risc—v 文章進(jìn)入risc—v技術(shù)社區(qū)

讓汽車看懂紅綠燈奧迪新技術(shù)展示

如果說無人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對(duì)駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報(bào)道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
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Lark Board評(píng)估板 Cyclone V SoC的專用舞臺(tái)

隨著FPGA技術(shù)的高速發(fā)展，芯片規(guī)模不斷提升，帶來了更強(qiáng)的性能的同時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了更低的功耗。FPGA憑借其強(qiáng)大的并行信號(hào)處理能力，在應(yīng)對(duì)控制復(fù)雜度低、數(shù)據(jù)量大的運(yùn)算時(shí)具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。但是在復(fù)雜算法的實(shí)現(xiàn)上，F(xiàn)PGA
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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

　　比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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RISC或CISC真的有差嗎？

精簡(jiǎn)指令RISC和復(fù)雜指令CISC之爭(zhēng)從來沒有落下帷幕，每隔一段時(shí)間就拿出來吵，實(shí)際只有合不合適，對(duì)不對(duì)口，沒有好壞之分。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將漸趨激烈。　　據(jù)韓國(guó)MT News報(bào)導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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基于Atmega16的室內(nèi)照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　照明是室內(nèi)環(huán)境設(shè)計(jì)的重要組成部分，光照的作用，對(duì)人的視覺功能尤為重要。而長(zhǎng)期以來，將自然光與室內(nèi)智能照明系統(tǒng)相結(jié)合的方式一直被設(shè)計(jì)者忽略，大部分的室內(nèi)場(chǎng)所仍沿用單一的傳統(tǒng)照明方式，在一些公用場(chǎng)所的照明設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間打開，不僅導(dǎo)致能源浪費(fèi)，而且加速了設(shè)備老化。　　1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理　　1. 1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 　　室內(nèi)照明控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)主要采用Atmega16 單片機(jī)作為MCU 控制器，與LED 顯示技術(shù)、光感技術(shù)、按鍵采集與處理技術(shù)、紅外線傳感技術(shù)、延時(shí)技術(shù)等技術(shù)相結(jié)合，然后實(shí)現(xiàn)室內(nèi)照明設(shè)備的智能
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零基礎(chǔ)學(xué)FPGA（十四）第一片IC——精簡(jiǎn)指令集RISC_CPU設(shè)計(jì)精講

　　不得不說，SDRAM的設(shè)計(jì)是我接觸FPGA以來調(diào)試最困難的一次設(shè)計(jì)，早在一個(gè)多月以前，我就開始著手想做一個(gè)SDRAM方面的教程，受特權(quán)同學(xué)影響，開始學(xué)習(xí)《高手進(jìn)階，終極內(nèi)存技術(shù)指南》這篇論文，大家都知道這篇文章是學(xué)習(xí)內(nèi)存入門的必讀文章，小墨同學(xué)花了一些時(shí)間在這上面，說實(shí)話看懂這篇文章是沒什么問題的，文件講的比較直白，通俗易懂，很容易入手。當(dāng)了解了SDRAM工作方式之后，我便開始寫代碼，從特權(quán)同學(xué)的那篇經(jīng)典教程里面，我認(rèn)真研讀代碼的來龍去脈，終于搞懂了特權(quán)同學(xué)的設(shè)計(jì)思想，并花了一些時(shí)間將代碼自己敲一遍，
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基于Microblaze的經(jīng)典設(shè)計(jì)匯總，提供軟硬件架構(gòu)、流程、算法

　　Microblaze嵌入式軟核是一個(gè)被Xilinx公司優(yōu)化過的可以嵌入在FPGA中的RISC處理器軟核，具有運(yùn)行速度快、占用資源少、可配置性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通信、軍事、高端消費(fèi)市場(chǎng)等領(lǐng)域。支持CoreConnect總線的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)集合。Microblaze處理器運(yùn)行在150MHz時(shí)鐘下，可提供125 D-MIPS的性能，非常適合設(shè)計(jì)針對(duì)網(wǎng)絡(luò)、電信、數(shù)據(jù)通信和消費(fèi)市場(chǎng)的復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)。本文介紹基于Microblaze的設(shè)計(jì)實(shí)例，供大家參考。　　雙Microblaze軟核處理器的SOPC系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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可充電觸屏遙控模塊設(shè)計(jì)

　　摘要　　本文介紹了使用MSP430作為主處理器實(shí)現(xiàn)可充電的觸屏遙控模塊，該設(shè)計(jì)方案支持紅外(IR)信號(hào)傳輸，且可擴(kuò)展RF和NFC無線傳輸方式;用戶輸入采用觸摸按鍵實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔美觀;系統(tǒng)可由電池供電，且自帶可充電模塊，可由USB或者直流電源適配器充電。TI的430系列MCU產(chǎn)品功耗低，可為便攜式電子設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命;其內(nèi)嵌LCD驅(qū)動(dòng)器，可以方便實(shí)時(shí)顯示監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù);其支持多種觸摸按鍵實(shí)現(xiàn)方式，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便靈活。　　簡(jiǎn)介　　遙控設(shè)備在日常生活中非常易見，家電遙控器、玩具遙控器等方便了用戶對(duì)設(shè)備
關(guān)鍵字： MSP430 RISC SoC