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Mobile RAM防線恐失守
- 行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動裝
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
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