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英特爾公司開發(fā)超低功耗制程

　　2005 年 9 月 21 日，北京訊――當(dāng)前，英特爾公司正致力開發(fā)其高性能65 納米（nm）邏輯制程的超低功耗版，以支持面向移動(dòng)平臺(tái)和小型設(shè)備的超低功耗芯片的生產(chǎn)。這種超低功耗制程將會(huì)是英特爾第二代基于65 納米制造技術(shù)的芯片制程。　　英特爾65 納米（1 納米是 1 米的十億分之一）高性能制程較英特爾當(dāng)前行業(yè)領(lǐng)先的 90 納米制程在功耗和性能方面雙雙勝出。英特爾此種超低功耗65納米的工藝制程為英特爾芯片設(shè)計(jì)人員提供了更多選擇，以滿足電控設(shè)備用戶對(duì)于電路密度、性能及功耗的各種需求。　　英特爾
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三相高頻PWM整流器的預(yù)測(cè)電流控制

研究了三相高頻PWM整流器的數(shù)學(xué)模型，分析了預(yù)測(cè)電流控制方法的基本原理，給出了電壓控制環(huán)路計(jì)算的方法。最后給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
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LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2) 　　假設(shè)被測(cè)的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC，那么由公式可得需要測(cè)試的電壓值個(gè)數(shù)為：　　256（顏色深度）ｘ384（pin數(shù)）ｘ2(Dot 翻轉(zhuǎn)）＝196,608　　一般的DC測(cè)試部件的測(cè)試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS，由此可知測(cè)試時(shí)間將會(huì)比較長(zhǎng)。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測(cè)試時(shí)間根本無(wú)法讓人接受，因此在進(jìn)行此類測(cè)試時(shí)需要使用數(shù)字采樣器（Dig
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低功耗32位微控制器采用ARM9內(nèi)核

低功耗32位微控制器采用ARM9內(nèi)核IC Insights的調(diào)研報(bào)告顯示，到2008年，預(yù)計(jì)微控制器市場(chǎng)總值將從2004年的120億美元增長(zhǎng)至160美元。而微控制器市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域是32位微控制器細(xì)分市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2008年將超過(guò)71億美元（年復(fù)合增長(zhǎng)率約為20%）?！　★w利浦半導(dǎo)體公司在推出32位LPC2000 ARM7標(biāo)準(zhǔn)微控制器的基礎(chǔ)上，最近又推出首個(gè)基于ARM9內(nèi)核、采用90nm工藝制造的系列 32 位微控制器產(chǎn)品LPC3000?！　★w利浦半導(dǎo)體微控制器產(chǎn)品線總監(jiān)Geoff Lees說(shuō)，目前系統(tǒng)設(shè)
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LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國(guó)已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?！　CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大，從測(cè)試原理上來(lái)說(shuō)也就會(huì)有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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德州儀器在小區(qū)網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)上頻傳捷報(bào)，碩果累累

TI 業(yè)界領(lǐng)先的 AR7 堪稱全球最受好評(píng)的 DSL CPE 解決方案日前，德州儀器 (TI) 宣布其近期在不斷增長(zhǎng)的小區(qū)網(wǎng)關(guān) (RG) 市場(chǎng)上取得了輝煌業(yè)績(jī)。截至第三季度末，TI 預(yù)計(jì)向市場(chǎng)提供的 DSL CPE 及 CO 端口數(shù)量將超過(guò) 1 億，而且自其旗艦 RG 平臺(tái) AR7 片上調(diào)制解調(diào)器于 2003 年部署以來(lái)，其端口發(fā)貨量已達(dá) 3 千萬(wàn)件。諸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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高級(jí)門驅(qū)動(dòng)器 IC 技術(shù)可提高同步整流器應(yīng)用的效率

高級(jí)門驅(qū)動(dòng)器 IC 技術(shù)可提高同步整流器應(yīng)用的效率當(dāng)今眾多高頻率與高效率同步整流器應(yīng)用均需要強(qiáng)大可靠的門驅(qū)動(dòng)電路，該電路可將具有快速切換轉(zhuǎn)換及軌對(duì)軌輸出電壓擺動(dòng)的高峰值電流傳遞到大型電容性負(fù)載中。在大多情況下，設(shè)計(jì)人員會(huì)添加外部 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 來(lái)完成這一任務(wù)，這種方法在業(yè)界中非常普遍。采用全套 MOSFET 制造工藝為出發(fā)點(diǎn)在最初看來(lái)可能是門驅(qū)動(dòng)器 IC 的最佳選擇，但實(shí)際上，采用結(jié)合 MOSFET 結(jié)構(gòu)的組合型高速雙極工藝技術(shù)才能達(dá)到卓越的性能，并且還可提供 MOSFET 制
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第二代國(guó)產(chǎn)多媒體IC“星光移動(dòng)二號(hào)”問(wèn)世

昨天，國(guó)家移動(dòng)多媒體技術(shù)聯(lián)盟在京隆重推出完全擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多媒體技術(shù)芯片“星光移動(dòng)二號(hào)”芯片。負(fù)責(zé)研發(fā)該芯片的中星微電子副總裁張輝表示，此款芯片的推出，大大降低了手機(jī)的制造和使用成本，使得以往只有在昂貴的高端手機(jī)中才能支持的娛樂(lè)功能，被廣泛地使用到中低端手機(jī)中。此外，該芯片還為平民化的3G業(yè)務(wù)應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會(huì)議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對(duì)新一代低成本、低功耗、高密度消費(fèi)性電路的超小型制程選項(xiàng)－使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計(jì)規(guī)則，在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。　　Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國(guó)Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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亞洲IC設(shè)計(jì)公司今年平均收入比2004增22%

環(huán)球資源對(duì)中國(guó)內(nèi)地、臺(tái)灣地區(qū)及韓國(guó)174家IC設(shè)計(jì)公司年度營(yíng)運(yùn)情況的調(diào)查，調(diào)查結(jié)果顯示今年IC設(shè)計(jì)公司的平均收入將達(dá)到980萬(wàn)美元，比2004年上升22%。　　05年具體的平均收入的調(diào)查結(jié)果是：中國(guó)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)公司預(yù)計(jì)將達(dá)到1200萬(wàn)美元，比2004年增加13%；韓國(guó)IC設(shè)計(jì)公司預(yù)計(jì)將達(dá)到800萬(wàn)美元，比2004年增加57%；中國(guó)內(nèi)地IC設(shè)計(jì)公司將達(dá)到800萬(wàn)美元，比2004年增加27%。
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IC Insights 列出今年半導(dǎo)體五大熱門產(chǎn)品

市場(chǎng)研究公司IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，2005年最熱門的半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)是工業(yè)/專業(yè)用途的邏輯芯片和 NAND型閃存，而MOS閘門陣列(gate array) 和NOR型閃存市場(chǎng)則會(huì)出現(xiàn)較大幅度的衰退。　　IC Insights這份報(bào)告將2005年半導(dǎo)體產(chǎn)品列為“熱門”和“普通”兩類。前5大熱門產(chǎn)品中，工業(yè)/專業(yè)用途邏輯芯片預(yù)期增長(zhǎng)率最快可達(dá)49%，接下來(lái)依序是無(wú)線專業(yè)用途邏輯芯片(增長(zhǎng)46%)
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近年我國(guó)IC企業(yè)集群性增強(qiáng)經(jīng)濟(jì)規(guī)模高增長(zhǎng)

近年來(lái)，我國(guó)以設(shè)計(jì)自有IC產(chǎn)品為主的設(shè)計(jì)公司發(fā)展迅速，呈現(xiàn)出集群性增強(qiáng)經(jīng)濟(jì)規(guī)模高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)， IC設(shè)計(jì)業(yè)進(jìn)入建立和完善產(chǎn)業(yè)鏈架構(gòu)階段， IC設(shè)計(jì)產(chǎn)品開發(fā)實(shí)現(xiàn)了中低高多元化共存。2000年－2004年的5年，全國(guó)設(shè)計(jì)業(yè)銷售額的年平均增長(zhǎng)率為106%，高出世界設(shè)計(jì)業(yè)同期的81個(gè)百分點(diǎn)左右，比我國(guó) 臺(tái)灣省設(shè)計(jì)業(yè)也高出76個(gè)百分點(diǎn)。　　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)副秘書長(zhǎng)趙建忠介紹，自1986年北京集成電路設(shè)計(jì)中心成立以來(lái)，到1
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力晶用第二座12英寸廠　將導(dǎo)入90納米制程

6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠正式啟用，2000年時(shí)其第一座12英寸廠正式動(dòng)土，董事長(zhǎng)黃崇仁便許下諾言，未來(lái)投資我國(guó)臺(tái)灣絕對(duì)不會(huì)因經(jīng)濟(jì)因素而有所改變，并承諾接下來(lái)每2年要再興建1座全新12英寸廠，如今在12A及12B廠相繼完工啟用后，力晶為展現(xiàn)其深耕我國(guó)臺(tái)灣的決心，未來(lái)將再投入約新臺(tái)幣2,000億元（約合人民幣530.2億元）建造第三座及第四座12英寸廠，屆時(shí)有高達(dá)95％比重用于投資我國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)。據(jù)港臺(tái)
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英飛凌和南亞科技聯(lián)合宣布90納米制程技術(shù)研發(fā)成功并開始批量生產(chǎn)

英飛凌科技公司和南亞科技公司近日聯(lián)合宣布，由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國(guó)德累斯頓研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)的90納米DRAM技術(shù)成功通過(guò)認(rèn)證。兩家公司聯(lián)合開發(fā)的90納米內(nèi)存產(chǎn)品獲得了主要客戶的認(rèn)可，并通過(guò)了英特爾的驗(yàn)證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產(chǎn)線上，90納米DRAM產(chǎn)品已經(jīng)開始批量生產(chǎn)。作為全球第二個(gè)引進(jìn)90納米技術(shù)的DRAM制造商，英飛凌在5月底之前已經(jīng)成功將其DRAM全球產(chǎn)量的5%從110納米工藝轉(zhuǎn)換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺(tái)灣華亞半導(dǎo)體公司現(xiàn)在已經(jīng)開始向90納米技術(shù)轉(zhuǎn)型。提前采
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專家提出加速發(fā)展我國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的五大對(duì)策

2004年，全國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)（不包括香港和臺(tái)灣地區(qū)）的銷售額為81.5億元，增長(zhǎng)81.5%，占同期全國(guó)半導(dǎo)體銷售額的份額達(dá)14.9%，這一銷售額與我國(guó) 臺(tái)灣省和世界IC設(shè)計(jì)業(yè)相比，分別是他們的12.3%和3%，差距頗大。　　對(duì)此，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)副秘書長(zhǎng)趙建忠提出了加速發(fā)展我國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的五大對(duì)策：　　一是，實(shí)施人才工程戰(zhàn)略，建立完善的人才架構(gòu)和人才成長(zhǎng) 環(huán)境。　　政府應(yīng)加強(qiáng)
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