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電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無止境
- 5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)電源管理的前沿趨勢(shì)我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
- 關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM
高效節(jié)能！Silicon Mitus汽車用AVN電源管理IC亮相
- 電源管理半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)公司Silicon Mitus 近日推出用于汽車車載主機(jī)(AVN)的SoC電源管理IC “SM6700Q”。通過汽車AVN電源管理IC能夠從汽車電池流入的電源有效切換、分配及控制于車輛SoC平臺(tái)上。另外，新產(chǎn)品SM6700Q高度符合汽車AVN的SoC上所需要的電源、CPU、存儲(chǔ)、I/O和I/F等各種電源需求。SM6700Q的特征為：支持3.5~5.5V輸入范圍；搭載6個(gè)降壓穩(wěn)壓器 (Buck Regulator) 和6個(gè)LDO Regulator；具有4CH的10-bit模擬數(shù)字變換
- 關(guān)鍵字： PMIC AVN IC SoC QFN
新型F1490射頻放大器具有超低靜態(tài)電流可降低功耗、提高增益鏈路余量，且性能穩(wěn)定
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其強(qiáng)大的射頻放大器產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品F1490，可提供遠(yuǎn)低于競(jìng)品的靜態(tài)電流（75mA）。F1490作為第二代高增益2級(jí)射頻放大器，涵蓋從1.8 GHz到5.0 GHz的關(guān)鍵sub-6GHz 5G頻段。F1490為設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化發(fā)射鏈路的器件選型、消除增益模塊并保持增益余量，同時(shí)提供兩種可選的增益模式，從而為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來更高靈活性、更低功耗和更強(qiáng)大性能。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru?表示：“F149
- 關(guān)鍵字： QFN CATV RF IF
Imagination推出支持成本敏感型應(yīng)用的iEW410知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品
- Imagination Technologies?近日宣布推出基于其Ensigma Wi-Fi技術(shù)的最新知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品?IMG iEW410?。為滿足中低端市場(chǎng)的需求，Imagination在其最新發(fā)布的IMG iEW400基礎(chǔ)上又開發(fā)了iEW410，旨在滿足入門級(jí)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備等成本敏感型應(yīng)用的通信要求。iEW410基于最新的IEEE 802.11ax Wi-Fi標(biāo)準(zhǔn)，可通過如下一系列新功能提供更強(qiáng)大的性能、吞吐量和節(jié)能性：●? &
- 關(guān)鍵字： IoT IP TWT OFDMA DCM PMU QFN UMAC
東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進(jìn)的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
- 關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET
德州儀器推出堆棧式DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)高電流FPGA和處理器電源的功率密度更大化
- 德州儀器（TI）近日推出業(yè)界首款可堆疊多至四個(gè)集成電路（IC）的新型40-A SWIFTTM?DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器。TPS546D24A?PMBus降壓轉(zhuǎn)換器可在85°C的環(huán)境溫度下提供高達(dá)160A的輸出電流，比市場(chǎng)上其他功率集成電路高四倍。在眾多40A DC/DC轉(zhuǎn)換器中，TPS546D24A效率更高，能夠在高性能數(shù)據(jù)中心、企業(yè)計(jì)算、醫(yī)療、無線基礎(chǔ)設(shè)施以及有線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中將功耗降低1.5W?？s小電源尺寸并優(yōu)化熱性能解決方案尺寸和熱性能是工程師為現(xiàn)代現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）設(shè)計(jì)電源的
- 關(guān)鍵字： QFN IC
QFN封裝之薄型電源模塊
- 2019年10月9日于格蒙登–RECOM最新推出的DC/DC轉(zhuǎn)換器系列是薄型QFN封裝中尺寸最小的降壓型穩(wěn)壓器。RPX-2.5模塊采用倒裝芯片技術(shù)，可提高功率密度并改善熱管理，因此性能十分出色。RECOM的新型電源模塊采用高功率密度4.5mm x 4mm x 2mm熱增強(qiáng)型QFN封裝。RPX-2.5提供4.5至28VDC的輸入范圍，可接受5V、12V或24V電源電壓。由兩個(gè)電阻設(shè)置的輸出電壓范圍為1.2V至6V。最大輸出電流為2.5A，具有完整的連續(xù)短路、輸出過流或過溫保護(hù)。模塊的效率高達(dá)91%，同時(shí)采用
- 關(guān)鍵字： QFN 電源模塊 RECOM
高成本效益的實(shí)用系統(tǒng)方法 解決QFN-mr BiCMOS器件單元測(cè)試電源電流失效問題
- 摘要本文探討一套解決芯片單元級(jí)電測(cè)試過程電源電流失效問題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)芯片進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)備期時(shí)，電源電流失效是一個(gè)進(jìn)退維谷的制造難題。
- 關(guān)鍵字： QFN-mrBiCMOS 意法半導(dǎo)體
高成本效益的實(shí)用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測(cè)試電源電流失效問題
- 摘要 本文探討一套解決芯片單元級(jí)電測(cè)試過程電源電流失效問題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)芯片進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)備期時(shí)，電源電流失效是一個(gè)進(jìn)退維谷的制造難題?！ ”疚慕榻B了數(shù)種不同的失效分析方法，例如，數(shù)據(jù)分析、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)、流程圖分析、統(tǒng)計(jì)輔助分析和標(biāo)桿分析，這些分析方法對(duì)確定問題的根源有很大的幫助，然后使用統(tǒng)計(jì)工程工具逐步濾除可變因素?！ ”卷?xiàng)目找到了電流失效問題的根源，并采用了相應(yīng)的解決措施，使電源電流失效發(fā)生率大幅
- 關(guān)鍵字： BiCMOS QFN-MR
小間距QFN封裝PCB設(shè)計(jì)串?dāng)_抑制分析
- 一、引言 隨著電路設(shè)計(jì)高速高密的發(fā)展趨勢(shì)，QFN封裝已經(jīng)有0.5mm pitch甚至更小pitch的應(yīng)用。由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區(qū)域的串?dāng)_問題也隨著傳輸速率的升高而越來越突出。對(duì)于8Gbps及以上的高速應(yīng)用更應(yīng)該注意避免此類問題，為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對(duì)PCB設(shè)計(jì)中由小間距QFN封裝引入串?dāng)_的抑制方法進(jìn)行了仿真分析，為此類設(shè)計(jì)提供參考。 二、問題分析 在PCB設(shè)計(jì)中，QFN封裝的器件通常使用微帶線從TOP或者BOTTOM層扇出。對(duì)于小間距的QFN
- 關(guān)鍵字： QFN PCB
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