ram-x24c45器件 文章 進(jìn)入ram-x24c45器件技術(shù)社區(qū)
MCX A系列微處理器之供電系統(tǒng)
- 全新的MCX A系列融合了恩智浦通用MCU的特點，適用更為廣泛的通用應(yīng)用，實現(xiàn)了低成本，低功耗，高安全性和高可靠性。MCXA153是MCX A系列的第一款產(chǎn)品，已于2024年1月份上市，為低成本入門MCU應(yīng)用提供了豐富的功能和特性。后續(xù)MCX A系列還會繼續(xù)推出新產(chǎn)品，為客戶提供持續(xù)的硬件和軟件的可擴(kuò)展升級路徑。一起來了解一下MCX A最新產(chǎn)品的供電系統(tǒng):MCXA153的供電系統(tǒng)從MCXA153的供電框圖可以看出，跟MCX N系列相比， MCX A系列的供電簡單了很多。首先是System Domain,
- 關(guān)鍵字： MCX RAM
英飛凌擴(kuò)展集成ECC的抗輻射異步靜態(tài)RAM產(chǎn)品線
- 【2024年1月15日，德國慕尼黑訊】衛(wèi)星上的邊緣計算和推理可實現(xiàn)近乎實時的數(shù)據(jù)分析和決策制定。隨著聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量及其產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長，這一點變得愈發(fā)重要。為滿足太空應(yīng)用中的這些高性能計算需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專利技術(shù)RADSTOP?設(shè)計的最新抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。全新產(chǎn)品專為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 嵌入式糾錯碼 ECC 抗輻射 異步靜態(tài) RAM 極端環(huán)境
2024年智能手機(jī)RAM將從20GB起跳？
- 近期，外媒Wccftech報道，2024年流行趨勢之一是終端AI，現(xiàn)內(nèi)建于多款芯片組，如Snapdragon 8 Gen 3、天璣9300和Exynos2400。又有新消息提出，有AI功能的智能手機(jī)需要更多內(nèi)存，內(nèi)建AI功能的Android手機(jī)內(nèi)存容量至少20GBRAM將成為標(biāo)準(zhǔn)。8GB RAM雖仍是Android智能手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)，但已看到比多數(shù)筆電或PC更高內(nèi)存的手機(jī)，雖還沒成為標(biāo)配。為了讓將來設(shè)備AI影像功能順利執(zhí)行，Android手機(jī)需要至少12GB RAM，因AI應(yīng)用及其他功能都需要超過20GB
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) RAM
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車規(guī)級串行EXCELON F-RAM及新型4Mbit F-RAM
- 汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設(shè)備的需求，這些設(shè)備能夠即時捕獲關(guān)鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲數(shù)據(jù)長達(dá)數(shù)十年。近日，英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級串行F-RAM存儲器。這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認(rèn)證，支持更寬泛的溫度范圍（-40°C 至+125°C ），補(bǔ)充了存儲密度從4Kbit到16Mbit不等的車
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 數(shù)據(jù)記錄存儲器 F-RAM
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
- 關(guān)鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC
格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術(shù)，加強(qiáng)存儲器產(chǎn)品組合
- 當(dāng)?shù)貢r間2月9日，晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購瑞薩電子（Renesas）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲器（CBRAM）技術(shù)，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現(xiàn)家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動設(shè)備的一系列應(yīng)用。格芯表示，這項交易進(jìn)一步加強(qiáng)了格芯的存儲器產(chǎn)品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案，擴(kuò)展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。這項技術(shù)將使客戶能夠進(jìn)一步區(qū)分其SoC設(shè)計，并推動新一代安全和智能
- 關(guān)鍵字： 格芯 瑞薩 易失性電阻式 RAM 存儲器
中國信通院：Q3 我國上市手機(jī)中 RAM 為 2GB 及以上的款型占比為 84.6%
- IT之家 12 月 28 日消息，中國信通院今日發(fā)布的《國內(nèi)手機(jī)產(chǎn)品交互載體特性監(jiān)測報告》顯示，2022 年第三季度，我國手機(jī)大屏化、高分辨率化、高像素攝像頭配置、高內(nèi)存配置等性能特點集中體現(xiàn)在 5G 手機(jī)產(chǎn)品，5G 手機(jī)繼續(xù)呈現(xiàn)高性能化的發(fā)展趨勢；手機(jī)攝像頭高像素占比穩(wěn)步增長。IT之家了解到，從中國信通院公布的數(shù)據(jù)來看，2022 年第三季度我國上市的手機(jī)中：5 英寸及以上大屏手機(jī)款型占比 79.8%，其中 5G 手機(jī)大屏占比達(dá) 100%，4G 手機(jī)大屏占比為 72.2%。高清手機(jī)（HD720
- 關(guān)鍵字： 智能手機(jī) RAM
英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲器已開始批量供貨
- 【2022年11月22日，德國慕尼黑訊】近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM存儲器（鐵電存取存儲器）開始批量供貨。該系列儲存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲器的工作電壓范圍為1.71 V至3.6 V，借助低引腳數(shù)接口，該器件可支持高達(dá)54MBps的數(shù)據(jù)吞吐量，并且采用了符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 EXCELON F-RAM
嵌入式北斗網(wǎng)絡(luò)時間服務(wù)器的Web網(wǎng)頁實現(xiàn)
- 摘要：本文介紹了嵌入式北斗網(wǎng)絡(luò)時間服務(wù)器的基本功能，重點講述了如何在該設(shè)備中添加Web網(wǎng)頁的方法 及實現(xiàn)過程，以及在嵌入式設(shè)備中添加此功能應(yīng)該考慮的資源因素。關(guān)鍵詞：TCP/IP；HTTP；Cortex-M4；RAM；鏈表?1 時間服務(wù)器功能描述北斗衛(wèi)星接收終端接收北斗導(dǎo)航衛(wèi)星發(fā)射的 RNSS （Radio Navigation Satellite System，無線導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)） 無線電波信號，在設(shè)備內(nèi)部通過 PVT 解算，計算出用 戶當(dāng)前的位置、速度以及時間信息。北斗的時間信息具
- 關(guān)鍵字： 202208 TCP/IP HTTP Cortex-M4 RAM 鏈表
超高數(shù)據(jù)流通量FPGA新品類中的Block RAM級聯(lián)架構(gòu)
- 概述隨著數(shù)據(jù)中心、人工智能、自動駕駛、5G、計算存儲和先進(jìn)測試等應(yīng)用的數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)流量不斷增大，不僅需要引入高性能、高密度FPGA來發(fā)揮其并行計算和可編程硬件加速功能，而且還對大量數(shù)據(jù)在FPGA芯片內(nèi)外流動提出了更高的要求。于是，在FPGA芯片中集成包括片上二維網(wǎng)絡(luò)（2D NoC）和各種最新高速接口的新品類FPGA芯片應(yīng)運而生，成為FPGA產(chǎn)業(yè)和相關(guān)應(yīng)用的新熱點。拉開這場FPGA芯片創(chuàng)新大幕的是全球最大的獨立FPGA技術(shù)和產(chǎn)品提供商Achronix半導(dǎo)體公司，其采用7nm工藝打造的Achronix Spe
- 關(guān)鍵字： Achronix FPGA Block RAM 級聯(lián)架構(gòu)
8533Mhz的LPDDR5X內(nèi)存，未必有你想的那么快
- 經(jīng)常關(guān)注我們?nèi)咨畹呐笥芽赡苓€記得，對于5G手機(jī)來說高速的內(nèi)存和閃存非常重要。一方面，這是因為網(wǎng)速的增加使得在線視頻、大型手游的品質(zhì)可以越做越高，對手機(jī)的IO吞吐性能提出了更高要求；另外一方面，根據(jù)國際電聯(lián)的要求，5G時代的最終目標(biāo)是達(dá)到20Gbps的網(wǎng)絡(luò)帶寬，這就意味著手機(jī)至少也得具備與之相應(yīng)的內(nèi)存和閃存讀寫速度，才有可能充分發(fā)揮高速網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢。正因如此，自2019年秋季國內(nèi)市場5G正式商用以來，各上游廠商都在快速迭代手機(jī)的內(nèi)存、閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。例如，2019年秋季的驍龍855+，使用的還是LPDDR4
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 RAM LPDDR
貿(mào)澤電子備貨Panasonic PAN1780高性能藍(lán)牙5低功耗模塊
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?)? 近日開始備貨?Panasonic PAN1780?模塊。這款藍(lán)牙? 5.0低功耗模塊能夠在無連接的情況下傳輸大量數(shù)據(jù)，為?物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、信標(biāo) (beacon) 和網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò) (mesh) 等應(yīng)用提供緊湊型解決方案。貿(mào)澤電子分銷的?Panasonic PAN1780?模塊采用?Nordic nRF52840&nb
- 關(guān)鍵字： RAM 工業(yè)4.0
充分利用數(shù)字信號處理器上的片內(nèi)FIR和IIR硬件加速器
- 摘要有限脈沖響應(yīng)(FIR)和無限脈沖響應(yīng)(IIR)濾波器都是常用的數(shù)字信號處理算法---尤其適用于音頻處理應(yīng)用。因此，在典型的音頻系統(tǒng)中，處理器內(nèi)核的很大一部分時間用于FIR和IIR濾波。數(shù)字信號處理器上的片內(nèi)FIR和IIR硬件加速器也分別稱為FIRA和IIRA，我們可以利用這些硬件加速器來分擔(dān)FIR和IIR處理任務(wù)，讓內(nèi)核去執(zhí)行其他處理任務(wù)。在本文中，我們將借助不同的使用模型以及實時測試示例來探討如何在實踐中利用這些加速器。圖1.FIRA和IIRA系統(tǒng)方框圖簡介圖1顯示了FIRA和IIRA的簡化方框圖，
- 關(guān)鍵字： RAM TCB FIR
生而為速，Xilinx專為聯(lián)網(wǎng)和存儲加速優(yōu)化推出全新 Virtex UltraScale+ VU23P FPGA
- 自適應(yīng)和智能計算的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc.）近日宣布推出專為聯(lián)網(wǎng)和存儲加速而優(yōu)化的 UltraScale+??FPGA 產(chǎn)品系列最新成員??Virtex??UltraScale+??VU23P FPGA?，通過獨特方式綜合多種資源，實現(xiàn)了更高效率數(shù)據(jù)包處理和可擴(kuò)展的數(shù)據(jù)帶寬，致力于為聯(lián)網(wǎng)和存儲應(yīng)用突破性的性能。在數(shù)據(jù)指數(shù)級增長對智能化、靈活應(yīng)變的網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心解決方案提出極高要求的今天，全新 VU23P FPGA
- 關(guān)鍵字： RAM FPGA
ram-x24c45器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ram-x24c45器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ram-x24c45器件的理解，并與今后在此搜索ram-x24c45器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ram-x24c45器件的理解，并與今后在此搜索ram-x24c45器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ram-x24c45器件電路
ram-x24c45器件相關(guān)帖子
ram-x24c45器件資料下載
ram-x24c45器件專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473