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rf mems 文章 進(jìn)入rf mems技術(shù)社區(qū)
持續(xù)深耕傳感器領(lǐng)域,歌爾MEMS傳感器全面升級(jí)
- 隨著政策持續(xù)利好,新基建逐步落地,進(jìn)一步推動(dòng)5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的建設(shè)與發(fā)展,而傳感器作為信息和數(shù)據(jù)來(lái)源的基礎(chǔ),已成為各種智能物聯(lián)的關(guān)鍵共性技術(shù)。9月23-25日,歌爾攜全面升級(jí)的數(shù)字差壓傳感器、高精度低功耗數(shù)字壓力傳感器、氣流傳感器、高性能數(shù)字麥克風(fēng)、骨聲紋傳感器等MEMS傳感器以及組合傳感器再度亮相2020 SENSOR CHINA,致力于為消費(fèi)電子、新基建等領(lǐng)域提供高性能傳感器解決方案。據(jù)權(quán)威市場(chǎng)咨詢機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2020年全球TWS耳機(jī)出貨量為1.86億支,到2024年增長(zhǎng)到6
- 關(guān)鍵字: 歌爾 MEMS 傳感器
Mentor 通過(guò)臺(tái)積電最新的3nm 工藝技術(shù)認(rèn)證
- Mentor, a Siemens business 近日宣布旗下多條產(chǎn)品線和工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電?(TSMC)最新的3nm (N3) 工藝技術(shù)認(rèn)證。臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee 表示:“此次認(rèn)證進(jìn)一步體現(xiàn)了Mentor對(duì)于雙方共同客戶以及臺(tái)積電生態(tài)系統(tǒng)的突出價(jià)值。我們很高興看到Mentor的系列領(lǐng)先平臺(tái)正不斷地獲得臺(tái)積電認(rèn)證,以幫助我們的客戶使用最先進(jìn)的工藝技術(shù)在功耗和性能方面獲得大幅提升,進(jìn)而成功實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)。”此次獲得臺(tái)積電N3工藝認(rèn)證的 Mentor 產(chǎn)品包括Anal
- 關(guān)鍵字: IC RF
推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)
- 如今“顛覆性”一詞可能被過(guò)度使用,但它通常只適用于一種技術(shù)。例如,當(dāng)90年代末期PC產(chǎn)業(yè)真正開(kāi)始騰飛時(shí),半導(dǎo)體行業(yè)就出現(xiàn)了一段兩位數(shù)增長(zhǎng)的時(shí)期。盡管業(yè)界盡了最大努力,但直到21世紀(jì)初期手機(jī)的出現(xiàn)改變了這一切,這種情況才得以重演。許多人都在尋找下一個(gè)具有顛覆性的技術(shù),以引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)再來(lái)一段兩位數(shù)的市場(chǎng)增長(zhǎng)時(shí)期。一段時(shí)間以來(lái),物聯(lián)網(wǎng)(IoT)一直被視為是這一觸發(fā)器,但或許由于其迥然不同的性質(zhì),它尚未真正產(chǎn)生這樣的影響。但是,現(xiàn)在隨著5G技術(shù)的出現(xiàn),對(duì)人工智能的興趣和發(fā)展的增加,云計(jì)算的持續(xù)重要性,以及增強(qiáng)/
- 關(guān)鍵字: IoT PC IDM ASP SMS AiP RF
新型F1490射頻放大器具有超低靜態(tài)電流可降低功耗、提高增益鏈路余量,且性能穩(wěn)定
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其強(qiáng)大的射頻放大器產(chǎn)品線,推出新產(chǎn)品F1490,可提供遠(yuǎn)低于競(jìng)品的靜態(tài)電流(75mA)。F1490作為第二代高增益2級(jí)射頻放大器,涵蓋從1.8 GHz到5.0 GHz的關(guān)鍵sub-6GHz 5G頻段。F1490為設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化發(fā)射鏈路的器件選型、消除增益模塊并保持增益余量,同時(shí)提供兩種可選的增益模式,從而為系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)更高靈活性、更低功耗和更強(qiáng)大性能。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru?表示:“F149
- 關(guān)鍵字: QFN CATV RF IF
國(guó)內(nèi)18條主流MEMS產(chǎn)線統(tǒng)計(jì)
- MEMS在整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中處于核心位置,MEMS產(chǎn)線又是整個(gè)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。在“一種器件、一種工藝”的特性下,MEMS產(chǎn)線的成熟度,將決定未來(lái)國(guó)內(nèi)MEMS產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。本文統(tǒng)計(jì)了目前公開(kāi)信息可查的國(guó)內(nèi)18條主要的MEMS產(chǎn)線,涵蓋晶圓代工廠和IDM產(chǎn)線,工藝也基本涵蓋了目前MEMS的主流器件,包括MEMS壓力、麥克風(fēng)、加速度計(jì)、陀螺儀、磁傳感、紅外、光器件、射頻器件等。賽微電子(300456)|代工|2016年收購(gòu)全球MEMS代工廠中排名第二的瑞典Silex,提供壓力、慣性、紅外、微鏡、光開(kāi)關(guān)、硅
- 關(guān)鍵字: MEMS 產(chǎn)線
MEMS,半導(dǎo)體后又一個(gè)大風(fēng)口
- 敏芯股份(688286)即將科創(chuàng)板上市,賽微電子(300456)已經(jīng)成為全球領(lǐng)先的MEMS代工企業(yè),華登、元禾、中科創(chuàng)星等硬科技領(lǐng)域頭部創(chuàng)投機(jī)構(gòu),也都早早布局MEMS領(lǐng)域重點(diǎn)企業(yè)……集成電路遵循摩爾定律向著7nm、5nm工藝演進(jìn),而傳感器、執(zhí)行器等元器件,也憑借MEMS技術(shù),向著小型化、微型化演進(jìn),以便能夠更緊密地集成于越來(lái)越小型化的電子設(shè)備中。但在MEMS領(lǐng)域,中國(guó)企業(yè)整體實(shí)力偏弱,競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力甚至要遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于集成電路行業(yè),在全球頭部企業(yè)中,真正掌握核心技術(shù)的中國(guó)企業(yè),少之又少……
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器
Soitec 發(fā)布 2021 財(cái)年第一季度財(cái)報(bào),收入達(dá) 1400 萬(wàn)歐元
- 作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國(guó) Soitec 半導(dǎo)體公司于 7 月 22 日公布了 2021 財(cái)年第一季度(截止 2020 年 6 月 30 日)的業(yè)績(jī),合并收入為 1.336 億歐元,與 2020 財(cái)年同期的 1.194 億歐元相比下降 4.9%(按固定匯率和邊界1計(jì)下降5.2%)。這主要?dú)w因于 +0.2% 的匯率增值帶來(lái)的積極影響,以及 +0.1% 的范圍效應(yīng),此范圍效應(yīng)與 2019 年 5 月收購(gòu) EpiGaN 相關(guān)?!? ?2021 財(cái)年第一季度收入達(dá) 14
- 關(guān)鍵字: EBITDA RF
Teledyne e2v的四通道ADC為5G NR ATE和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)校準(zhǔn)測(cè)試測(cè)量帶來(lái)重大變革
- 無(wú)線技術(shù)在過(guò)去的20年里快速?gòu)?G發(fā)展到4G,現(xiàn)在已到了5G的時(shí)代。有一個(gè)技術(shù)問(wèn)題一直貫穿這一發(fā)展的過(guò)程,即高頻器件的自動(dòng)校準(zhǔn)測(cè)試。 RF ATE和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)面臨的最困難的挑戰(zhàn)是校準(zhǔn)、可重復(fù)性和測(cè)試結(jié)果的關(guān)聯(lián)度。未來(lái)的無(wú)線技術(shù)的發(fā)展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多輸入端口ADC利用非并行片上高頻交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)輸入電路技術(shù),使用戶可在RF ATE和/或現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試環(huán)境中使用自動(dòng)校準(zhǔn)和測(cè)量技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: RF 5G LNA CPS ADC CPS
Soitec以新技術(shù)為自動(dòng)駕駛發(fā)展保駕護(hù)航
- 作為一家設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè),來(lái)自于法國(guó)的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來(lái)助力整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新,通過(guò)不斷革新更優(yōu)化的制造材料,確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn),基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機(jī)用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用,可以說(shuō)Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機(jī)快速普及的幕后英雄之一。 當(dāng)然,“幕后英雄”也因?yàn)槠湎冗M(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展,Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
- 關(guān)鍵字: Soitec RF-SOI FD-SOI
打破國(guó)外壟斷,全國(guó)產(chǎn)3D芯片為機(jī)器人“點(diǎn)睛”
從原子的物理世界到0和1的數(shù)字世界,3D視覺(jué)“感知智能”技術(shù)是第一座橋梁。我國(guó)放量增長(zhǎng)的工業(yè)級(jí)、消" />
- 傳統(tǒng)機(jī)器人只有“手”,只能在固定好的點(diǎn)位上完成既定操作,而新一輪人工智能技術(shù)大大推動(dòng)了機(jī)器和人的協(xié)作,這也對(duì)機(jī)器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測(cè)量、抓取、移動(dòng)和避讓物體,機(jī)器人首先需要對(duì)周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知,而3D視覺(jué)芯片可以引導(dǎo)機(jī)器人完成上述復(fù)雜的自主動(dòng)作,它相當(dāng)于機(jī)器人的”眼睛”和”大腦”。近日,中科融合感知智能研究院(蘇州工業(yè)園區(qū))有限公司(以下簡(jiǎn)稱中科融合)的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片,已經(jīng)在國(guó)內(nèi)一家芯片代工廠進(jìn)入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進(jìn)入批
- 關(guān)鍵字: 3D-AI 雙引擎 SOC MEMS
低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS懸臂梁開(kāi)關(guān)的對(duì)比研究*
- 歐書(shū)俊,張國(guó)俊,王姝婭,戴麗萍,鐘志親(電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,四川 成都 611731) 摘 要:本文針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開(kāi)關(guān),提出了兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開(kāi)關(guān)的方法,分別為:增大局部驅(qū)動(dòng)面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設(shè)計(jì)了4種形狀的懸臂梁開(kāi)關(guān),分別為增大局部驅(qū)動(dòng)面積的十字型梁,降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長(zhǎng)度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下,通過(guò)CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅(qū)動(dòng)電壓,分別為7.2 V、5.6 V、
- 關(guān)鍵字: 202007 RF MEMS 懸臂梁 驅(qū)動(dòng)電壓 彈性系數(shù)
將低于 1GHz 連接用于電網(wǎng)資產(chǎn)監(jiān)控、保護(hù)和控制的優(yōu)勢(shì)
- 對(duì)電網(wǎng)資產(chǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,可幫助運(yùn)營(yíng)商快速發(fā)現(xiàn)故障,同時(shí)還可對(duì)主要設(shè)備進(jìn)行預(yù)測(cè)性維護(hù),而如今幾乎已不存在這種情況。確定采用哪種特定的無(wú)線技術(shù),如低于1 GHz、低功耗藍(lán)牙?、Wi-Fi?或多標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,取決于數(shù)據(jù)、帶寬、節(jié)點(diǎn)之間的距離、所需連接數(shù)、可用功率以及所需的響應(yīng)時(shí)間等因素。電網(wǎng)的發(fā)展需要在現(xiàn)有的有線連接基礎(chǔ)上增加無(wú)線連接,以進(jìn)行資產(chǎn)監(jiān)控和控制。增加無(wú)線連接的主要因素包括:●? ?采用帶分布式能源資源與傳統(tǒng)發(fā)電、輸電和配電一起使用的分散式微電網(wǎng)模式?!? ?對(duì)遠(yuǎn)程
- 關(guān)鍵字: FCI RF
STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)
- 電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量,其強(qiáng)度足以使信號(hào)失真。因此,設(shè)計(jì)高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號(hào)路徑的系統(tǒng)時(shí),必須克服噪聲問(wèn)題。在電源方面,由于其基本的工作原理,高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會(huì)在轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波,也會(huì)產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級(jí)中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過(guò)濾無(wú)源元件,諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器,或在電源路徑中包含線性電源,如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用,
- 關(guān)鍵字: RF PWM
rf mems介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rf mems的理解,并與今后在此搜索rf mems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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