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          選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

          •   對(duì)于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用,負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對(duì)此類電壓水平的需求源自對(duì)更低內(nèi)核電壓的要求,這樣即使功率保持相同, 對(duì)這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會(huì)很明顯地增加。   自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置,當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個(gè)“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中,48V 的輸
          • 關(guān)鍵字: POL  MOSFET  

          MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

          •   一個(gè)采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達(dá)2mhz/相位下工作,并提供120a電流,且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。   與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比,功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今,并在可以預(yù)見的未來,開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1v或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言,開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  POL  電源  放大器  

          IR iPOWIR構(gòu)建模塊節(jié)省空間并簡化高效率POL降壓式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

          •   國際整流器公司推出新產(chǎn)品iP1206,為包括電信及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備在內(nèi)的同步降壓式應(yīng)用提供了全面優(yōu)化解決方案。   iP1206是iPOWIR集成電源轉(zhuǎn)換級(jí)產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品,適用于高達(dá)30A 的兩相單路輸出應(yīng)用或高達(dá) 15A 的雙獨(dú)立輸出。兩種選擇均采用了同步 180
          • 關(guān)鍵字: 國際整流器  POL  降壓式轉(zhuǎn)換器  電源  

          新型灌封式6A至12A DC-DC μModule穩(wěn)壓器系列

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: DC-DC  PCB  FPGA  POL  

          Linear推出DC/DC uModuleTM負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器

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