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          IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件,包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。        全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻,可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起,非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  IRL6297SD  

          D類放大器市場(chǎng)突飛猛進(jìn) 廠商新品頻出

          •   D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運(yùn)行,讓設(shè)計(jì)者能夠利用小型散熱器或者無(wú)需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設(shè)備以及移動(dòng)設(shè)備的首選拓?fù)?,能夠幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高性能與小尺寸組合,而這正是全世界用戶所期望和需要的。   現(xiàn)在,高集成度D類放大器件,包括單個(gè)封裝內(nèi)的整個(gè)放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價(jià)格極具競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品推向市場(chǎng),并且其音頻性能達(dá)到或者超過(guò)了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此,D類音頻放大器近十年來(lái)市場(chǎng)突飛猛進(jìn),年復(fù)合增長(zhǎng)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于應(yīng)用特殊型音頻器件。   D
          • 關(guān)鍵字: IR  D類放大器  

          基于室內(nèi)環(huán)境識(shí)別的移動(dòng)機(jī)器人視覺(jué)導(dǎo)航

          • 道路檢測(cè)是視覺(jué)導(dǎo)航系統(tǒng)中最核心的部分之一。本文主要研究室內(nèi)環(huán)境下的視覺(jué)導(dǎo)航。選取顏色作為分析對(duì)象,分析了RGB和HSV顏色空間模型及轉(zhuǎn)換關(guān)系,用3×3模板進(jìn)行中值平滑濾波,介紹了大津閾值分割法和改進(jìn)的閾值迭代法,并通過(guò)彩色補(bǔ)償原理進(jìn)行彩色補(bǔ)償。最后實(shí)驗(yàn)仿真驗(yàn)證其可行性。
          • 關(guān)鍵字: 機(jī)器人  視覺(jué)導(dǎo)航系統(tǒng)  RGB  HSV  攝像機(jī)  201408  

          IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出汽車級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用,包括泵電機(jī)控制和車身控制等。  使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳,管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接,從而
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  COOLiRFET  

          IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

          •   球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用,包括大功率直流電機(jī),直流/交流逆變器,以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。   全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能,從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  DirectFET  

          IR智慧型功率模組簡(jiǎn)化家電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

          •   國(guó)際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列,有效縮小及簡(jiǎn)化空調(diào)、風(fēng)扇、壓縮機(jī)和洗衣機(jī)等家電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的設(shè)計(jì)。   IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示,要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基準(zhǔn)并非易事,全新IRAMGen2平臺(tái)能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝智慧型功率模組的先進(jìn)技術(shù),通過(guò)改善熱效能及減少電磁雜訊,以滿足市場(chǎng)對(duì)更高效家電應(yīng)用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器與日俱增的需求
          • 關(guān)鍵字: IR  驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)  

          基于機(jī)器視覺(jué)的玉米穗行數(shù)自動(dòng)檢測(cè)算法設(shè)計(jì)

          • 該算法主要用于玉米室內(nèi)考種時(shí)穗行數(shù)的自動(dòng)檢測(cè)。執(zhí)行時(shí),首先獲取玉米穗橫斷面圖像,然后提取出玉米穗的邊緣;接著用質(zhì)心法提取圓心,計(jì)算邊緣到圓心的距離和角度,在0~2pi上畫出一周的角度-半徑曲線圖;最后對(duì)角度-半徑曲線圖進(jìn)行最小值濾波器濾波,并統(tǒng)計(jì)極小值的個(gè)數(shù)即是玉米穗的行數(shù)。本算法實(shí)施成本低,測(cè)量玉米穗行數(shù)快速、準(zhǔn)確、穩(wěn)定,為機(jī)器視覺(jué)在玉米考種系統(tǒng)下的應(yīng)用提供了有效參考。
          • 關(guān)鍵字: 玉米  自動(dòng)檢測(cè)  RGB  HSV  濾波  201406  

          IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

          •    國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開(kāi)關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?! ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
          • 關(guān)鍵字: IR  StrongIRFET  MOSFET  

          IR全新D類音頻芯片組優(yōu)化音頻放大器性能

          • ??? 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?-?國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出全新D類音頻芯片組,內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)器IC,可提供受保護(hù)的脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?開(kāi)關(guān)和完整的音頻MOSFET?,旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化?! RS20965具有高側(cè)和低側(cè)獨(dú)立浮動(dòng)脈沖寬度調(diào)制輸入,能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進(jìn)行死區(qū)時(shí)間控制。新I
          • 關(guān)鍵字: IR  PWM  IRS20965  音頻  

          IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國(guó)際整流器公司擴(kuò)充StrongIRFET系列,為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR?L6283M?20V?DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件,具有極低的導(dǎo)通電阻?(RDS(on))。  IRL6283M采用超薄的30?mm2中罐式DirectFET封裝,導(dǎo)通電阻典型值只有500μΩ,可大幅降低傳導(dǎo)損耗,因而非常適合動(dòng)態(tài)ORing和電子保險(xiǎn)絲?(eFuse)?
          • 關(guān)鍵字: IR  StrongIRFET  IRL6283M  

          IR CHiL為新一代運(yùn)算平臺(tái)提供經(jīng)過(guò)優(yōu)化并配備電源管理總線的端對(duì)端方案

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)?推出新一代電源管理總線?(PMBus)?驅(qū)動(dòng)的多功能CHiL數(shù)字脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?控制器,和集成式PowIRstage解決方案,可在多種中端到高端服務(wù)器、桌面和運(yùn)算應(yīng)用內(nèi)大幅提升效率、縮減電路板空間及減少部件數(shù)量?! R全新的數(shù)字控制器符合Intel?VR12和VR12.5的規(guī)格
          • 關(guān)鍵字: IR  PMBus  CHiL  PWM  

          持續(xù)監(jiān)測(cè)回轉(zhuǎn)窯的Raytek CS210過(guò)程成像系統(tǒng)新增3D視圖和耐火材料管理功能

          •   福祿克公司旗下Raytek?品牌,?紅外(IR)測(cè)溫技術(shù)的世界領(lǐng)先供應(yīng)商,已對(duì)其用于水泥窯的CS210過(guò)程成像系統(tǒng)的功能進(jìn)行了擴(kuò)展,增加了可選的可集成至系統(tǒng)軟件的3D視圖和耐火材料管理數(shù)據(jù)庫(kù)模塊。這種增強(qiáng)的窯體掃描系統(tǒng)通過(guò)持續(xù)監(jiān)測(cè)回轉(zhuǎn)窯來(lái)探測(cè)耐火材料損失、損壞和損耗導(dǎo)致的熱點(diǎn),從而使得水泥制造商可以避免代價(jià)高昂的窯體損壞和意外停工。  利用現(xiàn)已支持多達(dá)4臺(tái)掃描儀的CS210紅外線(IR)掃描解決方案,水泥廠經(jīng)營(yíng)者可確定回轉(zhuǎn)窯耐熱材料的有效性,檢測(cè)失效的耐火磚,從而采取相應(yīng)的措施,防止更大的損
          • 關(guān)鍵字: 福祿克  IR  CS  

          Maxim推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的IO-Link環(huán)境光傳感器

          •   Maxim?Integrated推出符合IEC?61131-9標(biāo)準(zhǔn)的業(yè)內(nèi)最小的Santa?Cruz?(MAXREFDES23#)環(huán)境光傳感器(ALS),能夠在工廠快速配置和監(jiān)測(cè)多路紅、綠、藍(lán)(RGB)可見(jiàn)光和紅外(IR)信號(hào)環(huán)境光傳感器,適用于需要高精度檢測(cè)的工業(yè)應(yīng)用?! ∽园耸甏詠?lái),工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線需要更智能的設(shè)備,快捷安裝、減少布線并方便維護(hù)。然而,由于缺乏單一、公認(rèn)的現(xiàn)場(chǎng)總線,從而造成了培訓(xùn)的困難、高成本以及與設(shè)備兼容等一系列的問(wèn)題。?IO-Li
          • 關(guān)鍵字: Maxim  MAXREFDES23  ALS  IR  RGB  

          IR推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V IGBT

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)?宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF,新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化?! RG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝,由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù),可提供極低VCE(ON)?和超高速開(kāi)關(guān),
          • 關(guān)鍵字: IR  IRG7PK35UD1PbF  IGBT  1400V  

          IR在新加坡開(kāi)設(shè)先進(jìn)超薄晶圓加工廠

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 宣布其位于新加坡的全新先進(jìn)超薄晶圓加工廠 (IRSG) 已投入初始生產(chǎn)。   新廠占地60,000平方英尺,為IR旗下晶圓廠和晶圓代工合作伙伴的晶圓進(jìn)行加工,加工項(xiàng)目包括晶圓減薄、金屬化、測(cè)試和額外的專利晶圓級(jí)加工等。加工廠初期將聘用約135名員工,并將生產(chǎn)IR新一代功率MOSFET和IGBT等多種產(chǎn)品。   IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示:&l
          • 關(guān)鍵字: IR  晶圓  
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