jié)果與實(shí)際測(cè)試結(jié)果的對(duì)比,確認(rèn)模
          • 關(guān)鍵字: 模擬  研究  電源  匹配  POL  終端  一種  

          Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列

          •   全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設(shè)備供應(yīng)商Point 35 Microstructures公司,今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊,進(jìn)一步擴(kuò)展其微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 單晶圓制造memsstar?產(chǎn)品系列。這項(xiàng)新增的技術(shù)將確保MEMS器件設(shè)計(jì)師得到更多的生產(chǎn)選擇,同時(shí)帶來(lái)了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處,從而使良率得到了最大的提升。   SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar? SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊,利用無(wú)水氫氟蒸汽(aH
          • 關(guān)鍵字: Point 35 Microstructures,SVR,MEMS  

          小而酷—SupIRBuck系列穩(wěn)壓器將面向PoL設(shè)計(jì)的單級(jí)轉(zhuǎn)換帶上新臺(tái)階(08-100)

          •   由于以下幾方面的原因,負(fù)載點(diǎn)(PoL)架構(gòu)成為目前功率系統(tǒng)的架構(gòu)選擇:首先,現(xiàn)代設(shè)備所需的低電壓使設(shè)計(jì)師可以顯著削減片上功耗,但是以如此低的電壓分配系統(tǒng)功率會(huì)造成功率損失。因此,這樣的設(shè)計(jì)很有意義:通過(guò)一條高壓總線(xiàn)來(lái)分配功率,并在接近使用點(diǎn)的地方進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。
          • 關(guān)鍵字: Parviz Parto  PoL  SupIRBuck  

          IBA基電源系統(tǒng)的保護(hù)電路(05-100)

          •   在很多計(jì)算和通信應(yīng)用中,非隔離負(fù)載點(diǎn)(niPOL)中間總線(xiàn)結(jié)構(gòu)(IBA)轉(zhuǎn)換器正在繼續(xù)替代通常的分布和中央電源系統(tǒng)方案。這種趨勢(shì)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力包括:系統(tǒng)電壓數(shù)的增加,較高的輸出電流,較嚴(yán)格的穩(wěn)壓要求和較低總系統(tǒng)成本。很多IBA/niPOL方案能滿(mǎn)足這些要求。但是,這種方案沒(méi)有從前一般方案中的保護(hù)機(jī)構(gòu)。
          • 關(guān)鍵字: IBA/POL  電源  
          共41條 2/3 « 1 2 3 »

          pol(point介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條pol(point!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)pol(point的理解,并與今后在此搜索pol(point的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門(mén)主題

          POL(Point    樹(shù)莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();