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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場！RISC-V開源芯片技術(shù)成焦點

中美科技競爭又有新動向。美國政府正面臨國會壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開源性使得這項技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日報導(dǎo)，這一次的爭議焦點主要集中在RISC-V上，這是一種開放原始碼架構(gòu)，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機芯片到先進人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問題采取行動，
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基于Microchip MCU的汽車流水轉(zhuǎn)向燈方案

此方案的主要芯片選用汽車級MCU PIC16F15324-I/SLVAO，輸出11個信道，每信道控制2顆LED，形成流水燈效果。LY E67F是OSRAM 汽車級高亮LED，廣泛應(yīng)用于汽車轉(zhuǎn)向燈，尾燈等應(yīng)用。方案應(yīng)用于汽車流水轉(zhuǎn)向燈及汽車高位剎車燈。1、流水燈的通斷電時間需要根據(jù)閃光器的實際時間進行調(diào)整。2、PCB 請根據(jù)實際產(chǎn)品尺寸來設(shè)計并考慮散熱，主要發(fā)熱元件：LED燈珠、68歐電阻、三極管。3、正式生產(chǎn)時請將代碼保護開啟：#pragma config CP = ON 也可以直接在MCC中配
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上新!100%國產(chǎn)物料認(rèn)證,米爾入門級國產(chǎn)核心板全志T113-i方案

自米爾國產(chǎn)全志T113系列的核心板發(fā)布以來，這款高性價比、低成本、入門級、高性能的國產(chǎn)核心板咨詢不斷，配套的開發(fā)板已經(jīng)成交量數(shù)百套，深受工程師們的青睞，為了集齊T113全系列的產(chǎn)品，這次米爾發(fā)布了基于全志T113-i處理器的核心板和開發(fā)板，讓廣大工程師有了更多的選擇。接下來看看T113-i這款國產(chǎn)核心板的性能和優(yōu)勢。MYC-YT113i國產(chǎn)核心板真正的國產(chǎn)核心板，100%國產(chǎn)物料認(rèn)證核心板采用100%國產(chǎn)物料，經(jīng)賽寶實驗室權(quán)威認(rèn)證，物料自主可控，產(chǎn)品生命周期長，全面驗證國產(chǎn)化，終端用戶可放心選用。圖&nb
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SABIC創(chuàng)新解決方案榮膺2023年“R&D 100”研發(fā)大獎

沙特基礎(chǔ)工業(yè)公司（SABIC）憑借其創(chuàng)新解決方案斬獲全球科創(chuàng)領(lǐng)域重磅獎項——2023年“R&D 100 ”研發(fā)大獎。此次獲獎?wù)蔑@了SABIC對于各領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，助力全球客戶開發(fā)優(yōu)異的解決方案，獲得業(yè)務(wù)成功。R&D 100大獎由美國《R&D World》雜志評選。今年，SABIC憑借其可達到CTI0的新型聚碳酸酯樹脂在“機械/材料”類別的評選中脫穎而出。同時，SABIC可持續(xù)發(fā)展與科技創(chuàng)新執(zhí)行副總裁鮑勃·莫恩博士也在“專業(yè)人士”類別被《R&D World》雜志評選為
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！

隨著PD3.1協(xié)議的市場應(yīng)用越來越多，市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能，這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源，在
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蘋果與Arm達成長期協(xié)議，加強合作的同時不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設(shè)計公司Arm提交給美國證券交易委員會（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論，蘋果也沒有立即回復(fù)置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設(shè)計授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機芯片領(lǐng)域95%以上的市場份額，包括平板電腦等，實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下：1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
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RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國峰會，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。后摩爾時代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計算場景復(fù)雜多變，RISC-V設(shè)計的初衷便是覆蓋各種計算場景，這與時代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進入高性能應(yīng)用場景已成必然。在2
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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RISC-V工委會正式成立

據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會RISC-V工作委員會正式成立。RISC-V工委會是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會團體，是中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會（簡稱“中電標(biāo)協(xié)”）所屬分支機構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評估、知識產(chǎn)權(quán)保護、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導(dǎo)國內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實
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國家支持，RISC-V 工委會正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會 RISC-V 工作委員會正式成立，賽昉科技當(dāng)選副會長單位。中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會 RISC-V 工作委員會，簡稱：RISC-V 工委會，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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RISC-V的下一個爆發(fā)點在哪里？

開源的 RISC-V 已成為中國業(yè)界最受歡迎的芯片架構(gòu)。
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如何有效使用RISC-V的跟蹤技術(shù)

在嵌入式軟件開發(fā)中，利用完整的應(yīng)用跟蹤，可為開發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無限的可能性。通過對應(yīng)用程序的全面了解，他們可以跟蹤每一條指令，看看他們的應(yīng)用程序是否按照預(yù)期運行，或者是否出現(xiàn)錯誤或漏洞。那么，如何才能最大化地利用現(xiàn)有可用的RISC-V跟蹤呢？什么是跟蹤？與傳統(tǒng)的通過設(shè)置斷點、printf等進行調(diào)試相比，跟蹤更像是在不打擾的情況下觀察你的應(yīng)用程序?；旧希_發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀察整個程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執(zhí)行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟蹤數(shù)據(jù)被捕獲，你可
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芯片大廠扎堆「偷師」中國半導(dǎo)體發(fā)展良方

近一年來，國際半導(dǎo)體大廠「抱團取暖」的現(xiàn)象頻頻出現(xiàn)，而這在過去多年內(nèi)是很少見的。由于全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)大都聚集在美國，歐洲，日本，以及中國臺灣地區(qū)，因此，這一波大廠抱團依然逃不出這幾個地區(qū)，有 3 個最具代表性。按時間順序，首先抱團形成的是 Rapidus，它是由日本政府領(lǐng)銜，聯(lián)合豐田汽車、索尼、NEC、鎧俠、軟銀等 8 家日本企業(yè)，于 2022 年 8 月合作成立的，被視為日本重返半導(dǎo)體先進制程市場的重要投資案。Rapidus 與 IBM 深度合作，獲得了后者 2nm 制程技術(shù)授權(quán)，預(yù)計將投入 5 兆
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