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非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD
- NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出，F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異，因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時，仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲器還擁有持久型儲存的功能
- 關鍵字： 存儲器 SSD
?NAND缺口達顛峰 推升SSD價漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 DRAM
- 關鍵字： ?NAND SSD
技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
- 關鍵字： NAND SSD
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
- 關鍵字： SSD 3D NAND
兆易創(chuàng)新擴大供應商布局 買下憶正武漢SSD廠
- 業(yè)界領先的存儲器和控制器供應商兆易創(chuàng)新 (Gigadevice)上市剛滿一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買下固態(tài)硬盤(SSD)供應商憶正科技位于武漢的廠房，開啟并購之路。而憶正科技出售武漢廠房后，將專心朝特殊型SSD和智能手機內(nèi)置eMMC技術(shù)做研發(fā)。據(jù)了解，兆易創(chuàng)新為了擴大供應商布局，目前除了與中芯國際合作外，也在與華力微電子和武漢新芯合作。 當前世界中，有三家供應商憑借SPI NOR Flash在消費應用領域中取得了成功，兆易位列其一，另外兩家是臺灣的旺宏和華邦，這三家公司合
- 關鍵字： 兆易創(chuàng)新 SSD
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