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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍海
- DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展，由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品，以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動機提升等因素帶動，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺系業(yè)者市占率將達近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。 TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區(qū)智能型手
- 關(guān)鍵字： a-Si TDDI
回顧全球平板顯示行業(yè)的2015：新格局 新常態(tài)
- 2015年，對于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產(chǎn)業(yè)進入深度調(diào)整和高速發(fā)展期，轉(zhuǎn)型升級步伐不斷加快，產(chǎn)品競爭日益激烈;國內(nèi)來看，產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴大，核心競爭力逐步增強，液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏?？傊?015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術(shù)提升和創(chuàng)新帶來的變革，也有市況與價格戰(zhàn)帶來的重重考驗;既有順應(yīng)市場需求而快速崛起的新勢力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對行業(yè)進行梳理和總結(jié)，通過七個關(guān)鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年， 同時提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，以窺2016。
- 關(guān)鍵字： 平板 a-Si
主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代
- TrendForce旗下光電事業(yè)處WitsView最新研究報告顯示，2015年全球智能手機面板出貨有機會達到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規(guī)格的智能手機面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規(guī)格的智能手機面板出貨比重也有機會由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。 WitsView資深研究經(jīng)理范博毓表示，F(xiàn)HD機種往中端手機市場擴張的態(tài)勢確
- 關(guān)鍵字： a-Si LTPS
一種基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅(qū)動電路設(shè)計
- 1 PMM8713的功能特點 PMM8713是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進電機。PMM8713在控制二相或四相步進電機時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁，2相勵磁，1-2相勵磁三種勵磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強，其原理框圖如圖1所示。 在PMM8713的內(nèi)部電路中，時鐘選通部分用于設(shè)定步進電機的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
- 關(guān)鍵字： PMM8731 SI-7300
世強啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會
- 由中國最大本土分銷企業(yè)世強攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師，Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場，帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計技術(shù)?！ ”敬螘h主題涉及： 1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實現(xiàn)超低功耗設(shè)計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計與應(yīng)用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產(chǎn)品上市時間
- 關(guān)鍵字： 世強 SI ARM MCU GPS
NEC斥資1億美元收購萬向集團蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)
- 3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯(lián)合，目標(biāo)瞄準的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商，并有助于其實現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略?！ ?jù)悉，NEC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT)，以及
- 關(guān)鍵字： NEC 萬向 A123Systems SI ICT
Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強型卡扣式功率鋁電容器
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機控制和電源而設(shè)計的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
- 關(guān)鍵字： Vishay 電容器 159 PUL-SI
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