power-soi 文章 進(jìn)入power-soi技術(shù)社區(qū)
WakaWaka Power:太陽能移動(dòng)充電配件亮相
- 在欠發(fā)達(dá)地區(qū)和遭遇自然災(zāi)害的地方,人們往往無法獲得正常的照明電源,黑暗臨頭,會(huì)造成人們對黑暗的恐懼,所以光明最為重要,同時(shí)通過太陽能獲取光源是一個(gè)不錯(cuò)的辦法。Waka Waka Power是一款使用太陽能對iPhone、iPad、或是其他智能手機(jī)設(shè)備進(jìn)行充電的產(chǎn)品,基于上一代Waka Waka Power太陽能LED燈研發(fā)而成。 ? WakaWaka Power僅有口袋大小,內(nèi)置超級節(jié)能的太陽能電池,其擁有的能源管理系統(tǒng)據(jù)稱能夠保證高于同類產(chǎn)品200%的節(jié)能性。除了可對iPhone充
- 關(guān)鍵字: WakaWaka Power 太陽能 智能手機(jī)
Power Integrations 在中國贏得Fairchild Semiconductor專利案
- Power Integrations (納斯達(dá)克股票代碼:POWI) 今日宣布,經(jīng)過兩年多的專利訴訟,蘇州市中級人民法院近日裁定Power Integrations 公司在此訴訟案中未侵犯任何有關(guān)于Fairchild Semiconductor 以及其子公司System General所提出的技術(shù)專利。
- 關(guān)鍵字: Power Integrations Fairchild
ZigBee聯(lián)盟推具Green Power功能的免電池選項(xiàng)
- 為能源管理、商業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn)品創(chuàng)建無線解決方案的全球性企業(yè)生態(tài)系統(tǒng)ZigBee? 聯(lián)盟(ZigBee? Alliance) 今日宣布,該組織已開發(fā)出通過新型Green Power 功能來為ZigBee 產(chǎn)品供電的最環(huán)保的方法。開關(guān)和調(diào)光器等多種產(chǎn)品現(xiàn)在可以很容易地使用能量采集裝置來供電,而不是用電池或交流電源,一種免維護(hù)的環(huán)保解決方案由此誕生。該聯(lián)盟將于1月24日舉辦一場以Green Power 為主題的公眾網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)。 Green Power 是ZigBee PRO 功能集中的
- 關(guān)鍵字: ZigBee 電池 Green Power
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn),直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會(huì)議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí),而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
- 關(guān)鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
- 關(guān)鍵字: 門極驅(qū)動(dòng)光耦 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET
Power Integrations推出LYTSwitch LED驅(qū)動(dòng)器IC
- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)日前推出其最新的LED驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品系列,該系列器件針對消費(fèi)類、商用及工業(yè)照明應(yīng)用而設(shè)計(jì)。新推出的LYTSwitch? IC產(chǎn)品系列能夠在燈管替換應(yīng)用和高棚燈照明中實(shí)現(xiàn)精確穩(wěn)壓和高效率,同時(shí)在可控硅調(diào)光燈泡應(yīng)用中提供出色的性能。
- 關(guān)鍵字: Power LED 驅(qū)動(dòng)器
華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級,達(dá)到更高的性價(jià)比,這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù),具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字: 華潤微電子 半導(dǎo)體 SOI
power-soi介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條power-soi!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473